 |
SiC tipe N pada Wafer Komposisi Si 6 inci 150mm SiC tipe 4H-N Si tipe N atau P
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | ZMSH |
| Nomor model: | SiC tipe N pada Wafer Senyawa Si |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 1 |
|---|---|
| Waktu pengiriman: | 4-6 Minggu |
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T |
|
Informasi Detail |
|||
| Diameter: | 150±0,2 mm | Politipe: | 4 jam |
|---|---|---|---|
| Resistivitas: | 0,015-0,025ohm·cm | Transfer Ketebalan Lapisan SiC: | ≥0,1μm |
| ruang kosong: | ≤5ea/wafer (2mm>D>0,5mm) | Kerontokan bagian depan: | Ra≤0,2nm (5μm*5μm) |
| Orientasi SI: | <111>/<100>/<110> | Tipe Si: | P/n |
| Panjang datar: | 47,5±1,5 mm | Tepi terkelupas, tergores, retak (inspeksi visual): | Tidak ada |
| Menyoroti: | 6 inci SiC pada Si Kompound Wafer,150mm SiC pada Si Kompound Wafer |
||
Deskripsi Produk
SiC tipe N pada Wafer Komposisi Si 6 inci 150mm SiC tipe 4H-N Si tipe N atau P
N-type SiC on Si Compound Wafer abstrak
Karbida silikon tipe N (SiC) pada wafer senyawa silikon (Si) telah menarik perhatian karena aplikasi yang menjanjikan dalam perangkat elektronik bertenaga tinggi dan frekuensi tinggi.Penelitian ini menyajikan pembuatan dan karakteristik SiC tipe N pada wafer senyawa SiDengan menggunakan pembekuan uap kimia (CVD), kami berhasil menumbuhkan lapisan SiC tipe N berkualitas tinggi pada substrat Si,memastikan ketidakcocokan kisi dan cacat minimalIntegritas struktur wafer senyawa dikonfirmasi melalui difraksi sinar-X (XRD) dan analisis mikroskop elektron transmisi (TEM),menunjukkan lapisan SiC seragam dengan kristalinitas yang sangat baikPengukuran listrik menunjukkan mobilitas pembawa yang unggul dan mengurangi resistensi, membuat wafer ini ideal untuk generasi berikutnya elektronik daya.Konduktivitas termal ditingkatkan dibandingkan dengan wafer Si tradisional, berkontribusi pada disipasi panas yang lebih baik dalam aplikasi bertenaga tinggi.Hasilnya menunjukkan bahwa SiC tipe N pada wafer senyawa Si memiliki potensi besar untuk mengintegrasikan perangkat berbasis SiC berkinerja tinggi dengan platform teknologi silikon yang mapan.
Spesifikasi dan Skema Diagram untukSiC tipe N pada wafer senyawa Si
| Artikel | Spesifikasi | Artikel | Spesifikasi |
|---|---|---|---|
| Diameter | 150 ± 0,2 mm | Si Orientasi | <111>/<100>/<110> |
| Tipe SiC | 4H | Tipe Si | P/N |
| Resistensi SiC | 0.015 0.025 Ω·cm | Panjang datar | 47.5 ± 1,5 mm |
| Ketebalan lapisan transfer SiC | ≥ 0,1 μm | Edge Chip, Scratch, Crack (pemeriksaan visual) | Tidak ada |
| Tidak sah | ≤5 ea/wafer (2 mm < D < 0,5 mm) | TTV | ≤ 5 μm |
| Kerontokan bagian depan | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm × 5 μm) | Ketebalan | 500/625/675 ± 25 μm |
SiC tipe N pada foto Wafer Komposisi Si
SiC tipe N pada aplikasi Si Compound Wafer
SiC tipe N pada wafer senyawa Si memiliki berbagai aplikasi karena kombinasi unik dari sifat dari silikon karbida (SiC) dan silikon (Si).Aplikasi ini terutama berfokus pada daya tinggi, perangkat elektronik suhu tinggi dan frekuensi tinggi.
