rincian produk

Rumah Produk

Gallium Nitride Wafer

A-Axis Gallium Nitrida Wafer HVPE Free Standing Chip Template 5x5 / 10x10 / 5x10 Mm

Semua Kategori

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

Hubungi kami

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

Hubungi sekarang

Semua Kategori

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

A-Axis Gallium Nitrida Wafer HVPE Free Standing Chip Template 5x5 / 10x10 / 5x10 Mm

Nama merek:	zmkj
Nomor Model:	GaN-FS-MN-S5*10-DSP
MOQ:	10 buah
harga:	1200~2500usd/pc
Rincian kemasan:	kasing wafer tunggal dengan paket vakum
Ketentuan Pembayaran:	T/T

Informasi Rinci

Deskripsi Produk

Informasi Rinci

Tempat asal:

Cina

Bahan:

kristal tunggal GaN

ukuran:

10x10/5x5/5x10 mmt

Ketebalan:

0.35mm

Jenis:

tipe-N

Aplikasi:

perangkat semikonduktor

Menyediakan kemampuan:

50PCS Per Bulan

Menyoroti:

Wafer Gallium Nitrida Sumbu

Wafer Gallium Nitrida 5x5

Template Chip Berdiri Bebas Wafer GaN

Deskripsi Produk

Template substrat GaN 2 inci, wafer GaN untuk LeD, Wafer Gallium Nitrida semikonduktor untuk ld, template GaN, wafer GaN mocvd, Substrat GaN berdiri bebas berdasarkan ukuran yang disesuaikan, wafer GaN ukuran kecil untuk LED, wafer Gallium Nitrida mocvd 10x10mm, 5x5mm, GaN 10x5mm wafer, Substrat GaN Berdiri Bebas Non-Polar (pesawat dan m-pesawat)

Karakteristik Wafer GaN

Produk

Galium nitrida (GaN) substrat

Deskripsi Produk:

Template Saphhire GaN disajikan dengan metode Epitxial hydride vapor phase epitaksi (HVPE).Dalam proses HVPE,

asam yang dihasilkan oleh reaksi GaCl, yang pada gilirannya direaksikan dengan amonia untuk menghasilkan lelehan galium nitrida.Template Epitaxial GaN adalah cara yang hemat biaya untuk menggantikan substrat kristal tunggal galium nitrida.

Parameter teknik:

Ukuran	2 "bulat; 50mm ± 2mm
Pemosisian Produk	Sumbu C <0001> ± 1,0.
Jenis konduktivitas	Tipe-N Tipe-P
Resistivitas	R <0,5Ohm-cm
Perawatan permukaan (wajah Ga)	SEPERTI Tumbuh
RM	<1nm
Luas permukaan yang tersedia	> 90%

Spesifikasi:

GaN film epitaxial (C Plane), tipe-N, 2 "* 30 mikron, safir;

Film epitaxial GaN (C Plane), tipe-N, safir 2 "* 5 mikron;

Film epitaxial GaN (R Plane), tipe-N, safir 2 "* 5 mikron;

Film epitaxial GaN (M Plane), tipe-N, safir 2 "* 5 mikron.

Film AL2O3 + GaN (Si yang didoping tipe-N);Film AL2O3 + GaN (Mg yang didoping tipe-P)

Catatan: sesuai dengan permintaan pelanggan orientasi dan ukuran steker khusus.

Kemasan Standar:

1000 kamar bersih, 100 tas bersih atau kemasan kotak tunggal

A-Axis Gallium Nitrida Wafer HVPE Free Standing Chip Template 5x5 / 10x10 / 5x10 Mm 0

Aplikasi

GaN dapat digunakan di banyak area seperti tampilan LED, Deteksi dan Pencitraan berenergi tinggi,
Tampilan Proyeksi Laser, Perangkat Daya, dll.

