 |
LNOI
Detail produk:
| Place of Origin: | China |
| Nama merek: | ZMSH |
| Model Number: | 2”/3”/4”/6“/8” |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Minimum Order Quantity: | 2 |
|---|---|
| Delivery Time: | 2-3 weeks |
| Payment Terms: | T/T |
|
Informasi Detail |
|||
| Material: | Optical Grade LiNbO3 wafes | Diameter/size: | 2”/3”/4”/6“/8” |
|---|---|---|---|
| Cutting Angle: | X/Y/Z etc | TTV: | <3μm |
| Bow: | -30| Warp: |
<40μm |
|
Deskripsi Produk
Memperkenalkan
Kristal LiNbO3 banyak digunakan sebagai pendua frekuensi untuk panjang gelombang > 1um dan osilator parameter optik (OPO) yang dipompa pada 1064 nm serta perangkat quasi-fase-matched (QPM).Karena koefisien Elector-Optic (EO) dan Acousto-Optic (AO) yang besar, kristal LiNbO3 adalah bahan yang paling umum digunakan untuk sel Pockel, Q-switch dan modulator fase, substrat pembimbing gelombang, dan wafer gelombang akustik permukaan (SAW), dll.
Pengalaman kami yang banyak dalam tumbuh dan produksi massal untuk Lithium Niobate kelas optik pada kedua bola dan wafer.,semua produk jadi lulus dari pengujian curie temp dan inspeksi QC. semua wafer berada di bawah kontrol kualitas yang ketat dan diperiksa.Dan juga di bawah pembersihan permukaan yang ketat dan kontrol datar juga.
Spesifikasi
| Bahan | Optik Kelas LiNbO3 wafes ((Bodas atau Hitam) | |
| Curie Temp | 1142 ± 0,7°C | |
| Pemotongan Sudut | X/Y/Z dll | |
| Diameter/ukuran | 2/3/4/6/8 | |
| Tol ((±) | < 0,20 mm ± 0,005 mm | |
| Ketebalan | 0.18·0,5mm atau lebih | |
| Utama Lemparan | 16mm/22mm/32mm | |
| TTV | 3 μm | |
| Bersujudlah | - 30 | |
| Warp | < 40μm | |
| Orientasi Lemparan | Semua tersedia | |
| Permukaan Jenis | Satu sisi dipoles (SSP) / Dua sisi dipoles (DSP) | |
| Dipoli sisi Ra | < 0,5 nm | |
| S/D | 20/10 | |
| Pintu Kriteria | R=0,2mm tipe C atau Bullnose | |
| Kualitas | Bebas dari retak (gelembung dan inklusi) | |
| Optik didop | Mg/Fe/Zn/MgO dll untuk wafer kelas optik LN< per diminta | |
| Wafer Permukaan Kriteria | Indeks refraksi | No=2.2878/Ne=2.2033 @632nm panjang gelombang/prisma metode kopling. |
| Kontaminasi, | Tidak ada | |
| Partikel c> 0,3μ m | <= 30 | |
| Goresan, mengiris | Tidak ada | |
| Cacat | Tidak ada retakan tepi, goresan, bekas gergaji, noda | |
| Kemasan | Qty/Kotak Wafer | 25 pcs per kotak |
Properti
Pembuatan wafer Lithium Niobate on Insulator (LNOI) melibatkan serangkaian langkah canggih yang menggabungkan ilmu material dan teknik pembuatan canggih.Proses ini bertujuan untuk menciptakan, film lithium niobate (LiNbO3) berkualitas tinggi yang diikat ke substrat isolasi, seperti silikon atau lithium niobate itu sendiri.
Tahap 1: Implantasi Ion
Langkah pertama dalam produksi wafer LNOI melibatkan implantasi ion. Kristal niobat lithium massal dikenakan ion helium (He) energi tinggi yang disuntikkan ke permukaannya.Mesin implan ion mempercepat ion helium, yang menembus kristal lithium niobate ke kedalaman tertentu.
Energi ion helium dikendalikan dengan hati-hati untuk mencapai kedalaman yang diinginkan dalam kristal.menyebabkan gangguan atom yang menyebabkan pembentukan pesawat yang melemah, yang dikenal sebagai "lapisan implantasi". Lapisan ini akhirnya akan memungkinkan kristal untuk dipecah menjadi dua lapisan yang berbeda,di mana lapisan atas (disebut sebagai Lapisan A) menjadi film niobat lithium tipis yang dibutuhkan untuk LNOI.
Ketebalan film tipis ini secara langsung dipengaruhi oleh kedalaman implantasi, yang dikendalikan oleh energi ion helium.yang sangat penting untuk memastikan keseragaman dalam film akhir.
Langkah 2: Persiapan substrat
Setelah proses implantasi ion selesai, langkah selanjutnya adalah mempersiapkan substrat yang akan mendukung film niobat lithium tipis.bahan substrat umum termasuk silikon (Si) atau lithium niobate (LN) itu sendiriSubstrat harus memberikan dukungan mekanis untuk film tipis dan memastikan stabilitas jangka panjang selama langkah-langkah pengolahan berikutnya.
Untuk mempersiapkan substrat, a SiO₂ (silicon dioxide) insulating layer is typically deposited onto the surface of the silicon substrate using techniques such as thermal oxidation or PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)Lapisan ini berfungsi sebagai media isolasi antara film lithium niobate dan substrat silikon.proses Chemical Mechanical Polishing (CMP) diterapkan untuk memastikan bahwa permukaan adalah seragam dan siap untuk proses ikatan.
