• Si Wafer / Substrat Ketebalan 8 inci 675-775 μm, Tipe P/N, Orientasi 111, Double / Single Side Polished
  • Si Wafer / Substrat Ketebalan 8 inci 675-775 μm, Tipe P/N, Orientasi 111, Double / Single Side Polished
  • Si Wafer / Substrat Ketebalan 8 inci 675-775 μm, Tipe P/N, Orientasi 111, Double / Single Side Polished
  • Si Wafer / Substrat Ketebalan 8 inci 675-775 μm, Tipe P/N, Orientasi 111, Double / Single Side Polished
  • Si Wafer / Substrat Ketebalan 8 inci 675-775 μm, Tipe P/N, Orientasi 111, Double / Single Side Polished
Si Wafer / Substrat Ketebalan 8 inci 675-775 μm, Tipe P/N, Orientasi 111, Double / Single Side Polished

Si Wafer / Substrat Ketebalan 8 inci 675-775 μm, Tipe P/N, Orientasi 111, Double / Single Side Polished

Detail produk:

Tempat asal: Cina
Nama merek: ZMSH
Nomor model: SI WAFER

Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:

Waktu pengiriman: 2-4 minggu
Syarat-syarat pembayaran: T/T
Harga terbaik Kontak

Informasi Detail

Diameter: 8 inci (200mm) Orientasi Kristal: 111
Ketebalan: 675 mikron hingga 775 mikron Resistivitas: 1-1000Ω·cm
Jenis Doping: Tipe-P/Tipe-N RMS: <1nm
TTV: <20 µm Konduktivitas termal: Sekitar 150 W/(m·K)
Konsentrasi Oksigen: <10 ppm
Menyoroti:

8-Inch Si Wafer

,

Wafer Si yang dipoles sisi ganda

,

Wafer Si yang dipoles satu sisi

Deskripsi Produk

8inch Si Wafer Si Substrate 111 Polishing P Type N Type Semikonduktor untuk sistem Mikro-elektromekanik (MEMS) atau perangkat semikonduktor daya atau komponen optik dan sensor

 

8-Inch Silicon Wafer dengan (111) Kristal Orientasi

 

Wafer silikon 8 inci dengan orientasi kristal (111) adalah komponen penting dalam industri semikonduktor, yang banyak digunakan dalam aplikasi canggih seperti power electronics,Sistem mikroelektromekanik (MEMS)Wafer ini terbuat dari silikon kemurnian tinggi, dan orientasi kristalnya yang unik (111) memberikan spesifikasi listrik, mekanik,dan sifat termal yang penting untuk proses semikonduktor tertentu dan desain perangkat.

Apa itu Silicon Wafer?

Wafer silikon adalah cakram tipis dan datar yang terbuat dari kristal silikon kemurnian tinggi.Wafer mengalami berbagai langkah pengolahan seperti oksidasi, fotolitografi, etching, dan doping untuk membuat sirkuit yang rumit yang digunakan dalam berbagai perangkat elektronik.

Orientasi Kristal dan Pentingnya

Peraturan orientasi kristal wafer silikon mengacu pada susunan atom silikon dalam kisi kristal. biasanya diwakili oleh indeks Miller, seperti (100), (110), dan (111).Orientasi (111) dalam wafer silikon berarti bahwa atom diselaraskan ke arah tertentu dalam struktur kristalOrientasi ini secara signifikan mempengaruhi sifat fisik wafer, seperti energi permukaan, karakteristik etching, dan mobilitas pembawa, yang sangat penting untuk mengoptimalkan kinerja perangkat.

Keuntungan dari (111) Crystal Orientation:

  1. Peningkatan Sifat Listrik: Orientasi (111) biasanya menawarkan konduktivitas termal dan kinerja listrik yang lebih baik, terutama pada perangkat semikonduktor daya.
  2. Dioptimalkan untuk Perangkat Daya: Orientasi wafer (111) lebih disukai dalam perangkat semikonduktor daya karena tegangan pemecahan yang tinggi, disipasi panas yang sangat baik, dan stabilitas di bawah tegangan tinggi.
  3. Pengelolaan Panas yang Lebih Baik: Kristal (111) memberikan konduksi panas yang lebih baik, yang penting untuk aplikasi bertenaga tinggi seperti transistor dan dioda.
  4. Morfologi Permukaan yang Lebih Baik: Permukaan (111) cenderung menunjukkan permukaan yang lebih halus, yang ideal untuk proses pembuatan mikro tertentu dan perangkat MEMS.

