rincian produk

Rumah Produk

Silicon Carbide Wafer

8 inci 200mm Silikon Karbida Ingot Semikonduktor Substrat 4H Tipe-N SiC Wafer

Semua Kategori

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

Hubungi kami

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

Hubungi sekarang

Semua Kategori

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

8 inci 200mm Silikon Karbida Ingot Semikonduktor Substrat 4H Tipe-N SiC Wafer

Nama merek:	ZMKJ
Nomor Model:	Wafer SiC 200mm
MOQ:	1 BUAH
harga:	by case
Rincian kemasan:	paket wafer tunggal di ruang pembersih kelas 100
Ketentuan Pembayaran:	T/T, Western Union, MoneyGram

Informasi Rinci

Deskripsi Produk

Informasi Rinci

Tempat asal:

Cina

Sertifikasi:

ROHS

Bahan:

Silikon Karbida

Nilai:

Dummy atau Riset

Tebal:

0,35mm 0,5mm

Permukaan:

sisi ganda dipoles

Aplikasi:

tes pemolesan pembuat perangkat

Diameter:

200±0,5mm

MOQ:

Jenis:

4 jam

Menyediakan kemampuan:

1-50pcs/bulan

Menyoroti:

Substrat Semikonduktor Ingot Silikon Karbida

Wafer Silikon Karbida 8 inci

Wafer SiC Tipe-N 4H

Deskripsi Produk

SiC Substrate/Wafers (150mm, 200mm) Silicon Carbide Ceramic Korosi Luar BiasaSingle crystal wafer silikon satu sisi yang dipoles sic wafer produsen wafer pemoles Silicon Carbide SiC Wafer4H-N SIC ingot/200mm SiC Wafers 200mm SiC Wafers

Tentang Kristal Silikon Karbida (SiC).

Silicon carbide (SiC), juga dikenal sebagai carborundum, adalah semikonduktor yang mengandung silikon dan karbon dengan rumus kimia SiC.SiC digunakan dalam perangkat elektronik semikonduktor yang beroperasi pada suhu tinggi atau tegangan tinggi, atau keduanya. SiC juga merupakan salah satu komponen LED yang penting, merupakan substrat yang populer untuk menumbuhkan perangkat GaN, dan juga berfungsi sebagai penyebar panas di lingkungan yang tinggi. LED daya.

Spesifikasi DSP SiC tipe-N 8 inci
Nomor	Barang	Satuan	Produksi	Riset	Contoh
1: parameter
1.1	politipe	--	4 jam	4 jam	4 jam
1.2	orientasi permukaan	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2: Parameter listrik
2.1	dopan	--	Nitrogen tipe-n	Nitrogen tipe-n	Nitrogen tipe-n
2.2	resistivitas	ohm·cm	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3: Parameter mekanis
3.1	diameter	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	ketebalan	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	Orientasi takik	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Kedalaman Takik	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	LTV	μm	≤5(10mm * 10mm)	≤5(10mm * 10mm)	≤10(10mm * 10mm)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Busur	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Melengkung	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0.2	Ra≤0.2	Ra≤0.2

Kesulitan saat ini dalam pembuatan kristal 200mm 4H-SiC terutama melibatkan.
1) Persiapan kristal biji 200mm 4H-SiC berkualitas tinggi;
2) Non-keseragaman medan suhu ukuran besar dan kontrol proses nukleasi;
3) Efisiensi pengangkutan dan evolusi komponen gas dalam sistem pertumbuhan kristal ukuran besar;
4) Retak kristal dan proliferasi cacat yang disebabkan oleh peningkatan tegangan termal ukuran besar.

8 inci 200mm Silikon Karbida Ingot Semikonduktor Substrat 4H Tipe-N SiC Wafer 0

Ada tiga jenis dioda daya SiC: dioda Schottky (SBD), dioda PIN, dan dioda Schottky yang dikontrol penghalang persimpangan (JBS).Karena penghalang Schottky, SBD memiliki tinggi penghalang persimpangan yang lebih rendah, sehingga SBD memiliki keunggulan tegangan maju yang rendah.Munculnya SBD SiC telah memperluas jangkauan aplikasi SBD dari 250V menjadi 1200V.Selain itu, karakteristiknya pada suhu tinggi baik, arus bocor balik tidak meningkat dari suhu kamar hingga 175 ° C. Dalam bidang aplikasi penyearah di atas 3kV, dioda SiC PiN dan SiC JBS telah mendapat banyak perhatian karena kerusakannya yang lebih tinggi tegangan, kecepatan perpindahan lebih cepat, ukuran lebih kecil, dan bobot lebih ringan dari penyearah silikon.

