 |
InP wafer 2inch 3inch 4inch VGF P tipe N tipe Depant Zn S Fe Undoped Prime Grade Testing Grade
Detail produk:
| Place of Origin: | China |
| Nama merek: | ZMSH |
| Model Number: | InP wafer |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Waktu pengiriman: | 2-4 minggu |
|---|---|
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T |
|
Informasi Detail |
|||
| busur: | <10um, <15um | TTV: | <10um, <15um |
|---|---|---|---|
| Dipoli: | ssp atau dsp | Orientasi: | <100>, <111> |
| Presisi Pengalihan: | ±0,5° | Panjang rata primer: | 16±2mm, 22±2mm, 32,5±2mm |
| Panjang Datar Scondary: | 8±1mm, 11±1mm, 18±1mm | Melengkung: | <15 meter persegi |
| Ukuran: | 2 inci 3 inci 4 inci (ukuran khusus tersedia) | Ketebalan: | 0,35mm, 0,6mm |
| Menyoroti: | 2 inci InP wafer,Wafer InP 3 inci,Wafer InP 4 inci |
||
Deskripsi Produk
InP wafer 2inch 3inch 4inch VGF P tipe N tipe Depant Zn S Fe Undoped Prime Grade Testing Grade
Deskripsi InP Wafer:
Wafer indium fosfida ((wafer InP) dibuat dari indium fosfida yang merupakan semikonduktor biner.InP wafermenawarkan kecepatan elektron yang lebih tinggi daripada sebagian besar semikonduktor populer lainnya seperti silikon.Transistor cepat, dan dioda resonansi terowongan.Wafer InPadalah dalam perangkat elektronik frekuensi tinggi dan daya tinggi.InP waferjuga banyak digunakan dalam komunikasi serat optik berkecepatan tinggi karena indium phosphide memancarkan dan mendeteksi panjang gelombang di atas 1000nm.InP waferjuga digunakan sebagai substrat untuk laser dan fotodioda dalam aplikasi Datacom dan Telecom.InP waferpasar akan menyentuh puncak.Wafer InPakan menjadi wafer yang paling diinginkan untuk digunakan dalam koneksi serat optik, jaringan akses metro-ring, jaringan perusahaan, pusat data, dll. Kami menawarkan 99,99% murniInP waferyang akan paling efisien dan efektif.
Karakter InP Wafer:
1Bandgap: InP memiliki bandgap sempit sekitar 1,35 eV pada suhu kamar, membuatnya cocok untuk aplikasi dalam optoelektronik seperti fotodetektor, laser, dan sel surya.
2Mobilitas Elektron Tinggi: InP memiliki mobilitas elektron yang tinggi dibandingkan dengan bahan semikonduktor lainnya,yang bermanfaat untuk perangkat elektronik berkecepatan tinggi seperti transistor frekuensi tinggi dan sirkuit terintegrasi.
3Konduktivitas termal yang tinggi: InP memiliki konduktivitas termal yang relatif tinggi, yang memungkinkan disipasi panas yang efisien dalam perangkat elektronik bertenaga tinggi.
4Sifat optik: Wafer InP memiliki sifat optik yang sangat baik, termasuk transparansi tinggi di wilayah inframerah, menjadikannya ideal untuk komunikasi optik dan aplikasi sensing.
5Khasiat Kebisingan Rendah: InP menunjukkan karakteristik kebisingan rendah, membuatnya cocok untuk amplifier dan penerima kebisingan rendah dalam sistem komunikasi.
6Stabilitas Kimia: InP secara kimia stabil, yang berkontribusi pada keandalan dalam berbagai lingkungan.
7. Jaring yang Cocok dengan InGaAs: InP adalah jaring yang cocok dengan Indium Gallium Arsenide (InGaAs), memungkinkan pertumbuhan heterostructures berkualitas tinggi untuk perangkat optoelectronic.
8Tegangan Pemecahan Tinggi: Wafer InP memiliki tegangan pemecahan yang tinggi, membuatnya cocok untuk aplikasi daya tinggi dan frekuensi tinggi.
9. Kecepatan Penuh Elektron Tinggi: InP menunjukkan kecepatan penuh elektron yang tinggi, yang bermanfaat untuk perangkat elektronik berkecepatan tinggi.
10Doping: Wafer InP dapat didop untuk menciptakan daerah tipe n dan tipe p, yang memungkinkan pembuatan berbagai jenis perangkat elektronik dan optoelektronik.
