 |
ZnTe Wafer ZnTe Kristal Tipe N Tipe P Ukuran dan Spesifikasi Tersedia
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | ZMSH |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 25 |
|---|---|
| Harga: | undetermined |
| Kemasan rincian: | plastik berbusa＋karton |
| Waktu pengiriman: | 2-4 minggu |
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T |
| Menyediakan kemampuan: | 1000PCS/Minggu |
|
Informasi Detail |
|||
| Rumus kimia: | ZnTe | Berat Molekul: | 191.17 g/mol |
|---|---|---|---|
| celah pita: | 2.26 EV (Direct Bandgap) | Sifat optik: | Transparansi yang baik di daerah yang terlihat dan inframerah |
| Ekspansi termal: | 6.3 × 10−6/K | Properti Listrik: | Semikonduktor, dapat didoping tipe-n atau tipe-p |
| Menyoroti: | Spesifikasi khusus ZnTe Wafer,Wafer ZnTe tipe N,Ukuran Custom ZnTe Wafer |
||
Deskripsi Produk
ZnTe: Wafer ZnTe, Kristal ZnTe Tipe N, Tipe P, Ukuran dan Spesifikasi Khusus Tersedia
Abstrak ZnTe
Zinc telluride (ZnTe) adalah semikonduktor bandgap langsung yang banyak digunakan dalam optoelektronik danDengan bandgap sekitar 2,26 eV, ZnTe menunjukkansifat optik, membuatnya cocok untuk aplikasi dalam detektor inframerah, dioda memancarkan cahaya, dioda laser, dan sel surya.Struktur kristal kubiknya dan stabilitas termalnya yang tinggi juga menjadikannya bahan pilihan untuk jendela optik suhu tinggiKemampuan ZnTe untuk menyerap dan memancarkan panjang gelombang cahaya tertentu semakin meningkatkan penggunaannya dalam berbagai perangkat fotonik.seperti komputasi kuantum, terus memperluas aplikasi potensialnya.
Sifat Fisik dan Kimia
ZnTe adalah semikonduktor bandgap langsung, yang berarti dapat menyerap dan memancarkan cahaya secara efisien.yang terletak di wilayah spektrum elektromagnetik yang terlihat hingga dekat inframerahBahan ini memiliki struktur kristal kubik yang dikenal sebagai struktur campuran seng.yang dibagikan dengan semikonduktor II-VI lainnyaZnTe menunjukkan stabilitas termal yang tinggi, membuatnya cocok untuk aplikasi suhu tinggi, dan memiliki kepadatan yang relatif tinggi 6,1 g/cm3.
ZnTe juga memiliki sifat optik yang sangat baik, terutama di spektrum inframerah.Karakteristik transmisi di wilayah inframerah memungkinkan untuk berfungsi sebagai bahan jendela optik yang baik untuk berbagai aplikasi teknologi tinggiTransparansi optik material ini, bersama dengan penyerapannya yang relatif rendah di wilayah spektrum tertentu, membuatnya berharga untuk digunakan dalam detektor inframerah, komunikasi optik, dan sistem laser.
| Properti | Nilai/Deskripsi |
| Rumus kimia | ZnTe |
| Berat Molekul | 191.17 g/mol |
| Struktur Kristal | Kubik (struktur Zinc Blende) |
| Bandgap | 2.26 eV (bandgap langsung) |
| Titik Peleburan | 1,199°C |
| Titik didih | 1,500°C |
| Kepadatan | 6.1 g/cm3 |
| Sifat Optik | Transparansi yang baik di daerah terlihat dan inframerah |
| Konduktivitas Termal | 20 W/m·K |
| Ekspansi Termal | 6.3 × 10−6/K |
| Sifat Listrik | Semikonduktor, dapat didop tipe n atau tipe p |
| Aplikasi | Detektor inframerah, fotodioda, dioda laser, sel surya, perangkat optoelektronik, jendela inframerah, layar laser, dll. |
| Metode Pembuatan | Pengendapan uap kimia (CVD), Epitaxy Beam Molekuler (MBE), Pertumbuhan Larutan, dll. |
| Transparensi | Transparansi tinggi, terutama di wilayah inframerah |
Sifat dan Aplikasi Listrik
ZnTe ′s bandgap langsung dan sifat semikonduktor membuatnya cocok untuk berbagai aplikasi elektronik dan optoelektronik.
1Detektor inframerah.: Karena sifat optiknya, ZnTe banyak digunakan dalam detektor inframerah, yang penting dalam berbagai bidang seperti pemantauan lingkungan, pencitraan termal, dan pengawasan militer.Detektor ZnTe dapat beroperasi secara efisien di spektrum inframerah gelombang menengah dan panjang, mendeteksi radiasi inframerah yang dipancarkan dari benda, yang sangat berguna dalam sensasi panas.
2.Dioda Pemancar Cahaya (LED): Kemampuan ZnTe untuk memancarkan cahaya ketika bias secara listrik membuatnya ideal untuk digunakan dalam LED, terutama dalam rentang inframerah dan cahaya tampak.LED berbasis ZnTe digunakan dalam sistem komunikasi optikTransparansi material dalam rentang inframerah juga memungkinkan emisi cahaya yang lebih efisien pada panjang gelombang tertentu.
3. Laser Diode: ZnTe dapat digunakan dalam pembuatan dioda laser, terutama untuk laser panjang gelombang pendek.Kristal ZnTe berkualitas tinggi yang tumbuh melalui MBE sangat berguna dalam konstruksi dioda laser.
4Sel Surya: ZnTe memiliki aplikasi potensial dalam sel surya film tipis. Sebagai bagian dari heterojunction dengan bahan lain seperti CdTe, ZnTe dapat digunakan untuk membuat perangkat fotovoltaik yang efisien.Kemampuan ZnTe untuk menyerap spektrum sinar matahari yang luas dan bandgap yang cocok membuatnya menjadi kandidat yang menjanjikan untuk teknologi energi terbarukan.
5.Jendela optik dan optik inframerah: Transparansi ZnTe?? di wilayah inframerah memungkinkan untuk digunakan sebagai bahan jendela optik dalam perangkat berkinerja tinggi.dan cermin, di mana ia dapat mengirimkan radiasi inframerah tanpa kerugian yang signifikan.
Pertanyaan dan Jawaban
P:Apa metode persiapan ZnTe?
A:1.Deposisi uap: seperti deposisi uap kimia (CVD) atau deposisi uap fisik (PVD).
2.Molecular beam epitaxy (MBE): untuk pertumbuhan film berkualitas tinggi.
3Metode peleburan: Bahan bubuk disiapkan dengan melelehkan seng dan tellurium pada suhu tinggi.
#ZnTe wafer, #ZnTe kristal, #Type N, #Type P, #Semiconductor substrat