Langkah 3: Pengikatan Film Ringan
Setelah mempersiapkan substrat, langkah selanjutnya adalah untuk mengikat film niobat lithium tipis (Layer A) ke substrat.diputar 180 derajat dan ditempatkan pada substrat yang disiapkanProses ikatan biasanya dilakukan dengan menggunakan teknik ikatan wafer.
Dalam ikatan wafer, kristal niobat lithium dan substratnya ditempatkan pada tekanan dan suhu tinggi, yang menyebabkan kedua permukaan menempel dengan kuat.Proses ikatan langsung biasanya tidak memerlukan bahan perekatUntuk tujuan penelitian, benzocyclobutene (BCB) dapat digunakan sebagai bahan pengikat perantara untuk memberikan dukungan tambahan,meskipun biasanya tidak digunakan dalam produksi komersial karena stabilitas jangka panjangnya yang terbatas.
Langkah 4: Penggilingan dan Pembagian Lapisan
Setelah proses ikatan, wafer ikatan menjalani perawatan pengelasan. Pengelasan sangat penting untuk meningkatkan kekuatan ikatan antara lapisan niobat lithium dan substrat,juga untuk memperbaiki kerusakan yang disebabkan oleh proses implan ion.
Selama penggilingan, wafer yang diikat dipanaskan ke suhu tertentu dan dipertahankan pada suhu tersebut untuk jangka waktu tertentu.Proses ini tidak hanya memperkuat ikatan antarmuka tetapi juga menginduksi pembentukan microbubbles di lapisan ion yang ditanamGelembung-gelembung ini secara bertahap menyebabkan lapisan lithium niobate (Layer A) terpisah dari kristal lithium niobate bulk asli (Layer B).
Setelah pemisahan terjadi, alat mekanis digunakan untuk memisahkan kedua lapisan, meninggalkan film niobat lithium tipis dan berkualitas tinggi (Layer A) di substrat.Suhu secara bertahap dikurangi ke suhu kamar, menyelesaikan proses penggilingan dan pemisahan lapisan.
Langkah 5: Planarisasi CMP
Setelah lapisan lithium niobate dipisahkan, permukaan wafer LNOI biasanya kasar dan tidak merata.wafer mengalami proses Chemical Mechanical Polishing (CMP) akhirCMP meluruskan permukaan wafer, menghilangkan kekasaran yang tersisa dan memastikan bahwa film tipis rata.
Proses CMP sangat penting untuk mendapatkan finishing berkualitas tinggi pada wafer, yang sangat penting untuk pembuatan perangkat berikutnya.sering dengan kasar (Rq) kurang dari 0.5 nm yang diukur dengan Mikroskopi Kekuatan Atom (AFM).
Aplikasi wafer LNOI
Wafer LNOI (Lithium Niobate on Insulator) digunakan dalam berbagai aplikasi canggih karena sifatnya yang luar biasa,termasuk koefisien optik nonlinier yang tinggi dan karakteristik mekanik yang kuatDalam optik terintegrasi, wafer LNOI sangat penting untuk menciptakan perangkat fotonik seperti modulator, pendorong gelombang, dan resonators, yang penting untuk memanipulasi cahaya dalam sirkuit terintegrasi.Dalam telekomunikasi, wafer LNOI banyak digunakan dalam modulator optik, yang memungkinkan transmisi data berkecepatan tinggi dalam jaringan serat optik.Wafer LNOI memainkan peran penting dalam menghasilkan pasangan foton yang terjerat, yang mendasar untuk distribusi kunci kuantum (QKD) dan komunikasi aman.di mana mereka digunakan untuk membuat sensor optik dan akustik yang sangat sensitif untuk pemantauan lingkunganAplikasi yang beragam ini membuat wafer LNOI menjadi bahan kunci dalam pengembangan teknologi generasi berikutnya di berbagai bidang.
FAQ
T: Apa itu LNOI?
A: LNOI adalah singkatan dari Lithium Niobate on Insulator.Ini mengacu pada jenis wafer yang memiliki lapisan tipis lithium niobate (LiNbO3) yang terikat pada substrat isolasi seperti silikon atau bahan isolasi lainnyaWafer LNOI mempertahankan sifat optik, piezoelektrik, dan piroelektrik yang sangat baik dari lithium niobate, menjadikannya ideal untuk digunakan dalam berbagai teknologi fotonik, telekomunikasi, dan kuantum.
T: Apa aplikasi utama wafer LNOI?
A:Wafer LNOI digunakan dalam berbagai aplikasi, termasuk optik terintegrasi untuk perangkat fotonik, modulator optik dalam telekomunikasi, generasi foton terjalin dalam komputasi kuantum,dan dalam sensor untuk pengukuran optik dan akustik dalam pemantauan lingkungan, diagnostik medis, dan pengujian industri.
T: Bagaimana wafer LNOI diproduksi?
A:Pembuatan wafer LNOI melibatkan beberapa langkah, termasuk implan ion, ikatan lapisan lithium niobate ke substrat (biasanya silikon), penggilingan untuk pemisahan,dan chemical mechanical polishing (CMP) untuk mencapaiImplansi ion menciptakan lapisan tipis dan rapuh yang dapat dipisahkan dari kristal lithium niobate,Lithium niobate film berkualitas tinggi pada substrat.
Produk terkait
Lithium Niobate (LiNbO3) Kristal EO/PO Komponen Pertahanan Telekomunikasi Frekuensi Tinggi SAW
SiC-on Insulator SiCOI Substrat Konduktivitas Termal Tinggi Bandgap lebar