Bentuk InP Wafer:
| Bahan | InP |
|---|---|
| Metode Pertumbuhan | LEC,VCZ/P-LEC, VGF, VB |
| Rangka (A) | a=5.869 |
| Struktur | M3 |
| Titik Peleburan | 1600°C |
| Densitas ((g/cm3) | 40,79 g/cm3 |
| Bahan doping |
Un-doped S-doped Zn-doped Fe-doped
|
| Jenis |
N N P N
|
| Konsentrasi pembawa (cm-3) |
(0,4-2) x 1016 (0,8-3) x 1018 (4-6) x 1018
(0,6-2) x 1018
|
| Mobilitas (cm2v-1s-1) |
(3.5-4) x 103 (2.2-2.4) x 103 (1.3-1.6) x 103
|
| EPD (Rata-rata) |
3 x 104. cm2 2 x 103/cm2. 2 x 104/cm2. 3 x 104/cm2
|
Foto fisik InP Wafer:
Aplikasi InP Wafer:
1- Fotonik:
Laser dan Detektor: Dengan bandgap sempit (~ 1,35 elektron volt), InP cocok untuk perangkat seperti laser dan detektor dalam aplikasi fotonik.
Komunikasi Optik: Wafer InP memainkan peran penting dalam sistem komunikasi optik, yang digunakan dalam komponen seperti laser dan modulator untuk serat optik.
2Perangkat Semikonduktor:
Transistor Berkecepatan Tinggi: Mobilitas elektron tinggi dari InP membuatnya menjadi bahan ideal untuk pembuatan transistor berkecepatan tinggi.
Sel surya: Wafer InP menunjukkan kinerja yang baik dalam sel surya, memungkinkan konversi fotovoltaik yang efisien.
3Perangkat gelombang mikro dan RF:
Sirkuit terintegrasi microwave (MIC): Wafer InP digunakan dalam pembuatan sirkuit terintegrasi microwave dan RF, memberikan respons dan kinerja frekuensi tinggi.
Amplifier Low-Noise: Wafer InP menemukan aplikasi penting dalam amplifier low-noise dalam sistem komunikasi.
4Perangkat fotovoltaik:
Sel fotovoltaik: Wafer InP digunakan dalam pembuatan sel fotovoltaik efisiensi tinggi untuk sistem tenaga surya.
5Teknologi sensor:
Sensor optik: Wafer InP memiliki potensi dalam aplikasi sensor optik, yang digunakan dalam berbagai teknologi sensor dan sistem pencitraan.
6. Sirkuit terintegrasi:
Optoelectronic Integrated Circuits: Wafer InP digunakan dalam pembuatan sirkuit terpadu optoelectronic untuk aplikasi dalam komunikasi optik dan sensing.
7Perangkat optik:
Fiber Optic Amplifier: InP wafer memainkan peran penting dalam amplifier serat optik untuk amplifikasi sinyal dan transmisi dalam komunikasi serat optik.
Gambar aplikasi InP Wafer:
Pengaturan:
Berikut adalah beberapa aspek kustomisasi wafer InP:
1Ukuran Wafer: Wafer InP dapat disesuaikan dalam hal diameter (2-inci, 3-inci, 4-inci) dan ketebalan untuk memenuhi kebutuhan spesifik aplikasi.
2Orientasi: Orientasi wafer ((100), (111) A, (111) B) dapat ditentukan berdasarkan orientasi kristal yang diinginkan untuk aplikasi yang dimaksudkan.
3Profil doping: Profil doping khusus dapat dibuat dengan mengontrol konsentrasi dan distribusi dopan (silikon,sulfur) untuk mencapai sifat listrik tertentu yang diperlukan untuk pembuatan perangkat.
4. Kualitas permukaan: Kualitas permukaan wafer dapat disesuaikan untuk memenuhi spesifikasi kekasaran yang diperlukan, memastikan kinerja optimal dalam aplikasi seperti optoelektronika dan fotonik.
5Lapisan epitaksi: Wafer InP dapat disesuaikan dengan lapisan epitaksi bahan lain seperti InGaAs, InAlGaAs, atau InGaAsP untuk menciptakan heterostructures untuk perangkat khusus seperti laser,fotodetektor, dan transistor berkecepatan tinggi.
6Lapisan khusus: Wafer InP dapat dilapisi dengan bahan atau film khusus untuk meningkatkan kinerja mereka dalam aplikasi tertentu, seperti lapisan anti-refleksi untuk perangkat optik.
FAQ:
1T: Apa itu InP semikonduktor?
A: Indium fosfida (InP) mengacu pada semikonduktor biner yang terdiri dari indium (In) dan fosfor (P). Seperti gallium arsenide (GaAs) semikonduktor yang datang dengan struktur kristal zincblende,InP diklasifikasikan di bawah kelompok bahan yang termasuk dalam semikonduktor III-V.
2T: Apa kegunaan dari indium phosphide?
A: Substrat fosfat indium terutama digunakan untuk pertumbuhan struktur yang mengandung paduan ternar (InGaAs) dan kuarter (InGaAsP), yang digunakan untuk pembuatan panjang gelombang panjang (1.3 dan 1.4).55 μm) laser dioda, LED, dan fotodetektor.
3.P: Apa keuntungan dari InP?
A: Mobilitas Elektron Tinggi: InP menunjukkan mobilitas elektron hampir sepuluh kali lebih besar daripada silikon, menjadikannya sempurna untuk transistor dan amplifier berkecepatan tinggi dalam sistem telekomunikasi dan radar.