Spesifikasi dari 8-Inch (111) Silicon Wafer

  1. Diameter: Wafer silikon 8 inci (200 mm) adalah ukuran standar yang digunakan dalam pembuatan semikonduktor.membuatnya hemat biaya untuk produksi massal.
  2. Ketebalan: Ketebalan khas wafer silikon 8 inci (111) adalah sekitar 675-775 mikron (μm), meskipun ketebalan dapat bervariasi tergantung pada kebutuhan pelanggan tertentu.
  3. Resistivitas: Resistivitas wafer sangat penting untuk menentukan karakteristik listriknya. resistivitas biasanya berkisar dari 1 Ω·cm sampai 1000 Ω·cm, dengan doping tipe N dan tipe P mempengaruhi nilai ini.Resistivitas dapat disesuaikan untuk memenuhi permintaan berbagai aplikasi, seperti elektronik daya atau sel fotovoltaik.
  4. Jenis doping: Wafer silikon dapat di-dop dengan kotoran tipe P atau tipe N, seperti bor (tipe P) atau fosfor (tipe N), untuk mengontrol konduktivitas listriknya.Wafer tipe N sering disukai untuk aplikasi efisiensi tinggi seperti sel fotovoltaik karena mobilitas elektron yang ditingkatkan.
  5. Kualitas Permukaan: Permukaan wafer dipoles hingga sangat halus, dengan kekasaran (RMS) kurang dari 1 nm.Hal ini memastikan bahwa wafer cocok untuk pengolahan yang tepat yang diperlukan dalam pembuatan semikonduktorTotal Variasi Ketebalan (TTV) biasanya di bawah 20 μm, memastikan keseragaman di seluruh wafer.
  6. Datar atau Notch: Untuk memudahkan orientasi selama pemrosesan perangkat, wafer biasanya ditandai dengan datar atau cetakan di tepi, menunjukkan orientasi kristal dari (111).Hal ini membantu dalam menyelaraskan wafer selama fotolitografi dan etching tahap.

Aplikasi dari 8-Inch (111) Silicon Wafers

  1. Perangkat Semikonduktor Daya: Wafer silikon 8 inci (111) banyak digunakan dalam perangkat daya seperti dioda, transistor, dan MOSFET daya (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors).Perangkat ini sangat penting untuk menangani tegangan tinggi dan arus dalam aplikasi seperti kendaraan listrik (EV), sistem energi terbarukan (seperti tenaga surya dan angin), dan jaringan listrik.

  2. Sistem Mikroelektromekanik (MEMS): Perangkat MEMS, yang menggabungkan komponen mekanik dan listrik pada satu chip, mendapat manfaat dari orientasi (111) karena kekuatan mekanik, presisi, dan sifat permukaannya.Perangkat MEMS digunakan dalam berbagai aplikasi seperti sensor, aktuator, akselerometer, dan gyroskop yang ditemukan dalam otomotif, medis, dan elektronik konsumen.

  3. Sel fotovoltaik (matahari): Orientasi (111) dapat meningkatkan kinerja sel surya berbasis silikon.Mobilitas elektron wafer yang unggul dan sifat penyerapan cahaya yang efisien membuatnya cocok untuk panel surya efisiensi tinggi, dimana tujuannya adalah untuk mengubah sinar matahari sebanyak mungkin menjadi energi listrik.

  4. Perangkat Optoelektronik: Wafer silikon (111) juga digunakan dalam perangkat optoelektronik, termasuk sensor cahaya, fotodetektor, dan laser.Struktur kristal berkualitas tinggi dan sifat permukaan mendukung presisi tinggi yang dibutuhkan dalam aplikasi ini.

  5. IC Berkinerja Tinggi: Beberapa sirkuit terpadu (IC) berkinerja tinggi, termasuk yang digunakan dalam aplikasi RF (frekuensi radio) dan sensor,menggunakan (111) wafer silikon berorientasi untuk memanfaatkan sifat fisik yang unik.

Gambar aplikasi wafer Si

Si Wafer / Substrat Ketebalan 8 inci 675-775 μm, Tipe P/N, Orientasi 111, Double / Single Side Polished 0Si Wafer / Substrat Ketebalan 8 inci 675-775 μm, Tipe P/N, Orientasi 111, Double / Single Side Polished 1

Si Wafer / Substrat Ketebalan 8 inci 675-775 μm, Tipe P/N, Orientasi 111, Double / Single Side Polished 2   Si Wafer / Substrat Ketebalan 8 inci 675-775 μm, Tipe P/N, Orientasi 111, Double / Single Side Polished 3

Proses Produksi

Proses manufaktur untuk wafer silikon 8 inci (111) biasanya melibatkan beberapa langkah kunci:

  1. Pertumbuhan Kristal: Silikon kemurnian tinggi dilebur dan tumbuh menjadi kristal tunggal besar menggunakan metode seperti proses Czochralski.
  2. Pemotongan Wafer: Kristal silikon dipotong menjadi cakram tipis dan datar dengan diameter yang dibutuhkan.
  3. Memulihkan dan Membersihkan: Wafer dipoles hingga halus, seperti cermin untuk menghilangkan cacat permukaan dan kontaminasi.
  4. Inspeksi dan Kontrol Kualitas: Wafer diperiksa secara ketat untuk cacat, variasi ketebalan, dan orientasi kristal menggunakan peralatan metrologi canggih.

Kesimpulan

Wafer silikon 8 inci (111) adalah bahan yang sangat khusus yang memainkan peran penting dalam berbagai teknologi canggih.termal, dan sifat mekanik, membuatnya ideal untuk perangkat semikonduktor bertenaga tinggi, MEMS, fotovoltaik, dan optoelektronik.dan jenis doping, wafer ini dapat disesuaikan untuk memenuhi kebutuhan khusus dari aplikasi yang berbeda, berkontribusi pada kemajuan elektronik modern dan solusi energi.

Ingin Tahu lebih detail tentang produk ini
Si Wafer / Substrat Ketebalan 8 inci 675-775 μm, Tipe P/N, Orientasi 111, Double / Single Side Polished bisakah Anda mengirimkan saya lebih banyak detail seperti jenis, ukuran, jumlah, bahan, dll.
Terima kasih!
Menunggu jawaban Anda.