 |
Wafer SiC berkualitas tinggi 2/3/4/6/8 inci 4H-N Tipe Z/P/D/R Kelas Undoped
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | ZMSH |
| Nomor model: | Wafer SiC 2/3/4/6/8 Inci Kelas Penelitian Dummy Produksi Tipe 4H-N |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Waktu pengiriman: | 2-4 minggu |
|---|---|
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T |
|
Informasi Detail |
|||
| Bahan: | SIC | Diameter: | 2/3/4/6/8 inci |
|---|---|---|---|
| Jenis: | 4H-N/3C/4H-SI/6H-N/6H-SI/HPSI | Polandia: | DSP/SSP |
| Menyoroti: | Wafer SiC yang tidak bertopeng,Wafer SiC tipe 4H-N,8 inci SiC Wafer |
||
Deskripsi Produk
SiC Wafer 8 inci 4H-N Tipe DSP/SSP <0001> 200mm Zero Prime Dummy Research Grade Kualitas tinggi Undoped
1. Abstrak
Wafer SiC berkualitas tinggi kami 8 inci 4H-N Tipe DSP / SSP <0001> 200mm Zero Prime Dummy Research Grade Undoped,tersedia dalam ukuran mulai dari 2 sampai 8 inci, terutama untuk Diameter 8 'kami adalah salah satu dari beberapa produsen mampu memproduksi wafer SiC 8 inciKami fokus pada produksi berkualitas tinggi untuk pelanggan kami.
2. Deskripsi Produk & Perusahaan
2.1 Deskripsi Produk:
KitaWafer SiC berkualitas tinggi 8 inci 4H-N Tipe DSP/SSP <0001> 200mm Zero Prime Dummy Research Grade Undopeddirancang khusus untuk aplikasi semikonduktor mutakhir. Wafer ini memiliki karakteristik listrik dan termal yang luar biasa, sehingga cocok untuk elektronik daya, perangkat RF,dan lingkungan suhu tinggi.
2.2 Deskripsi Perusahaan:
Perusahaan kami (ZMSH)telah berfokus pada Safir lapangan untukLebih dari 10 tahun, dengan pabrik profesional & tim penjualan. Kami punya banyak pengalaman diProduk yang disesuaikan. Kami juga melakukan desain khusus dan bisa menjadi OEM.ZMSHakan menjadi pilihan terbaik mempertimbangkan harga dan kualitas.Jangan ragu untuk menjangkau!
3. Aplikasi
Membuka potensi proyek penelitian dan pengembangan Anda denganKita SiC Wafer 8 inci 4H-N Tipe DSP/SSP <0001> 200mm Zero Prime Dummy Research Grade Kualitas tinggi UndopedDengan bandgap sekitar 3,3 eV, wafer ini memungkinkan operasi tegangan tinggi dan frekuensi tinggi.Dengan demikian meningkatkan efisiensi dan keandalan dalam aplikasi yang ketat.
- Laser: Substrat SiC memungkinkan produksi dioda laser bertenaga tinggi yang beroperasi secara efisien di daerah sinar UV dan biru.Konduktivitas termal dan daya tahan yang sangat baik membuat mereka ideal untuk aplikasi yang membutuhkan kinerja yang dapat diandalkan dalam kondisi ekstrem.
- Elektronik Konsumen: Substrat SiC meningkatkan IC manajemen daya, memungkinkan konversi daya yang lebih efisien dan umur baterai yang lebih lama.memungkinkan pengisi daya yang lebih kecil dan lebih ringan sambil mempertahankan kinerja tinggi.
- Baterai Mobil Listrik: Substrat SiC meningkatkan efisiensi energi dan memperpanjang jangkauan berkendara. Aplikasi mereka dalam infrastruktur pengisian cepat mendukung waktu pengisian cepat, meningkatkan kenyamanan bagi pengguna EV.
4. Tampilan Produk - ZMSH
5. SiC Wafer Spesifikasi
6Pertanyaan Umum
6.1 Q:Berapakah ukuran wafer SiC yang bisa kita produksi?
A: Kami terutama mampu memproduksi yang 8 inci. SiC substrat tersedia dalam berbagai ukuran, 2/3/4/6/8 inci diameter.Ukuran khusus lainnya juga dapat tersedia berdasarkan persyaratan aplikasi khusus.
6.2 Q:Industri mana yang mendapat manfaat dari wafer ini?
A: Industri utama termasuk otomotif, telekomunikasi, kedirgantaraan, dan energi terbarukan.
6.3 Q:Bisakah aku mendapatkan wafer SiC yang disesuaikan?
A: Tentu! Kami telah memproduksi produk yang disesuaikan selama lebih dari 10 tahun; silakan hubungi kami untuk berbagi persyaratan Anda dengan kami.
7Kami menawarkan lebih banyak bahan semikonduktor
Kami juga memproses wafer SiC-HPSI, Sapphire Substrates dan bahan semikonduktor lainnya. Silakan klik gambar di bawah untuk informasi lebih lanjut.
Tag:SiC Wafer, SiC Substrate, Bahan Semikonduktor.