SiC Substrat Karbida Silikon subatrte 4H/6H-P 3C-N 5×5 10×10mm P kelas R kelas D kelas

4H/6H-P SiC Substrat 5×5 10×10mm abstrak

Substrat 4H/6H-P Silicon Carbide (SiC), dengan dimensi 5×5 mm dan 10×10 mm, merupakan kemajuan penting dalam bahan semikonduktor,terutama untuk aplikasi daya tinggi dan suhu tinggiSiC, semikonduktor bandgap lebar, menunjukkan konduktivitas termal yang luar biasa, kekuatan medan listrik pemecahan yang tinggi, dan sifat mekanik yang kuat,menjadikannya pilihan yang disukai untuk perangkat elektronik daya generasi berikutnya dan perangkat optoelektronikStudi ini mengeksplorasi teknik pembuatan yang digunakan untuk mencapai substrat SiC 4H/6H-P berkualitas tinggi, mengatasi tantangan umum seperti meminimalkan cacat dan seragam wafer.makalah menyoroti aplikasi substrat dalam perangkat daya, perangkat RF, dan aplikasi frekuensi tinggi lainnya, menekankan potensinya untuk merevolusi industri semikonduktor.Temuan menunjukkan bahwa substrat SiC ini akan memainkan peran penting dalam pengembangan perangkat elektronik yang lebih efisien dan dapat diandalkan, memungkinkan terobosan dalam kinerja dan efisiensi energi.

4H/6H-P SiC Substrat 5×5 10×10mm sifat

Substrat 4H/6H-P SiC (Silicon Carbide), khususnya dalam dimensi 5×5 mm dan 10×10 mm,menunjukkan beberapa sifat yang luar biasa yang membuatnya menjadi pilihan yang disukai dalam aplikasi semikonduktor berkinerja tinggi:

1. Bandgap lebar:Bandgap SiC yang luas (sekitar 3,26 eV untuk 4H dan 3,02 eV untuk 6H) memungkinkan operasi pada suhu dan tegangan tinggi, yang bermanfaat untuk elektronik daya.

2. Konduktivitas termal tinggi:SiC memiliki konduktivitas termal yang sangat baik, sekitar 3,7 W/cm·K, yang membantu dalam disipasi panas yang efisien, membuatnya cocok untuk perangkat bertenaga tinggi.

3. Medan Listrik Pemecahan Tinggi:SiC dapat menahan medan listrik yang tinggi (hingga 3 MV / cm), menjadikannya ideal untuk perangkat listrik yang membutuhkan kemampuan penanganan tegangan tinggi.

4. Kekuatan mekanik:SiC dikenal karena ketahanan mekaniknya, menawarkan ketahanan tinggi terhadap keausan, yang sangat penting untuk perangkat yang beroperasi dalam kondisi ekstrem.

5. Stabilitas Kimia:SiC secara kimiawi stabil, tahan terhadap oksidasi dan korosi, sehingga cocok untuk lingkungan yang keras, termasuk aplikasi aerospace dan otomotif.

Karakteristik ini memungkinkan substrat SiC 4H/6H-P untuk digunakan dalam berbagai aplikasi, termasuk transistor bertenaga tinggi, perangkat RF, dan optoelektronika,di mana kinerja dan keandalan sangat penting.

4H/6H-P SiC Substrat 5×5 Gambar 10×10mm

4H/6H-P SiC Substrate 5×5 Aplikasi 10×10mm

Substrat 4H/6H-P SiC (Silicon Carbide), terutama dalam ukuran 5 × 5 mm dan 10 × 10 mm, digunakan dalam berbagai aplikasi berkinerja tinggi dan menuntut di berbagai industri:

1. Elektronika Daya:Substrat SiC banyak digunakan dalam perangkat listrik seperti MOSFET, IGBT, dan dioda Schottky, yang penting dalam kendaraan listrik, sistem energi terbarukan, dan jaringan listrik.Bandgap yang luas dan tegangan pemecahan tinggi SiC memungkinkan konversi energi yang efisien dan operasi di bawah tegangan dan suhu tinggi.

2. Perangkat RF dan Microwave:SiC adalah bahan yang sangat baik untuk perangkat RF dan gelombang mikro yang digunakan dalam telekomunikasi, sistem radar, dan komunikasi satelit.Kemampuannya untuk beroperasi pada frekuensi tinggi dan suhu dengan kehilangan sinyal yang rendah membuatnya cocok untuk amplifier dan switch bertenaga tinggi.

3. Optoelektronika:Substrat SiC digunakan dalam LED dan dioda laser, terutama dalam rentang panjang gelombang UV dan biru.dan monitoring lingkungan.

4. Aerospace dan Otomotif:Karena stabilitas termalnya dan ketahanan terhadap lingkungan yang keras, SiC digunakan dalam sensor, aktuator, dan modul daya aerospace dan otomotif, di mana keandalan dalam kondisi ekstrem sangat penting.

Aplikasi ini menyoroti pentingnya substrat SiC 4H/6H-P dalam kemajuan teknologi yang membutuhkan efisiensi, daya tahan, dan operasi berkinerja tinggi.

Pertanyaan dan Jawaban

Berapa 4H dalam 4H-SiC?

4H-SiC dan 6H-SiC mewakilistruktur kristal heksagonal, dengan "H" yang menunjukkan simetri heksagonal dan angka 4 dan 6 lapisan dalam sel unit mereka.yang merupakan penentu kunci dari kinerja perangkat semikonduktor.