 |
SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX Lapisan 0,4-3 Substrat Orientasi 100 111
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | ZMSH |
| Nomor model: | JADI WAFER |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 1 |
|---|---|
| Waktu pengiriman: | 2-4 minggu |
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T, T/T |
|
Informasi Detail |
|||
| Diameter: | 4 inci 6 inci 8 inci | Dopan: | 100 111 |
|---|---|---|---|
| Jenis: | SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut | Ketebalan (um): | 0,2-150 |
| Keseragaman: | <5% | Lapisan KOTAK: | Ketebalan (um) 0,4-3 |
| Keseragaman: | < 2,5% | Resistivitas: | 0,001-20000 Ohm-cm |
| Menyoroti: | 100 111 SOI Wafer,P BOX Lapisan SOI Wafer,0.4-3 SOI Wafer |
||
Deskripsi Produk
SOI Wafer Silicon On Insulator wafer Dopant P BOX Lapisan 0,4-3 Substrat Orientasi 100 111
SOI wafer's abstrak
SOI (Silicon-On-Insulator) wafer adalah jenis teknologi bahan semikonduktor yang digunakan terutama dalam industri mikroelektronik.Wafer ini dibuat dengan memasukkan lapisan tipis dari bahan isolasi, biasanya silikon dioksida, antara lapisan atas silikon kemurnian tinggi dan substrat silikon. Konfigurasi ini memberikan beberapa keuntungan dibandingkan wafer silikon bulk konvensional.
Foto wafer SOI
Sifat-sifat wafer SOI
Wafer SOI (Silicon-On-Insulator) menunjukkan serangkaian sifat yang berbeda yang membuatnya sangat berharga dalam berbagai aplikasi mikroelektronik berkinerja tinggi dan khusus.Berikut adalah beberapa sifat utama wafer SOI:
-
Isolasi Listrik: Lapisan oksida terkubur (BOX) dalam wafer SOI memberikan isolasi listrik yang sangat baik antara lapisan silikon atas di mana perangkat dibangun dan substrat yang mendasarinya.Isolasi ini membantu dalam mengurangi kapasitas parasit, sehingga meningkatkan kinerja sirkuit berkecepatan tinggi.
-
Mengurangi Konsumsi Listrik: Karena kapasitas parasit yang berkurang dan arus kebocoran, perangkat yang dibangun pada wafer SOI mengkonsumsi lebih sedikit daya dibandingkan dengan yang dibangun pada silikon massal.Sifat ini sangat bermanfaat untuk perangkat portabel dan yang dioperasikan baterai.
-
Kinerja Tinggi: Lapisan silikon atas yang tipis dapat habis sepenuhnya, yang mengarah pada kontrol saluran yang lebih baik dan mengurangi efek saluran pendek pada transistor.Hal ini menghasilkan transistor yang dapat beroperasi pada tegangan ambang rendah dengan arus drive yang lebih tinggi, memungkinkan kecepatan switching yang lebih cepat dan kinerja yang lebih tinggi.
-
Isolasi Termal: Lapisan isolasi juga memberikan tingkat isolasi termal antara lapisan aktif dan substrat.Ini dapat menguntungkan dalam aplikasi di mana panas yang dihasilkan oleh perangkat perlu dibatasi pada lapisan atas, membantu mengelola efek termal lebih efektif.
-
Imunitas yang terikat: Teknologi SOI memberikan kekebalan yang melekat terhadap latch-up, yang merupakan jenis sirkuit pendek yang dapat terjadi pada perangkat silikon massal.Hal ini disebabkan oleh tidak adanya persimpangan p-n antara n-tipe dan p-tipe wilayah yang meluas ke dalam substrat, yang merupakan penyebab khas dari kunci pada perangkat besar.
-
Kekerasan Radiasi: Konfigurasi struktur wafer SOI membuat perangkat yang dibangun di atasnya lebih tahan terhadap efek radiasi seperti Total Ionizing Dose (TID) dan Single Event Upsets (SEU).Sifat ini sangat penting untuk aplikasi ruang angkasa dan lingkungan lain yang terkena tingkat radiasi yang tinggi.
-
Skalabilitas: Teknologi SOI sangat dapat diskalakan, memungkinkan pembuatan perangkat dengan ukuran fitur yang sangat kecil.
-
Kompatibilitas dengan Proses Manufaktur Mainstream: Meskipun menawarkan keuntungan yang unik, wafer SOI masih dapat diproses menggunakan banyak teknik manufaktur yang sama seperti silikon bulk tradisional,yang memfasilitasi integrasi ke dalam jalur produksi yang ada.
Aku tidak tahu.
| Diameter | 4 | 5 ¢ | 6 | 8 | |
|
Lapisan Perangkat |
Dopan | Boron, Fos, Arsenik, Antimon, Tanpa Doping | |||
| Orientasi | <100>, <111> | ||||
| Jenis | SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut | ||||
| Resistivitas | 0.001-20000 Ohm-cm | ||||
| Ketebalan (mm) | 0.2-150 | ||||
| Keseragaman | < 5% | ||||
|
Lapisan BOX |
Ketebalan (mm) | 0.4-3 | |||
| Keseragaman | < 2,5% | ||||
|
Substrat |
Orientasi | <100>, <111> | |||
| Jenis/Dopant | P tipe/Boron, N tipe/Phos, N tipe/As, N tipe/Sb | ||||
| Ketebalan (mm) | 300-725 | ||||
| Resistivitas | 0.001-20000 Ohm-cm | ||||
| Permukaan Selesai | P/P, P/E | ||||
| Particle | < 10@.0.3um | ||||
SOI (Silicon-On-Insulator) wafer adalah jenis teknologi bahan semikonduktor yang digunakan terutama dalam industri mikroelektronik.Wafer ini dibuat dengan memasukkan lapisan tipis dari bahan isolasi, biasanya silikon dioksida, antara lapisan atas silikon kemurnian tinggi dan substrat silikon. Konfigurasi ini memberikan beberapa keuntungan dibandingkan wafer silikon bulk konvensional.
