• 2/3/4/6 inci Silicon Carbide Wafer 4H-N / Semi Type SiC Ingot Industri
  • 2/3/4/6 inci Silicon Carbide Wafer 4H-N / Semi Type SiC Ingot Industri
  • 2/3/4/6 inci Silicon Carbide Wafer 4H-N / Semi Type SiC Ingot Industri
  • 2/3/4/6 inci Silicon Carbide Wafer 4H-N / Semi Type SiC Ingot Industri
2/3/4/6 inci Silicon Carbide Wafer 4H-N / Semi Type SiC Ingot Industri

2/3/4/6 inci Silicon Carbide Wafer 4H-N / Semi Type SiC Ingot Industri

Detail produk:

Tempat asal: Cina
Nama merek: ZMKJ
Nomor model: Bulk SiC 4 inci

Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:

Kuantitas min Order: 3 BUAH
Harga: by case
Kemasan rincian: paket wafer tunggal di ruang pembersih kelas 100
Waktu pengiriman: 2-5 minggu
Syarat-syarat pembayaran: T/T, Western Union, MoneyGram
Menyediakan kemampuan: 1-50pcs/bulan
Harga terbaik Kontak

Informasi Detail

bahan: kristal tunggal SiC Kekerasan: 9.4
Membentuk: Disesuaikan Toleransi: ±0,1 mm
Aplikasi: wafer benih, reflektor Jenis: 4 jam
Diameter: 4 inci 6 inci 8 inci Ketebalan: 5-15mm oke
Resistivitas: 0,015~0,028ohm.cm Warna: Warna teh-hijau
Cahaya Tinggi:

Wafer Silikon Karbida 6 inci

,

Wafer SiC Industri

,

Wafer Karbida Silikon 4H-Semi

Deskripsi Produk

Kualitas Tinggi Silicon-on-Insulator Wafer SIC Silicon Carbide Wafers Disesuaikan Kualitas tinggi presisi tinggi Dia.700mm Sic cermin bulat reflektor optik logam Disesuaikan Kualitas tinggi Dia.500mm berlapis perak reflektor bulat logam reflektor optik 2 inci/3 inci/4 inci/6 inci/8 inci 6H -N/4H-SEMI/ 4H-N SIC ingot/Kemurnian tinggi 4H-N 4 inci 6 inci dia 150mm silikon karbida kristal tunggal (sic) substrat wafer,

 

Deskripsi Produk

2/3/4/6 inci Silicon Carbide Wafer 4H-N / Semi Type SiC Ingot Industri 0

Nama Produk
Cermin Bidang Logam
Bahan
Silikon Monokristalin
Diameter
500mm
Kualitas Permukaan
60-40
Akurasi Permukaan

PV:1/4 Lambda;

RMS: 1/30 Lambda
Lapisan

Reflektivitas>90%

Lapisan Film: @200-1100nm
Aplikasi
Sistem Refleksi
 
Deskripsi Wafer SIC
 
Properti 4H-SiC, Kristal Tunggal 6H-SiC, Kristal Tunggal
Parameter Kisi a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Urutan Penumpukan ABCB ABCACB
Kekerasan Mohs ≈9.2 ≈9.2
Kepadatan 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Satuan panas.Koefisien Ekspansi 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Indeks Refraksi @750nm

tidak = 2,61

ne = 2,66

tidak = 2,60

ne = 2,65

Konstanta Dielektrik c~9.66 c~9.66
Konduktivitas Termal (Tipe-N, 0,02 ohm.cm)

a~4,2 W/cm·K@298K

c~3,7 W/cm·K@298K

 
Konduktivitas Termal (Semi-isolasi)

a~4,9 W/cm·K@298K

c~3,9 W/cm·K@298K

a~4,6 W/cm·K@298K

c~3,2 W/cm·K@298K

Celah pita 3,23 eV 3,02 eV
Medan Listrik Rusak 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Kecepatan Drift Saturasi 2,0×105m/dtk 2,0×105m/dtk

 

Ukuran Komen Katalog
 

 

Wafer/ingot SiC Tipe 4H-N / Kemurnian Tinggi
2 inci 4H N-type SiC wafer/ingot
Wafer SiC Tipe-N 3 inci 4H
4 inci 4H N-type SiC wafer/ingot
Wafer/ingot SiC Tipe-N 6 inci 4H

