Bandwidth substrat N-InP 02:2.5G panjang gelombang 1270nm epi wafer untuk FP laser diode

Bandwidth substrat N-InP 02:2.5G panjang gelombang 1270nm epi wafer untuk FP laser diode

N-InP substrat FP Epiwafer's Overview

N-InP Substrate FP Epiwafer kami adalah wafer epitaxial berkinerja tinggi yang dirancang untuk pembuatan dioda laser Fabry-Pérot (FP), yang secara khusus dioptimalkan untuk aplikasi komunikasi optik.Epiwafer ini memiliki substrat N-type Indium Phosphide (N-InP), bahan yang terkenal dengan sifat elektronik dan optoelektroniknya yang sangat baik, membuatnya ideal untuk perangkat kecepatan tinggi dan frekuensi tinggi.

Epiwafer dirancang untuk menghasilkan laser dioda yang beroperasi pada panjang gelombang 1270 nm,yang merupakan panjang gelombang kritis untuk sistem multiplexing divisi panjang gelombang kasar (CWDM) dalam komunikasi serat optikKontrol yang tepat dari komposisi dan ketebalan lapisan epitaxial memastikan kinerja yang optimal, dengan dioda laser FP mampu mencapai bandwidth operasi hingga 2,5 GHz.Bandwidth ini membuat perangkat ini cocok untuk transmisi data berkecepatan tinggi, mendukung aplikasi yang membutuhkan komunikasi yang cepat dan dapat diandalkan.

Struktur rongga Fabry-Pérot (FP) dari dioda laser, difasilitasi oleh lapisan epitaxial berkualitas tinggi pada substrat InP,memastikan produksi cahaya koheren dengan kebisingan minimal dan efisiensi tinggiEpiwafer ini dirancang untuk memberikan kinerja yang konsisten dan dapat diandalkan, menjadikannya pilihan yang sangat baik bagi produsen yang bertujuan untuk memproduksi laser dioda mutakhir untuk telekomunikasi,pusat data, dan lingkungan jaringan berkecepatan tinggi lainnya.

Singkatnya, N-InP Substrate FP Epiwafer kami adalah komponen penting untuk sistem komunikasi optik canggih, menawarkan sifat material yang sangat baik, penargetan panjang gelombang yang tepat,dan bandwidth operasional yang tinggiIni memberikan dasar yang kuat untuk memproduksi dioda laser FP yang memenuhi tuntutan ketat jaringan komunikasi kecepatan tinggi modern.

Sifat-sifat substrat N-InP FP Epiwafer

The N-InP Substrate FP Epiwafer is characterized by a set of specialized properties that make it an ideal choice for the fabrication of Fabry-Pérot (FP) laser diodes used in high-performance optical communication systemsBerikut adalah sifat utama Epiwafer ini:

1. Bahan substrat:

   • Jenis: N-type Indium phosphide (N-InP)
   • Properti: Mobilitas elektron yang tinggi, resistivitas rendah, dan konduktivitas termal yang sangat baik, membuatnya cocok untuk aplikasi elektronik dan optoelektronik berkecepatan tinggi.

1. Lapisan Epitaxial:

   • Teknik Pertumbuhan: Lapisan epitaksial ditanam pada substrat N-InP menggunakan teknik seperti Deposisi Uap Kimia Metal-Organic (MOCVD) atau Epitaxy Balok Molekuler (MBE).
   • Komposisi Lapisan: Kontrol yang tepat dari konsentrasi doping dan komposisi material untuk mencapai sifat elektronik dan optik yang diinginkan.

2. Panjang gelombang:

   • Panjang Gelombang Target: 1270 nm
   • Aplikasi: Ideal untuk multiplexing divisi panjang gelombang kasar (CWDM) dalam sistem komunikasi serat optik.

3. Bandwidth:

   • Bandwidth Operasional: Sampai 2,5 GHz
   • Kinerja: Cocok untuk transmisi data berkecepatan tinggi, memastikan kinerja yang dapat diandalkan dalam telekomunikasi dan jaringan data.

4. Ruang Fabry-Pérot:

   • Struktur: Epiwafer mendukung pembentukan rongga Fabry-Pérot, penting untuk menghasilkan cahaya koheren dengan efisiensi tinggi.
   • Sifat Laser: Menghasilkan dioda laser dengan kebisingan minimal, emisi panjang gelombang stabil, dan daya keluar yang tinggi.

5. Kualitas Permukaan:

   • Pengelasan: Permukaan substrat sangat dipoles untuk meminimalkan cacat, memastikan lapisan epitaxial berkualitas tinggi dengan dislokasi minimal.