Aplikasi wafer SOI
Wafer SOI (Silicon-On-Insulator) digunakan dalam berbagai aplikasi teknologi tinggi karena sifat uniknya seperti penurunan kapasitas parasit, peningkatan kinerja pada frekuensi tinggi,konsumsi daya yang lebih rendahBerikut adalah beberapa aplikasi utama wafer SOI:
-
Mikroprosesor Berkinerja Tinggi: Teknologi SOI banyak digunakan dalam produksi mikroprosesor untuk komputer dan server.yang penting untuk aplikasi komputasi berkinerja tinggi.
-
Sirkuit Frekuensi Radio (RF): Wafer SOI sangat menguntungkan untuk aplikasi RF karena sifat isolasi yang sangat baik, yang mengurangi cross-talk dan meningkatkan kinerja dalam switching RF dan pemrosesan sinyal.Hal ini membuat mereka ideal untuk digunakan dalam ponsel, jaringan nirkabel, dan perangkat komunikasi lainnya.
-
Elektronik Otomotif: Daya tahan dan stabilitas operasional yang ditingkatkan dari perangkat berbasis SOI di bawah suhu tinggi dan kondisi radiasi membuatnya cocok untuk aplikasi otomotif,termasuk unit kontrol mesin, sensor otomotif, dan sistem manajemen daya.
-
Perangkat Daya: Teknologi SOI bermanfaat dalam perangkat daya yang digunakan untuk konversi tegangan dan manajemen daya dalam berbagai produk elektronik.Perangkat-perangkat ini mendapat manfaat dari kemampuan SOI untuk menangani tegangan tinggi dan kepadatan daya dengan efisiensi yang lebih baik dan produksi panas yang lebih rendah.
-
MEMS (Sistem Mikro-Elektro-Mekanis): Wafer SOI menyediakan platform yang kuat untuk mengembangkan perangkat MEMS, seperti akselerometer dan giroskop, yang digunakan dalam kantong udara mobil, smartphone, dan elektronik konsumen lainnya.Lapisan oksida yang terkubur dalam wafer SOI memberikan isolasi mekanik dan listrik yang sangat baik, yang sangat penting untuk perangkat MEMS.
-
Fotonika dan Optoelektronika: Sifat-sifat wafer SOI memudahkan integrasi komponen optik seperti pembimbing gelombang, modulator, dan detektor dengan sirkuit elektronik.Integrasi ini sangat penting untuk mengembangkan sistem optoelektronik canggih yang digunakan dalam transmisi data, telekomunikasi, dan aplikasi sensing.
-
Komputasi Kuantum: Wafer SOI juga sedang dieksplorasi sebagai substrat untuk mengembangkan bit kuantum (qubits) untuk komputasi kuantum,berkat kemampuan mereka untuk beroperasi pada suhu kriogenik dan kompatibilitas mereka dengan proses semikonduktor yang ada.
-
Aplikasi Luar Angkasa dan Militer: Perangkat yang dibangun pada wafer SOI lebih tahan terhadap efek radiasi, sehingga cocok untuk aplikasi ruang angkasa dan perangkat keras militer di mana paparan radiasi menjadi perhatian.
Teknologi SOI terus berkembang, mengatasi tantangan yang semakin kompleks di seluruh aplikasi ini, mendorong kemajuan dalam elektronik dan memfasilitasi inovasi baru di berbagai bidang.
Pertanyaan dan Jawaban
Apa itu wafer silikon SOI?
Sebuah wafer silikon SOI (Silicon-On-Insulator) adalah jenis bahan semikonduktor yang digunakan terutama dalam industri mikroelektronik.Terdiri dari lapisan tipis silikon yang dipisahkan dari substrat silikon yang lebih tebal dengan lapisan bahan isolasiStruktur ini dicapai melalui proses manufaktur khusus seperti Pemisahan dengan Implantasi Oksigen (SIMOX) atau teknik Smart Cut.
Keuntungan utama dari wafer silikon SOI dibandingkan wafer silikon bulk tradisional adalah adanya lapisan isolasi, yang secara signifikan mengurangi kapasitas parasit,meningkatkan kinerja dengan meminimalkan kebocoran listrik, dan memberikan isolasi yang lebih baik dari perangkat individu pada chip. Hal ini mengarah pada peningkatan kecepatan, efisiensi daya, dan kinerja keseluruhan perangkat elektronik.Wafer SOI banyak digunakan dalam berbagai aplikasi, termasuk mikroprosesor berkinerja tinggi, sirkuit frekuensi radio (RF), elektronik daya, dan MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems), antara lain.Atribut mereka membuat mereka sangat cocok untuk lingkungan di mana kecepatan tinggi, konsumsi daya rendah, dan ketahanan terhadap kondisi yang keras sangat penting.