SiC Silicon Carbide
2/3/4/6/8 Inch Dummy Prime Grade 4H-N SIC Silicon Carbide Wafer
Double Side Polish Silicon Carbide Wafer 2-6'' 4H N - Doped SiC Wafers
-
3 inci InP Indium Fosfida Substrat N-Type Semikonduktor VGF metode pertumbuhan 111 100 orientasi
Hubungi sekarang -
Wafer silikon ketebalan 4 inci 500+/-20 Resistivitas 1-10 ohm·cm Orientasi100 double side polish
Hubungi sekarang -
Epi siap wafer InP 4 inci tipe N tipe p EPF < 1000cm ^ 2 dengan ketebalan 325um± 50um
Hubungi sekarang -
Silikon Wafer CZ orientasi111 Resistivitas: 1-10 (ohm.cm) sisi tunggal atau sisi ganda polish
Hubungi sekarang -
Kerucut laser safir berukuran kecil digunakan dalam pemotongan laser, laser medis, dan penelitian ilmiah.
Hubungi sekarang
Video Terkait
Sapphire materials colorful sapphire ruby blue #5 doped Fe+, Ti+, Cr+, and undoped
Video Lainnya
August 03, 2022