Tampilan Proyeksi Laser, Perangkat Daya, dll.
Penyimpanan tanggal
Pencahayaan hemat energi
Layar fla penuh warna
Proyeksi Laser
Perangkat Elektronik Efisiensi Tinggi
Perangkat Gelombang Mikro Frekuensi Tinggi
Deteksi berenergi tinggi dan bayangkan
Teknologi hidrogen solor energi baru
Deteksi Lingkungan dan obat biologis
Pita terahertz sumber cahaya

A-Axis Gallium Nitrida Wafer HVPE Free Standing Chip Template 5x5 / 10x10 / 5x10 Mm 1

Spesifikasi:

	Substrat GaN Berdiri Bebas Non-Polar (bidang dan bidang-m)
Barang	GaN-FS-a	GaN-FS-m
Ukuran	5.0mm × 5.5mm
	5.0mm × 10.0mm
	5.0mm × 20.0mm
	Ukuran yang Disesuaikan
Ketebalan	350 ± 25 m
Orientasi	a-pesawat ± 1°	m-pesawat ± 1°
TTV	15 m
BUSUR	20 m
Tipe Konduksi	tipe-N
Resistivitas (300K)	< 0,5 ·cm
Dislokasi Kepadatan	Kurang dari 5x10⁶cm^-2
Area Permukaan yang Dapat Digunakan	> 90%
pemolesan	Permukaan Depan: Ra <0.2nm.Epi-siap dipoles
	Permukaan Belakang: Tanah halus
Kemasan	Dikemas dalam lingkungan ruang bersih kelas 100, dalam wadah wafer tunggal, di bawah atmosfer nitrogen.

A-Axis Gallium Nitrida Wafer HVPE Free Standing Chip Template 5x5 / 10x10 / 5x10 Mm 2

A-Axis Gallium Nitrida Wafer HVPE Free Standing Chip Template 5x5 / 10x10 / 5x10 Mm 3

FAQ

T: Apa persyaratan pesanan minimum Anda?
A: MOQ: 10 buah

T: Berapa lama waktu yang dibutuhkan untuk mengeksekusi pesanan saya dan mengirimkannya?
A: konfirmasi pesanan 1 hari Setelah konfirmasi pembayaran dan pengiriman dalam 5 hari jika di saham.

T: Dapatkah Anda memberikan garansi produk Anda?
A: Kami berjanji kualitas, jika kualitas memiliki masalah, kami akan memproduksi produk baru atau mengembalikan uang Anda.

T: Bagaimana cara membayar?
A: T/T, Paypal, Serikat Barat, transfer bank.

T: BAGAIMANA dengan pengirimannya?
A: kami dapat membantu Anda membayar biaya jika Anda tidak memiliki akun,

jika pesanan lebih dari 10000 usd, kami dapat mengirimkannya melalui CIF.

Tag:

Substrat Safir

Sapphire Optical Windows

Silicon Carbide Wafer

Tabung Safir

Gallium Nitride Wafer

Substrat Semikonduktor

Batu Permata Sintetis

Bagian Keramik

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Kotak Pembawa Wafer

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

Substrat Safir

Sapphire Optical Windows

Silicon Carbide Wafer

Tabung Safir

Gallium Nitride Wafer

Substrat Semikonduktor

Batu Permata Sintetis

Bagian Keramik

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Kotak Pembawa Wafer

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

rincian produk

A-Axis Gallium Nitrida Wafer HVPE Free Standing Chip Template 5x5 / 10x10 / 5x10 Mm

Substrat Safir

Sapphire Optical Windows

Silicon Carbide Wafer

Tabung Safir

Gallium Nitride Wafer

Substrat Semikonduktor

Batu Permata Sintetis

Bagian Keramik

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Kotak Pembawa Wafer

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

Substrat Safir

Sapphire Optical Windows

Silicon Carbide Wafer

Tabung Safir

Gallium Nitride Wafer

Substrat Semikonduktor

Batu Permata Sintetis

Bagian Keramik

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Kotak Pembawa Wafer

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

A-Axis Gallium Nitrida Wafer HVPE Free Standing Chip Template 5x5 / 10x10 / 5x10 Mm

Wafer Gallium Nitrida Sumbu

Wafer Gallium Nitrida 5x5

Template Chip Berdiri Bebas Wafer GaN