6. Sifat Termal:

   • Penyebaran Panas: Konduktivitas termal yang sangat baik dari substrat N-InP mendukung disipasi panas yang efektif, penting untuk menjaga kinerja dioda laser dan umur panjang.

7. Kesesuaian Aplikasi:

   • Perangkat Target: Dirancang untuk dioda laser FP yang digunakan dalam sistem komunikasi optik, pusat data, dan lingkungan jaringan berkecepatan tinggi lainnya.

Sifat-sifat ini secara kolektif berkontribusi pada kemampuan Epiwafer untuk mendukung produksi dioda laser FP berkualitas tinggi,memenuhi tuntutan ketat dari teknologi komunikasi optik modern.

Aplikasi dari N-InP substrat FP Epiwafer

N-InP Substrate FP Epiwafer adalah komponen penting dalam pengembangan perangkat optoelektronik canggih, terutama dioda laser Fabry-Pérot (FP).Sifat-sifatnya membuatnya cocok untuk berbagai aplikasi dalam komunikasi berkecepatan tinggi dan bidang terkaitBerikut adalah aplikasi utama:

1. Sistem komunikasi optik:

   • Transmisi Serat Optik: Epiwafer sangat ideal untuk pembuatan dioda laser FP yang beroperasi pada panjang gelombang 1270 nm, yang umumnya digunakan dalam sistem multiplexing divisi panjang gelombang kasar (CWDM).Sistem ini bergantung pada kontrol panjang gelombang yang tepat untuk mengirimkan beberapa saluran data melalui serat tunggal, meningkatkan bandwidth tanpa perlu serat tambahan.
   • Tautan Data Berkecepatan Tinggi: Wafer ini mendukung dioda laser dengan bandwidth operasi hingga 2,5 GHz, membuatnya cocok untuk aplikasi transmisi data berkecepatan tinggi,termasuk jaringan wilayah metropolitan (MAN) dan jaringan optik jarak jauh.

2. Pusat Data:

   • Interkoneksi: Dioda laser FP yang diproduksi dari Epiwafer ini digunakan dalam interkoneksi optik di pusat data, di mana komunikasi berkecepatan tinggi dan latensi rendah sangat penting.Laser ini memastikan transfer data yang efisien antara server, sistem penyimpanan, dan peralatan jaringan.
   • Infrastruktur Cloud Computing: Karena layanan cloud menuntut kecepatan data yang terus meningkat, dioda laser FP membantu mempertahankan kinerja dan keandalan jaringan pusat data, mendukunglingkungan komputasi terdistribusi.

3. Telekomunikasi:

   • Jaringan 5G: Epiwafer digunakan dalam produksi dioda laser untuk infrastruktur telekomunikasi 5G, di mana kecepatan data yang tinggi dan koneksi yang dapat diandalkan diperlukan.Dioda laser FP menyediakan sinyal optik yang dibutuhkan untuk mentransmisikan data melalui jaringan 5G.
   • FTTx (Fiber to the x): Teknologi ini melibatkan penyebaran jaringan serat optik lebih dekat dengan pengguna akhir (rumah, bisnis), dan dioda laser FP adalah komponen kunci dalam pemancar optik yang digunakan dalam sistem FTTx.

4. Peralatan pengujian dan pengukuran:

   • Analis Spektrum Optik: Dioda laser FP yang diproduksi dari Epiwafer ini digunakan dalam analizer spektrum optik, yang merupakan alat penting untuk pengujian dan pengukuran kinerja sistem komunikasi optik.
   • Optical Coherence Tomography (OCT): Dalam pencitraan medis, khususnya dalam sistem OCT, dioda laser FP menawarkan sumber cahaya yang diperlukan untuk pencitraan jaringan biologis dengan resolusi tinggi.

5. Sensing dan Metrologi:

   • Sensor optik: Keakuratan dan stabilitas dioda laser FP membuatnya cocok untuk digunakan dalam sensor optik untuk pemantauan lingkungan, kontrol proses industri, dan aplikasi biomedis.
   • Sistem Jarak dan Posisi: Dioda laser FP juga digunakan dalam sistem yang membutuhkan pengukuran jarak yang tepat, seperti LIDAR (Light Detection and Ranging) dan teknologi penentuan posisi lainnya.

Kemampuan serbaguna dan karakteristik kinerja tinggi N-InP Substrate FP Epiwafer menjadikannya landasan untuk berbagai teknologi mutakhir dalam komunikasi optik, pusat data,telekomunikasi, dan seterusnya.

Foto dari substrat N-InP FP Epiwafer