-
Elektronika Daya:
- Perangkat Daya: N-type SiC pada wafer Si digunakan dalam pembuatan perangkat daya seperti dioda, transistor (misalnya, MOSFET, IGBT), dan rectifier.Perangkat-perangkat ini mendapatkan keuntungan dari tegangan pemecahan yang tinggi dan ketahanan SiC yang rendah, sementara substrat Si memungkinkan integrasi yang lebih mudah dengan teknologi berbasis silikon yang ada.
- Konverter dan Inverter: Wafer ini digunakan dalam konverter dan inverter untuk sistem energi terbarukan (misalnya, inverter surya, turbin angin), di mana konversi energi yang efisien dan manajemen panas sangat penting.
-
Elektronik Otomotif:
- Kendaraan Listrik (EV): Pada kendaraan listrik dan hibrida, jenis N SiC pada wafer Si digunakan dalam komponen powertrain, termasuk inverter, konverter, dan pengisi daya onboard.Efisiensi tinggi dan stabilitas termal SiC memungkinkan elektronik daya yang lebih kompak dan efisien, yang mengarah pada kinerja yang lebih baik dan umur baterai yang lebih lama.
- Sistem Pengelolaan Baterai (BMS): Wafer ini juga digunakan dalam BMS untuk mengelola tingkat daya tinggi dan tekanan termal yang terkait dengan pengisian dan pengurangan baterai di EV.
-
Perangkat RF dan Microwave:
- Aplikasi Frekuensi Tinggi: Wafer SiC pada Si tipe N cocok untuk perangkat frekuensi radio (RF) dan gelombang mikro, termasuk amplifier dan osilator, yang digunakan dalam telekomunikasi dan sistem radar.Mobilitas elektron SiC yang tinggi memungkinkan pemrosesan sinyal yang lebih cepat pada frekuensi tinggi.
- Teknologi 5G: Wafer ini dapat digunakan di stasiun dasar 5G dan komponen infrastruktur komunikasi lainnya, di mana penanganan daya tinggi dan operasi frekuensi diperlukan.
-
Aerospace dan Pertahanan:
- Lingkungan yang keras Elektronik: Wafer digunakan dalam aplikasi aerospace dan pertahanan di mana elektronik harus beroperasi secara andal di bawah suhu ekstrim, radiasi, dan tekanan mekanis.Ketahanan suhu tinggi dan daya tahan SiC® membuatnya ideal untuk lingkungan seperti itu.
- Modul Daya untuk Satelit: Dalam modul daya satelit, wafer ini berkontribusi pada pengelolaan energi yang efisien dan keandalan jangka panjang dalam kondisi ruang angkasa.
-
Elektronik Industri:
- Penggerak Motor: Wafer SiC pada Si tipe N digunakan dalam penggerak motor industri, di mana mereka meningkatkan efisiensi dan mengurangi ukuran modul daya,yang mengarah pada konsumsi energi yang lebih rendah dan kinerja yang lebih baik dalam aplikasi industri bertenaga tinggi.
- Smart Grid: Wafer ini merupakan bagian integral dari pengembangan jaringan pintar, di mana konversi dan distribusi daya yang efisien sangat penting untuk mengelola beban listrik dan integrasi energi terbarukan.
-
Perangkat Medis:
- Elektronik Implantable: Biokompatibilitas dan ketahanan SiC, dikombinasikan dengan keuntungan pengolahan Si,membuat wafer ini cocok untuk perangkat medis implan yang membutuhkan keandalan tinggi dan konsumsi daya rendah.
Singkatnya, SiC tipe N pada wafer senyawa Si serbaguna dan penting dalam aplikasi yang menuntut efisiensi tinggi, keandalan, dan kinerja di lingkungan yang menantang,membuat mereka bahan kunci dalam memajukan teknologi elektronik modern.