Perangkat MOSFET daya SiC memiliki resistansi gerbang yang ideal, kinerja peralihan kecepatan tinggi, resistansi rendah, dan stabilitas tinggi.Ini adalah perangkat pilihan di bidang perangkat daya di bawah 300V.Ada laporan bahwa MOSFET silikon karbida dengan tegangan pemblokiran 10kV telah berhasil dikembangkan.Para peneliti percaya bahwa MOSFET SiC akan menempati posisi yang menguntungkan di bidang 3kV - 5kV.

SiC Insulated Gate Bipolar Transistor (SiC BJT, SiC IGBT) dan SiC Thyristor (SiC Thyristor), perangkat IGBT tipe-P SiC dengan tegangan pemblokiran 12 kV memiliki kemampuan arus maju yang baik.Dibandingkan dengan transistor bipolar Si, transistor bipolar SiC memiliki kerugian switching 20-50 kali lebih rendah dan penurunan tegangan nyala yang lebih rendah.SiC BJT terutama dibagi menjadi BJT emitor epitaxial dan BJT emitor implantasi ion, gain arus tipikal adalah antara 10-50.

Properti	satuan	Silikon	SiC	Gan
Lebar celah pita	eV	1.12	3.26	3.41
Bidang kerusakan	MV/cm	0,23	2.2	3.3
Mobilitas elektron	cm^2/Vdt	1400	950	1500
Kecepatan melayang	10^7 cm/dtk	1	2.7	2.5
Konduktivitas termal	W/cmK	1.5	3.8	1.3

FAQ:

T: Bagaimana cara pengiriman dan biayanya?

A:(1) Kami menerima DHL, Fedex, EMS dll.

(2) tidak apa-apa Jika Anda memiliki akun ekspres Anda sendiri, Jika tidak, kami dapat membantu Anda mengirimkannya dan

Pengangkutan adalah iN sesuai dengan penyelesaian yang sebenarnya.

T: Bagaimana cara membayar?

A: T/T 100% deposit sebelum pengiriman.

T: Apa MOQ Anda?

A: (1) Untuk persediaan, MOQ adalah 1pcs.kalau 2-5pcs lebih bagus.

(2) Untuk produk commen yang disesuaikan, MOQ adalah 10 pcs lebih tinggi.

T: Apa waktu pengirimannya?

A: (1) Untuk produk standar

Untuk persediaan: pengiriman adalah 5 hari kerja setelah Anda melakukan pemesanan.

Untuk produk yang disesuaikan: pengiriman adalah 2 -4 minggu setelah Anda memesan kontak.

T: Apakah Anda memiliki produk standar?

A: Stok produk standar kami.seperti substrat 4 inci 0,35 mm.

Tag:

Substrat Safir

Sapphire Optical Windows

Silicon Carbide Wafer

Tabung Safir

Gallium Nitride Wafer

Substrat Semikonduktor

Batu Permata Sintetis

Bagian Keramik

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Kotak Pembawa Wafer

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

Substrat Safir

Sapphire Optical Windows

Silicon Carbide Wafer

Tabung Safir

Gallium Nitride Wafer

Substrat Semikonduktor

Batu Permata Sintetis

Bagian Keramik

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Kotak Pembawa Wafer

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

rincian produk

8 inci 200mm Silikon Karbida Ingot Semikonduktor Substrat 4H Tipe-N SiC Wafer

Substrat Safir

Sapphire Optical Windows

Silicon Carbide Wafer

Tabung Safir

Gallium Nitride Wafer

Substrat Semikonduktor

Batu Permata Sintetis

Bagian Keramik

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Kotak Pembawa Wafer

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

Substrat Safir

Sapphire Optical Windows

Silicon Carbide Wafer

Tabung Safir

Gallium Nitride Wafer

Substrat Semikonduktor

Batu Permata Sintetis

Bagian Keramik

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Kotak Pembawa Wafer

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

8 inci 200mm Silikon Karbida Ingot Semikonduktor Substrat 4H Tipe-N SiC Wafer

Substrat Semikonduktor Ingot Silikon Karbida

Wafer Silikon Karbida 8 inci

Wafer SiC Tipe-N 4H