Polished Undoped 4h Semi Sic Single Crystal Rod Lens dengan kemurnian tinggi

Penerapan SiC

Kristal SiC adalah bahan semikonduktor celah pita lebar yang penting.Karena konduktivitas termal yang tinggi, laju hanyut elektron yang tinggi, kekuatan medan kerusakan yang tinggi, dan sifat fisik dan kimia yang stabil, ia banyak digunakan pada suhu tinggi, dalam perangkat elektronik frekuensi tinggi dan daya tinggi.Ada lebih dari 200 jenis kristal SiC yang telah ditemukan sejauh ini.Di antara mereka, kristal 4H- dan 6H-SiC telah dipasok secara komersial.Mereka semua termasuk dalam kelompok titik 6mm dan memiliki efek optik nonlinier orde kedua.Kristal SiC semi-isolasi terlihat dan sedang.Pita inframerah memiliki transmitansi yang lebih tinggi.Oleh karena itu, perangkat optoelektronik berbasis kristal SiC sangat cocok untuk aplikasi di lingkungan ekstrim seperti suhu tinggi dan tekanan tinggi.Kristal 4H-SiC semi-isolasi telah terbukti menjadi jenis baru dari kristal optik nonlinier mid-inframerah.Dibandingkan dengan kristal optik nonlinier inframerah-tengah yang umum digunakan, kristal SiC memiliki celah pita lebar (3,2eV) karena kristal tersebut., Konduktivitas termal yang tinggi (490W/m·K) dan energi ikatan yang besar (5eV) antara Si-C, sehingga kristal SiC memiliki ambang kerusakan laser yang tinggi.Oleh karena itu, kristal 4H-SiC semi-isolasi sebagai kristal konversi frekuensi nonlinier memiliki keunggulan nyata dalam menghasilkan laser inframerah-tengah berdaya tinggi.Jadi, di bidang laser berdaya tinggi, kristal SiC adalah kristal optik nonlinier dengan prospek aplikasi yang luas.Namun, penelitian saat ini berdasarkan sifat nonlinier kristal SiC dan aplikasi terkait belum selesai.Karya ini mengambil sifat optik nonlinier kristal 4H- dan 6H-SiC sebagai konten penelitian utama, dan bertujuan untuk memecahkan beberapa masalah dasar kristal SiC dalam hal sifat optik nonlinier, sehingga dapat mempromosikan penerapan kristal SiC di lapangan. optik nonlinier.Serangkaian pekerjaan terkait telah dilakukan secara teoritis dan eksperimental, dan hasil penelitian utama adalah sebagai berikut: Pertama, sifat optik dasar nonlinier kristal SiC dipelajari.Refraksi suhu variabel dari kristal 4H- dan 6H-SiC pada pita inframerah tampak dan inframerah tengah (404.7nm～2325.4nm) diuji, dan persamaan Sellmier dari indeks bias suhu variabel dipasang.Teori model osilator tunggal digunakan untuk menghitung dispersi koefisien termo-optik.Penjelasan teoritis diberikan;pengaruh efek termo-optik pada pencocokan fase kristal 4H- dan 6H-SiC dipelajari.Hasil penelitian menunjukkan bahwa pencocokan fasa kristal 4H-SiC tidak dipengaruhi oleh suhu, sedangkan kristal 6H-SiC masih belum dapat mencapai pencocokan fasa suhu.kondisi.Selain itu, faktor penggandaan frekuensi kristal 4H-SiC semi-isolasi diuji dengan metode Maker fringe.Kedua, generasi parameter optik femtosecond dan kinerja amplifikasi kristal 4H-SiC dipelajari.Pencocokan fase, pencocokan kecepatan grup, sudut non-kolinier terbaik, dan panjang kristal terbaik dari kristal 4H-SiC yang dipompa oleh laser femtosecond 800nm ​​dianalisis secara teoritis.Menggunakan laser femtosecond dengan panjang gelombang keluaran 800nm ​​oleh laser Ti:Sapphire sebagai sumber pompa, menggunakan teknologi amplifikasi parametrik optik dua tahap, menggunakan kristal 4H-SiC semi-isolasi setebal 3,1mm sebagai kristal optik nonlinier, di bawah pencocokan fase 90 °, Untuk pertama kalinya, laser inframerah-tengah dengan panjang gelombang pusat 3750nm, energi pulsa tunggal hingga 17μJ, dan lebar pulsa 70fs diperoleh secara eksperimental.Laser femtosecond 532nm digunakan sebagai lampu pompa, dan kristal SiC disesuaikan fase 90° untuk menghasilkan cahaya sinyal dengan panjang gelombang pusat keluaran 603nm melalui parameter optik.Ketiga, dipelajari kinerja pelebaran spektral kristal 4H-SiC semi-isolasi sebagai media optik nonlinier.Hasil eksperimen menunjukkan bahwa lebar setengah maksimum dari spektrum yang diperluas meningkat dengan panjang kristal dan insiden kerapatan daya laser pada kristal.Peningkatan linier dapat dijelaskan dengan prinsip modulasi fase diri, yang terutama disebabkan oleh perbedaan indeks bias kristal dengan intensitas cahaya datang.Pada saat yang sama, dianalisis bahwa dalam skala waktu femtosecond, indeks bias nonlinier kristal SiC mungkin terutama dikaitkan dengan elektron terikat dalam kristal dan elektron bebas di pita konduksi;dan teknologi z-scan digunakan untuk mempelajari kristal SiC di bawah laser 532nm.Penyerapan non-linier dan non

kinerja indeks bias linier.

6inci Spesifikasi Substrat 4H-SiC Semi-isolasi Kemurnian Tinggi