Nama merek: | ZMSH |
Nomor Model: | SiC tipe N pada Wafer Senyawa Si |
MOQ: | 1 |
Ketentuan Pembayaran: | T/T |
SiC tipe N pada Wafer Komposisi Si 6 inci 150mm SiC tipe 4H-N Si tipe N atau P
N-type SiC on Si Compound Wafer abstrak
Karbida silikon tipe N (SiC) pada wafer senyawa silikon (Si) telah menarik perhatian karena aplikasi yang menjanjikan dalam perangkat elektronik bertenaga tinggi dan frekuensi tinggi.Penelitian ini menyajikan pembuatan dan karakteristik SiC tipe N pada wafer senyawa SiDengan menggunakan pembekuan uap kimia (CVD), kami berhasil menumbuhkan lapisan SiC tipe N berkualitas tinggi pada substrat Si,memastikan ketidakcocokan kisi dan cacat minimalIntegritas struktur wafer senyawa dikonfirmasi melalui difraksi sinar-X (XRD) dan analisis mikroskop elektron transmisi (TEM),menunjukkan lapisan SiC seragam dengan kristalinitas yang sangat baikPengukuran listrik menunjukkan mobilitas pembawa yang unggul dan mengurangi resistensi, membuat wafer ini ideal untuk generasi berikutnya elektronik daya.Konduktivitas termal ditingkatkan dibandingkan dengan wafer Si tradisional, berkontribusi pada disipasi panas yang lebih baik dalam aplikasi bertenaga tinggi.Hasilnya menunjukkan bahwa SiC tipe N pada wafer senyawa Si memiliki potensi besar untuk mengintegrasikan perangkat berbasis SiC berkinerja tinggi dengan platform teknologi silikon yang mapan.
Spesifikasi dan Skema Diagram untukSiC tipe N pada wafer senyawa Si
Artikel | Spesifikasi | Artikel | Spesifikasi |
---|---|---|---|
Diameter | 150 ± 0,2 mm | Si Orientasi | <111>/<100>/<110> |
Tipe SiC | 4H | Tipe Si | P/N |
Resistensi SiC | 0.015 0.025 Ω·cm | Panjang datar | 47.5 ± 1,5 mm |
Ketebalan lapisan transfer SiC | ≥ 0,1 μm | Edge Chip, Scratch, Crack (pemeriksaan visual) | Tidak ada |
Tidak sah | ≤5 ea/wafer (2 mm < D < 0,5 mm) | TTV | ≤ 5 μm |
Kerontokan bagian depan | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm × 5 μm) | Ketebalan | 500/625/675 ± 25 μm |
SiC tipe N pada foto Wafer Komposisi Si
SiC tipe N pada aplikasi Si Compound Wafer
SiC tipe N pada wafer senyawa Si memiliki berbagai aplikasi karena kombinasi unik dari sifat dari silikon karbida (SiC) dan silikon (Si).Aplikasi ini terutama berfokus pada daya tinggi, perangkat elektronik suhu tinggi dan frekuensi tinggi.
Elektronika Daya:
Elektronik Otomotif:
Perangkat RF dan Microwave:
Aerospace dan Pertahanan:
Elektronik Industri:
Perangkat Medis:
Singkatnya, SiC tipe N pada wafer senyawa Si serbaguna dan penting dalam aplikasi yang menuntut efisiensi tinggi, keandalan, dan kinerja di lingkungan yang menantang,membuat mereka bahan kunci dalam memajukan teknologi elektronik modern.