Gambaran Produk

Wafer epitaksial Silikon Karbida (SiC) berukuran 8 inci adalah material semikonduktor berkinerja tinggi yang dirancang untuk elektronik daya generasi mendatang. Dibangun di atas substrat SiC berkualitas tinggi berukuran 8 inci, lapisan epitaksial ditumbuhkan menggunakan teknologi deposisi uap kimia (CVD) canggih untuk mencapai ketebalan yang presisi, kontrol doping, dan kualitas kristal yang unggul.

Dibandingkan dengan wafer silikon tradisional, wafer epitaksial SiC menawarkan sifat listrik, termal, dan mekanik yang luar biasa, menjadikannya ideal untuk aplikasi tegangan tinggi, frekuensi tinggi, dan suhu tinggi.

Prinsip Kerja

Lapisan epitaksial SiC dideposisikan pada substrat SiC yang dipoles melalui proses CVD suhu tinggi. Selama pertumbuhan:

• Gas yang mengandung silikon dan karbon bereaksi pada suhu tinggi
• Lapisan SiC kristal tunggal terbentuk mengikuti kisi substrat
• Gas doping (Tipe-N atau Tipe-P) diperkenalkan untuk mengontrol sifat listrik

Lapisan epitaksial ini berfungsi sebagai wilayah aktif untuk fabrikasi perangkat, memungkinkan kontrol kinerja perangkat yang presisi seperti tegangan tembus dan resistansi saat menyala.

Fitur Utama

• Diameter Besar (8 inci / 200 mm): Mendukung manufaktur bervolume tinggi dan pengurangan biaya
• Kepadatan Cacat Rendah: Meminimalkan mikropipa dan dislokasi
• Keseragaman Ketebalan Sangat Baik: Memastikan kinerja perangkat yang konsisten
• Kontrol Doping Presisi: Mendukung karakteristik listrik yang disesuaikan
• Konduktivitas Termal Tinggi: Cocok untuk aplikasi daya tinggi
• Celah Pita Lebar (~3,26 eV): Memungkinkan operasi suhu tinggi dan tegangan tinggi

Spesifikasi Khas

Aplikasi

Wafer epitaksial SiC 8 inci banyak digunakan dalam perangkat daya dan RF canggih, termasuk:

• Kendaraan Listrik (EV): Inverter, pengisi daya onboard
• Sistem Energi Terbarukan: Inverter surya, konverter tenaga angin
• Modul Daya Industri: Penggerak motor efisiensi tinggi
• Sistem Pengisian Cepat: Perangkat switching frekuensi tinggi
• Perangkat 5G & RF: Penguat RF daya tinggi

Keunggulan Dibanding Silikon

• Medan listrik tembus yang lebih tinggi (≈10× silikon)
• Kerugian switching yang lebih rendah
• Suhu operasi yang lebih tinggi (>200°C)
• Efisiensi energi yang lebih baik
• Ukuran sistem dan kebutuhan pendinginan yang berkurang

Proses Manufaktur

Produksi wafer epi SiC 8 inci meliputi:

1. Persiapan Substrat – Pemolesan dan pembersihan wafer SiC kemurnian tinggi
2. Pertumbuhan Epitaksial (CVD) – Deposisi terkontrol lapisan SiC
3. Kontrol Doping – Pengenalan dopan yang presisi
4. Perawatan Permukaan – Pemolesan CMP untuk permukaan ultra-halus
5. Inspeksi & Pengujian – Verifikasi ketebalan, cacat, dan sifat listrik

FAQ

Q1: Apa perbedaan antara substrat SiC dan wafer epi SiC?

A: Substrat adalah bahan dasar, sedangkan lapisan epitaksial adalah lapisan fungsional tempat perangkat dibuat.

Q2: Bisakah ketebalan epi dan doping disesuaikan?

A: Ya, baik ketebalan maupun konsentrasi doping dapat disesuaikan sesuai dengan kebutuhan perangkat.

Q3: Mengapa memilih wafer SiC 8 inci?

A: Ukuran wafer yang lebih besar meningkatkan efisiensi produksi dan mengurangi biaya per perangkat, mendukung produksi massal.