 |
InP DFB Epiwafer panjang gelombang 1390nm InP substrat 2 4 6 inci untuk 2.5 ~ 25G DFB laser diode
Detail produk:
| Place of Origin: | China |
| Nama merek: | ZMSH |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Delivery Time: | 2-4weeks |
|---|---|
| Payment Terms: | T/T |
|
Informasi Detail |
|||
| PL Wavelength control: | Better than 3nm | PLWavelength uniformity: | Std, Dev better than inm @inner 42mm |
|---|---|---|---|
| Thickness control: | Better than ±3% | Thickness uniformity: | Better than ±3% @inner 42mm |
| Doping control: | Better than ±10% | P-InP doping (cm-*): | Zn doped: 5e17 to 2e18 |
| N-InP doping (cm 3): | Si doped: 5e17 to 3e18 | Doping AllnGaAs (cm3): | 1e17 hingga 2e18 5e17 hingga 1e19 |
| Doping InGaAs (cm·*): | 5e14 hingga 4e19 | ||
| Menyoroti: | 1390nm InP DFB Epiwafer,6 Inch InP Substrate |
||
Deskripsi Produk
InP DFB Epiwafer panjang gelombang 1390nm InP substrat 2 4 6 inci untuk 2.5 ~ 25G DFB laser diode
InP DFB Epiwafer InP substrat singkat
InP DFB Epiwafer yang dirancang untuk aplikasi panjang gelombang 1390nm adalah komponen penting yang digunakan dalam sistem komunikasi optik berkecepatan tinggi, terutama untuk 2.Dioda laser 5 Gbps sampai 25 Gbps DFB (Distributed Feedback)Wafer ini dibudidayakan pada substrat Indium Phosphide (InP) menggunakan teknik MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) yang canggih untuk mencapai lapisan epitaxial berkualitas tinggi.
Daerah aktif dari laser DFB biasanya dibuat menggunakan InGaAlAs atau InGaAsP quaternary multiple quantum wells (MQW), yang dirancang untuk dikompensasi tegangan.Ini memastikan kinerja optimal dan stabilitas untuk transmisi data berkecepatan tinggiWafer tersedia dalam berbagai ukuran substrat, termasuk 2 inci, 4 inci, dan 6 inci, untuk memenuhi kebutuhan manufaktur yang beragam.
Panjang gelombang 1390nm sangat ideal untuk sistem komunikasi optik yang membutuhkan output mode tunggal yang tepat dengan dispersi dan kerugian rendah,membuatnya sangat cocok untuk jaringan komunikasi jarak menengah dan aplikasi sensingPelanggan dapat menangani pembentukan kisi sendiri atau meminta layanan epihouse, termasuk pertumbuhan kembali untuk kustomisasi lebih lanjut.
Epiwafer ini dirancang khusus untuk memenuhi permintaan sistem telekomunikasi dan komunikasi data modern, memberikan efisien,solusi berkinerja tinggi untuk transceiver optik dan modul laser di jaringan berkecepatan tinggi.
Struktur substrat InP DFB Epiwafer
Hasil uji pemetaan PL substrat InP DFB Epiwafer
Hasil uji XRD & ECV substrat InP DFB Epiwafer
Foto asli substrat InP DFB Epiwafer
Sifat substrat InP DFB Epiwafer
Sifat-sifat Epiwafer DFB InP pada substrat InP
Bahan substrat: Indium Phosphide (InP)
- Pencocokan kisi: InP memberikan pencocokan kisi yang sangat baik dengan lapisan epitaxial seperti InGaAsP atau InGaAlAs, memastikan pertumbuhan epitaxial berkualitas tinggi dengan ketegangan dan cacat minimal,yang penting untuk kinerja laser DFB.
- Bandgap langsung: InP memiliki bandgap langsung 1,344 eV, menjadikannya ideal untuk memancarkan cahaya di spektrum inframerah, terutama pada panjang gelombang seperti 1,3 μm dan 1,55 μm, yang biasa digunakan dalam komunikasi optik.
Lapisan Epitaxial
- Daerah Aktif: Daerah aktif biasanya terdiri dari InGaAsP atau InGaAlAs kuarterary multiple quantum wells (MQW).memastikan rekombinasi lubang elektron yang efisien dan keuntungan optik yang tinggi.
- Lapisan Lapisan: Lapisan-lapisan ini menyediakan pengekang optik, memastikan bahwa cahaya tetap berada di wilayah aktif, meningkatkan efisiensi laser.
- Lapisan kisi: Struktur kisi terintegrasi memberikan umpan balik untuk operasi mode tunggal, memastikan emisi yang stabil dan lebar jalur sempit.Rating dapat diproduksi oleh pelanggan atau ditawarkan oleh pemasok epiwafer.
Panjang Gelombang Operasi:
- 1390nm: Laser DFB dioptimalkan untuk operasi pada 1390nm, yang cocok untuk aplikasi dalam komunikasi optik, termasuk jaringan metro dan jarak jauh.
Kemampuan Modulasi Kecepatan Tinggi:
- Epiwafer dirancang untuk digunakan dalam laser DFB yang mendukung kecepatan transmisi data dari 2,5 Gbps hingga 25 Gbps, menjadikannya ideal untuk sistem komunikasi optik berkecepatan tinggi.
Stabilitas suhu:
- Epiwafer DFB berbasis InP memberikan stabilitas suhu yang sangat baik, memastikan emisi panjang gelombang yang konsisten dan kinerja yang dapat diandalkan dalam lingkungan operasi yang bervariasi.
Modus Tunggal dan Lebar Garis Sempit:
- Laser DFB menawarkan operasi mode tunggal dengan lebar garis spektrum yang sempit, mengurangi gangguan sinyal dan meningkatkan integritas transmisi data, yang penting untuk jaringan komunikasi berkecepatan tinggi.
Epiwafer InP DFB pada substrat InP memberikan pencocokan kisi yang sangat baik, kemampuan modulasi kecepatan tinggi, stabilitas suhu, dan operasi mode tunggal yang tepat,menjadikannya komponen kunci dalam sistem komunikasi optik yang beroperasi pada 1390nm untuk kecepatan data dari 2.5 Gbps sampai 25 Gbps.
Lembar data
Lebih banyak data ada di dokumen PDF kami, silakan klikZMSH DFB input epiwafer.pdf