|
Informasi Detail |
|||
| Bawah: | PSS Atau Safir Planar | metode pertumbuhan: | MOCVD |
|---|---|---|---|
| MQW: | 0,5um MQW | Diameter: | 2 inci 4 inci |
| Dipoli: | DSP SSP | Orientasi substrat safir: | CM0,2°±0,1° |
| Menyoroti: | LED biru hijau berbasis GaN 4 inci,LED biru hijau berbasis MOCVD GaN,2 inci GaN berbasis LED biru hijau |
||
Deskripsi Produk
2 inci 4 inci GaN-on Sapphire Biru/Hijau LED Wafer Flat atau PPS Sapphire MOCVD DSP SSP
Deskripsi Wafer GaN-on-Sapphire LED Biru/Hijau:
GaN pada wafer Safir (GaN/Sapphire) mengacu pada bahan substrat yang terdiri dari substrat safir dengan lapisan gallium nitride (GaN) yang tumbuh di atasnya.GaN adalah bahan semikonduktor yang digunakan untuk memproduksi perangkat elektronik bertenaga tinggi dan frekuensi tinggiSapphire adalah bahan yang keras dan tahan lama yang tahan terhadap tekanan mekanik dan termal,membuatnya menjadi substrat yang cocok untuk pertumbuhan GaNGaN pada wafer Sapphire banyak digunakan dalam pembuatan perangkat optoelektronik, perangkat gelombang mikro dan gelombang milimeter, dan perangkat elektronik bertenaga tinggi.
Struktur Wafer LED GaN-on-Sapphire Biru/Hijau:
Struktur dan Komposisi:
Gallium Nitride (GaN) Lapisan Epitaxial:
Single Crystal Thin Film: Lapisan GaN adalah film tipis kristal tunggal, memastikan kemurnian tinggi dan kualitas kristal yang sangat baik.dengan demikian meningkatkan kinerja perangkat yang diproduksi pada templat ini.
Karakteristik Bahan: GaN terkenal dengan bandgap yang luas (3,4 eV), mobilitas elektron yang tinggi, dan konduktivitas termal yang tinggi.Sifat ini membuatnya sangat cocok untuk aplikasi daya tinggi dan frekuensi tinggi, serta perangkat yang beroperasi di lingkungan yang keras.
Substrat Safir:
Kekuatan mekanik: Sapphire (Al2O3) adalah bahan yang kuat dengan kekuatan mekanik yang luar biasa, memberikan dasar yang stabil dan tahan lama untuk lapisan GaN.
Stabilitas termal: Sapphire menunjukkan kinerja termal yang sangat baik, termasuk konduktivitas termal yang tinggi dan stabilitas termal,membantu menghilangkan panas yang dihasilkan selama operasi perangkat dan menjaga integritas perangkat pada suhu tinggi.
Transparansi optik: Transparansi safir dalam kisaran ultraviolet hingga inframerah membuatnya cocok untuk aplikasi optoelektronik,dimana dapat berfungsi sebagai substrat transparan untuk memancarkan atau mendeteksi cahaya.
Jenis Templat GaN pada Sapphire:
Gallium Nitride tipe n
P-Type
Jenis Semi-Isolasi
Bentuk Wafer LED GaN-on-Sapphire Biru/Hijau:
Gambar Aplikasi Wafer LED GaN-on-Sapphire Biru/Hijau:
Pengaturan:
Micro LED dianggap sebagai teknologi kunci untuk platform metaverse untuk memungkinkan tampilan generasi berikutnya untuk augmented reality (AR), virtual reality (VR), ponsel, dan jam tangan pintar.
Kami dapat menawarkan GaN berbasis Merah, hijau, biru, atau UV LED Epitaxial Wafers serta lainnya. Substrat bisa Sapphire, SiC, Silicon & Bulk GaN Substrate. ukuran tersedia dari 2 inci hingga 4 inci
Kemasan dan Pengiriman:
FAQ:
1.P: Mengapa GaN pada safir?
A: Penggunaan substrat safir memungkinkan buffer GaN yang lebih tipis, dan struktur epitaksi yang lebih sederhana, karena pertumbuhan berkualitas lebih tinggi, dibandingkan dengan bahan yang tumbuh pada silikon.Substrat safir juga lebih terisolasi listrik daripada silikon, yang seharusnya memungkinkan kemampuan blokir kiloVolt.
2.P: Apa keuntungan dari GaN LED?
A: Penghematan biaya energi yang substansial. Sistem pencahayaan tradisional, seperti bohlam pijar atau lampu neon, seringkali membutuhkan energi dan dapat berkontribusi pada peningkatan pengeluaran energi.Pencahayaan LED berbasis GaN sangat efisien dan mengkonsumsi daya jauh lebih sedikit sambil memberikan pencahayaan yang unggul.
Rekomendasi produk:
1. 8 inci GaN-on-Si Epitaxy Si Substrate RF
2.2 inci 4 inci GaN Gallium Nitride Wafer