 

4H wafer SiC Semi-isolasi / Kemurnian Tinggi

Wafer SiC Semi-insulasi 2 inci 4H
Wafer SiC semi-isolasi 3 inci 4H
Wafer SiC semi-isolasi 4 inci 4H
Wafer SiC semi-isolasi 6 inci 4H
 
 
Wafer SiC Tipe-N 6H
2 inci 6H N-type SiC wafer/ingot
 
Ukuran disesuaikan untuk 2-6 inci
 

 

Silikon karbida (SiC),juga dikenal sebagai carborundum, adalah semikonduktor yang mengandung silikon dan karbon dengan rumus kimia SiC.SiC digunakan pada perangkat elektronik semikonduktor yang beroperasi pada temperatur tinggi atau tegangan tinggi, atau keduanya. SiC juga merupakan salah satu
komponen LED yang penting, ini adalah substrat yang populer untuk menumbuhkan perangkat GaN, dan juga berfungsi sebagai penyebar panas dalam daya tinggi
LED.

 

 

Properti satuan Silikon SiC Gan
Lebar celah pita eV 1.12 3.26 3.41
Bidang kerusakan MV/cm 0,23 2.2 3.3
Mobilitas elektron cm^2/Vdt 1400 950 1500
Drift valocity 10^7 cm/dtk 1 2.7 2.5
Konduktivitas termal W/cmK 1.5 3.8 1.3

 

 

 

Tentang detail ingot kristal biji SiC
2/3/4/6 inci Silicon Carbide Wafer 4H-N / Semi Type SiC Ingot Industri 12/3/4/6 inci Silicon Carbide Wafer 4H-N / Semi Type SiC Ingot Industri 22/3/4/6 inci Silicon Carbide Wafer 4H-N / Semi Type SiC Ingot Industri 32/3/4/6 inci Silicon Carbide Wafer 4H-N / Semi Type SiC Ingot Industri 4

Tentang Perusahaan ZMKJ

 

ZMKJ dapat menyediakan wafer SiC kristal tunggal berkualitas tinggi (Silicon Carbide) untuk industri elektronik dan optoelektronik.wafer SiC adalah bahan semikonduktor generasi berikutnya, dengan sifat listrik yang unik dan sifat termal yang sangat baik, dibandingkan dengan wafer silikon dan wafer GaAs, wafer SiC lebih cocok untuk suhu tinggi dan aplikasi perangkat daya tinggi.Wafer SiC dapat disuplai dengan diameter 2-6 inci, tersedia SiC 4H dan 6H, tipe-N, doping Nitrogen, dan tipe semi-insulasi.Silahkan hubungi kami untuk informasi produk lebih lanjut.

 

FAQ:

T: Bagaimana cara pengiriman dan biayanya?

A:(1) Kami menerima DHL, Fedex, EMS dll.

(2) tidak apa-apa Jika Anda memiliki akun ekspres Anda sendiri, Jika tidak, kami dapat membantu Anda mengirimkannya dan

Pengangkutan adalah iN sesuai dengan penyelesaian yang sebenarnya.

 

T: Bagaimana cara membayar?

A: T/T 100% deposit sebelum pengiriman.

 

T: Apa MOQ Anda?

A: (1) Untuk persediaan, MOQ adalah 1pcs.kalau 2-5pcs lebih bagus.

(2) Untuk produk commen yang disesuaikan, MOQ adalah 10 pcs lebih tinggi.

 

T: Apa waktu pengirimannya?

A: (1) Untuk produk standar

Untuk persediaan: pengiriman adalah 5 hari kerja setelah Anda melakukan pemesanan.

Untuk produk yang disesuaikan: pengiriman adalah 2 -4 minggu setelah Anda memesan kontak.

 

T: Apakah Anda memiliki produk standar?

A: Stok produk standar kami.seperti substrat 4 inci 0,35 mm.

 

Ingin Tahu lebih detail tentang produk ini
2/3/4/6 inci Silicon Carbide Wafer 4H-N / Semi Type SiC Ingot Industri bisakah Anda mengirimkan saya lebih banyak detail seperti jenis, ukuran, jumlah, bahan, dll.
Terima kasih!
Menunggu jawaban Anda.