 |
Disesuaikan SIC Silicon Carbide Wafer Potongan Jendela Kristal Tunggal 60 X 10 X 0.5mm
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | ZMKJ |
| Nomor model: | 60x10x0.5mmt |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 1 BUAH |
|---|---|
| Harga: | by case |
| Kemasan rincian: | paket wafer tunggal di ruang pembersihan kelas 100 |
| Waktu pengiriman: | 2-4minggu |
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Menyediakan kemampuan: | 1-50 pcs/bulan |
|
Informasi Detail |
|||
| Bahan: | SiC kristal tunggal tipe 4H-N | Nilai: | Kelas Dummy / Produksi |
|---|---|---|---|
| tebal: | 0.5mm | permukaan: | dipoles |
| Aplikasi: | uji bantalan | Diameter: | 60x10x0.5mmt |
| Warna: | Kaos hijau | ||
| Cahaya Tinggi: | Wafer Silikon Karbida SIC yang Disesuaikan,Potongan Jendela Silikon Karbida SIC,Wafer Silikon Karbida Kristal Tunggal |
||
Deskripsi Produk
Ukuran disesuaikan/60x10x0.5mmt/2 inci/3 inci/4 inci/6 inci 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC ingot/Kemurnian tinggi 4H-N 4 inci 6 inci diameter 150mm silikon karbida kristal tunggal (sic) substrat waferS/ Wafer sic yang dipotong sesuai pesanan Jendela/lensa/kacamata SiC
Tentang Silicon Carbide (SiC)Crystal
Silicon carbide (SiC), juga dikenal sebagai carborundum, adalah semikonduktor yang mengandung silikon dan karbon dengan rumus kimia SiC.SiC digunakan dalam perangkat elektronik semikonduktor yang beroperasi pada suhu tinggi atau tegangan tinggi, atau keduanya.SiC juga merupakan salah satu komponen LED yang penting, merupakan substrat populer untuk menumbuhkan perangkat GaN, dan juga berfungsi sebagai penyebar panas pada suhu tinggi. LED daya.
| Properti | 4H-SiC, Kristal Tunggal | 6H-SiC, Kristal Tunggal |
| Parameter Kisi | a=3,076 c=10,053 | a=3,073 c=15,117 |
| Urutan Penumpukan | ABCB | ABCACB |
| Kekerasan Mohs | 9.2 | 9.2 |
| Kepadatan | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Satuan panas.Koefisien Ekspansi | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Indeks Refraksi @750nm | tidak = 2,61 | tidak = 2.60 |
| Konstanta Dielektrik | c~9,66 | c~9,66 |
| Konduktivitas Termal (tipe-N, 0,02 ohm.cm) | a~4.2 W/cm·K@298K | |
| Konduktivitas Termal (Semi-isolasi) | a~4.9 W/cm·K@298K | a~4.6 W/cm·K@298K |
| celah pita | 3,23 eV | 3,02 eV |
| Medan Listrik Break-Down | 3-5 × 106V / cm | 3-5 × 106V / cm |
| Kecepatan Drift Saturasi | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Spesifikasi Substrat Silicon Carbide (SiC) berdiameter 4 inci dengan kemurnian tinggi
Tipe 4H-N / wafer/ingot SiC Kemurnian Tinggi 2 inci 4H N-Type SiC wafer/ingot Wafer SiC Tipe-N 3 inci 4H 4 inci 4H N-Type SiC wafer/ingot 6 inci 4H N-Type SiC wafer/ingot | Wafer SiC semi-isolasi 2 inci 4H Wafer SiC semi-isolasi 3 inci 4H Wafer SiC semi-isolasi 4 inci 4H Wafer SiC semi-isolasi 6 inci 4H |
Wafer SiC Tipe-N 6H 2 inci 6H N-Type SiC wafer/ingot | Ukuran yang disesuaikan untuk 2-6 inci |
Tentang Perusahaan ZMKJ
ZMKJ dapat menyediakan wafer SiC kristal tunggal ( Silicon Carbide ) berkualitas tinggi untuk industri elektronik dan optoelektronik .wafer SiC adalah bahan semikonduktor generasi berikutnya , dengan sifat listrik yang unik dan sifat termal yang sangat baik , dibandingkan dengan wafer silikon dan wafer GaAs , wafer SiC lebih cocok untuk aplikasi perangkat suhu tinggi dan daya tinggi .Wafer SiC dapat disuplai dengan diameter 2-6 inci, baik SiC 4H dan 6H, tipe-N, doping Nitrogen, dan tipe semi-isolasi tersedia.Silahkan hubungi kami untuk informasi produk lebih lanjut.
Produk Hubungan Kami
Lensa wafer safir/ Kristal LiTaO3/ wafer SiC/ LaAlO3 / SrTiO3/ wafer/ Bola Ruby