 |
2 inci 3 inci InP Laser Epitaxial Wafer Indium Fosfida epi Wafer Semikonduktor Sesuai FP laser diode
Detail produk:
| Place of Origin: | China |
| Nama merek: | ZMSH |
| Model Number: | InP Laser Epitaxial Wafe |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Delivery Time: | 2-4weeks |
|---|---|
| Payment Terms: | T/T |
|
Informasi Detail |
|||
| Substrate: | InP Laser Epitaxial Wafe | Polishing: | DSP SSP |
|---|---|---|---|
| PL Wavelength Control:: | Better Than 3nm | PL Wavelength Uniformity:: | Std. Dev Better Than 1nm @inner 42mm |
| P-InP Doping (cm-3):: | Zn Doped; 5e17 To 2e18 | N-InP Doping (cm-3):: | Si Doped; 5e17 To 3e18 |
| Menyoroti: | 2 inci InP Laser Epitaxial Wafer,3 inci InP Laser Epitaxial Wafer,Semikonduktor InP Laser Epitaxial Wafer |
||
Deskripsi Produk
2 inci 3 inci InP Laser Epitaxial Wafer Indium Fosfida epi Wafer Semikonduktor Sesuai FP laser diode
Deskripsi InP Laser Epitaxial Wafer:
Indium Phosphide (InP) adalah bahan semikonduktor kunci yang memungkinkan sistem optik untuk memberikan kinerja yang diperlukan untuk pusat data, backhaul seluler, metro, dan aplikasi jarak jauh.fotodioda dan pemandu gelombang yang diproduksi pada wafer epitaxial inP beroperasi pada jendela transmisi optimal dari serat kaca, yang memungkinkan komunikasi serat yang efisien.
InP laser epitaxial wafer adalah substrat semikonduktor khusus yang terdiri dari beberapa lapisan bahan yang berbeda yang tumbuh pada wafer indium fosfida (InP) melalui teknik pertumbuhan epitaxial.Lapisan tambahan ini dirancang dengan cermat untuk menciptakan struktur yang cocok untuk aplikasi laser.
InP laser epitaxial wafer adalah komponen penting dalam pembuatan laser semikonduktor, termasuk laser edge-emitting dan laser surface-emitting vertical-cavity (VCSEL).Lapisan epitaxial dirancang dengan sifat optik dan listrik tertentu untuk memungkinkan emisi cahaya yang efisien dan amplifikasi, membuat mereka penting dalam berbagai perangkat optoelektronik untuk telekomunikasi, sensing, dan aplikasi lain yang membutuhkan teknologi laser.
Karakter InP Laser Epitaxial Wafer:
Sifat optik:
Panjang gelombang emisi: Panjang gelombang emisi yang dapat disetel dalam spektrum inframerah.
Efisiensi Kuantum Tinggi: Emisi cahaya yang efisien dan sifat amplifikasi.
Koefisien Absorpsi Rendah: Memungkinkan kerugian optik yang rendah di dalam bahan.
Sifat struktural:
Struktur Epitaxial berlapis: Terdiri dari beberapa lapisan bahan semikonduktor yang berbeda yang tumbuh di substrat InP.
Permukaan halus: Permukaan yang seragam dan bebas cacat sangat penting untuk kinerja laser.
Ketebalan yang Dikendalikan: Ketebalan setiap lapisan dikendalikan dengan tepat untuk sifat optik dan listrik tertentu.
Sifat listrik:
Mobilitas pembawa: Mobilitas pembawa yang tinggi untuk transportasi muatan yang efisien.
Densitas Kecacatan Rendah: Beberapa cacat kristal untuk peningkatan kinerja elektronik.
P-N Junction Formation: Kemampuan untuk membentuk junction p-n untuk operasi laser.
Sifat termal:
Konduktivitas termal tinggi: disipasi panas yang dihasilkan secara efisien selama operasi laser.
Stabilitas termal: Mempertahankan integritas struktural di bawah kondisi operasi yang bervariasi.
Kemampuan pembuatan:
Kompatibilitas: Kompatibel dengan proses pembuatan semikonduktor standar.
Persamaan: Sifat yang konsisten di seluruh wafer untuk produksi massal.
Kemampuan penyesuaian: Desain epitaxial yang disesuaikan untuk aplikasi laser tertentu.
Bentuk InP Laser Epitaxial Wafer:
| Parameter Produk | Wafer epitaxial DFB | High Power DFB Epitaxial Wafer | Silicon Photonics Epitaxial Wafer |
| Tingkat | 10G/25G/50G | / | / |
| panjang gelombang | 1310nm | ||
| ukuran | 2/3 inci | ||
| Fitur Produk | CWDM 4/PAM 4 | BH tech | PQ /AlQ DFB |
| PL Kontrol panjang gelombang | Lebih baik dari 3nm | ||
| lPL Keseragaman panjang gelombang | Std.Dev lebih baik dari 1nm @inner | ||
| Kontrol ketebalan | 42mmLebih baik dari +3% | ||
| Persamaan ketebalan | Lebih baik dari +3% @inner 42mm | ||
| Pengendalian doping | Lebih baik dari +10% | ||
| P-lnP doping (cm-3) | Zn doped; 5e17 sampai 2e18 | ||
| Doping N-InP (cm-3) | Si doped; 5e17 sampai 3e18 | ||
Foto fisik dari InP Laser Epitaxial Wafer:
Struktur default lapisan EPl dari InP Laser Epitaxial Wafe:
Aplikasi InP Laser Epitaxial Wafer:
Laser Diode: Cocok untuk laser yang memancarkan tepi dan VCSEL.
Telekomunikasi: Penting untuk sistem komunikasi optik.
Sensing and Imaging: Digunakan dalam sensor optik dan aplikasi pencitraan.
Perangkat medis: Digunakan dalam sistem laser medis.
Gambar aplikasi InP Laser Epitaxial Wafer:
FAQ:
1T: Apa itu wafer epitaxial?
A:Wafer epitaxial (juga disebut epi wafer, epi-wafer, atau epiwafer) adalah wafer dari bahan semikonduktor yang dibuat oleh pertumbuhan epitaxial (epitaxy) untuk digunakan dalam fotonik, mikroelektronik, spintronik,atau fotovoltaik.
2Pertanyaan: Apa keuntungan dari InP?
A: Keuntungan yang berbeda Wafer InP Menawarkan: Mobilitas Elektron Tinggi: InP menunjukkan mobilitas elektron hampir sepuluh kali lebih besar dari silikon,membuatnya sempurna untuk transistor kecepatan tinggi dan penguat dalam telekomunikasi dan sistem radar.
Rekomendasi produk:
1.8inch GaN-on-Si Epitaxy Si Substrate 110 111 110 untuk Reaktor MOCVD Atau Aplikasi Energi RF
2.InP wafer 2inch 3inch 4inch VGF P tipe N tipe Depant Zn S Fe Undoped Prime Grade Testing Grade
Kata kunci: InP Laser Epitaxial Wafe;InP