 |
SOI wafer P Tipe N Tipe 6 inci 8 inci 12 inci Surface polish SSP/DSP
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | ZMSH |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 25 |
|---|---|
| Harga: | undetermined |
| Kemasan rincian: | plastik berbusa＋karton |
| Waktu pengiriman: | 2-4 minggu |
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T |
| Menyediakan kemampuan: | 1000PCS/Minggu |
|
Informasi Detail |
|||
| Ketebalan lapisan silikon atas: | 0,1 - 20μm | Ketebalan lapisan oksida terkubur: | 0,1 - 3μm |
|---|---|---|---|
| Jenis Substrat: | Silikon (SI), silikon resistivitas tinggi (HR-Si), atau lainnya | Resistivitas lapisan perangkat: | 1 - 10.000Ω · cm |
| Resistivitas lapisan oksida: | 1 × 10⁶ hingga 10⁸Ω · cm | Konduktivitas termal: | 1.5 - 3.0w/m · k |
| Menyoroti: | 8 inci SOI Wafer,Wafer SOI 12 inci,6 inci SOI Wafer |
||
Deskripsi Produk
SOI wafer P Tipe N Tipe 6 inci 8 inci 12 inci Surface polish SSP/DSP
Abstrak dari wafer SOI
Silicon on Insulator (SOI) adalah teknologi semikonduktor canggih di mana lapisan isolasi tipis, biasanya silikon dioksida (SiO2),dimasukkan di antara substrat silikon dan lapisan silikon aktifStruktur ini secara signifikan mengurangi kapasitas parasit, meningkatkan kecepatan switching, menurunkan konsumsi daya, dan meningkatkan ketahanan radiasi dibandingkan dengan teknologi silikon massal tradisional.
SOI adalah singkatan dari silikon-on-isolator, atau Silicon On a substrate, yang memperkenalkan lapisan oksida terkubur antara lapisan atas silikon dan substrat yang mendasarinya.
Spesifikasi SOI
| Konduktivitas Termal | Konduktivitas termal yang relatif tinggi |
| Ketebalan lapisan aktif | Biasanya berkisar dari beberapa hingga beberapa puluh nanometer (nm) |
| Diameter Wafer | 6 inci, 8 inci, 12 inci |
| Keuntungan Proses | Kinerja perangkat yang lebih tinggi dan konsumsi daya yang lebih rendah |
| Keuntungan Kinerja | Sifat listrik yang sangat baik, dikurangi Ukuran perangkat, pembicaraan silang antara komponen elektronik diminimalkan |
| Resistivitas | Biasanya berkisar dari beberapa ratus hingga ribuan ohm-cm |
| Karakteristik Konsumsi Daya | Konsumsi daya rendah |
| Konsentrasi Kekotoran | Konsentrasi kotoran rendah |
| Dukungan Silikon pada Wafer Isolator | SOI Silicon Wafer 4-inci, CMOS Struktur Tiga Lapisan |
Struktur dari SOI
Wafer SOI biasanya terdiri dari tiga lapisan utama:
1lapisan silikon atas (lapisan perangkat): Lapisan silikon tipis di mana perangkat semikonduktor diproduksi. Ketebalan bervariasi dari beberapa nanometer hingga puluhan mikrometer tergantung pada aplikasi.
2.Lapisan oksida terkubur (BOX): Lapisan tipis silikon dioksida (SiO2) yang memberikan isolasi listrik.
3.Wafer Pengendali (Substrat): Lapisan pendukung mekanis, biasanya terbuat dari silikon besar atau bahan kinerja tinggi lainnya.
Ketebalan lapisan silikon atas dan lapisan oksida terkubur dapat disesuaikan untuk mengoptimalkan kinerja untuk aplikasi tertentu.
Proses Manufaktur SOI
Wafer SOI diproduksi menggunakan tiga metode utama:
1.SIMOX (Pemisahan dengan Oxygen Implanted)
Ini melibatkan implan ion oksigen ke dalam wafer silikon dan mengoksidasi mereka pada suhu tinggi untuk membentuk lapisan oksida terkubur.
Menghasilkan wafer SOI berkualitas tinggi tetapi relatif mahal.
2.Smart CutTM (Dikembangkan oleh Soitec, Prancis)
Menggunakan implan ion hidrogen dan ikatan wafer untuk menciptakan struktur SOI.
Metode yang paling banyak digunakan dalam produksi SOI komersial.
3.Wafer Bonding & Etch-Back
Ini melibatkan ikatan dua wafer silikon dan secara selektif mengukir satu ke ketebalan yang diinginkan.
Digunakan untuk SOI tebal dan aplikasi khusus.
Aplikasi dari SOI
Karena manfaat kinerja yang unik, teknologi SOI banyak diadopsi di berbagai industri:
1.High-Performance Computing (HPC)
Perusahaan seperti IBM dan AMD menggunakan SOI dalam CPU server kelas atas untuk meningkatkan kecepatan pemrosesan dan mengurangi konsumsi daya.
SOI banyak digunakan dalam superkomputer dan prosesor AI.
2.Penggunaan Daya Rendah dan Ponsel
Teknologi FD-SOI digunakan dalam smartphone, wearables, dan perangkat IoT untuk menyeimbangkan kinerja dan efisiensi daya.
Pembuat chip seperti STMicroelectronics dan GlobalFoundries memproduksi chip FD-SOI untuk aplikasi daya rendah.
3.RF & Komunikasi Wireless (RF SOI)
RF SOI banyak digunakan dalam komunikasi 5G, Wi-Fi 6E, dan gelombang milimeter.
Digunakan dalam saklar RF, amplifier low-noise (LNA), dan modul RF front-end (RF FEM).
4. Elektronik Otomotif
Power SOI banyak digunakan dalam kendaraan listrik (EV) dan sistem bantuan pengemudi canggih (ADAS).
Hal ini memungkinkan operasi suhu tinggi dan tegangan tinggi, memastikan keandalan dalam kondisi yang keras.
5. Silicon Photonics & Aplikasi Optik
Substrat SOI digunakan dalam chip fotonik silikon untuk komunikasi optik berkecepatan tinggi.
Aplikasi termasuk pusat data, interkoneksi optik berkecepatan tinggi, dan LiDAR (Light Detection and Ranging).
Keuntungan dari wafer SOI
1.Pengurangan kapasitas parasit dan peningkatan kecepatan operasiDibandingkan dengan bahan silikon massal, perangkat SOI mencapai peningkatan kecepatan 20-35%.
2Konsumsi daya yang lebih rendahKarena kapasitas parasit yang berkurang dan arus kebocoran yang diminimalkan, perangkat SOI dapat mengurangi konsumsi daya sebesar 35-70%.
3.Eliminasi efek mengunciTeknologi SOI mencegah penguncian, meningkatkan keandalan perangkat.
4.Menghapuskan kebisingan substrat dan mengurangi kesalahan lunakSOI secara efektif mengurangi interferensi arus pulsa dari substrat, mengurangi terjadinya kesalahan lunak.
5.Kompatibilitas dengan proses silikon yang adaTeknologi SOI terintegrasi dengan baik dengan pembuatan silikon konvensional, mengurangi langkah pengolahan sebesar 13-20%.
Tag:#SOI wafer # P Tipe # N Tipe # 6 inci # 8 inci # 12 inci # Surface polish SSP / DSP