Nama merek:	zmkj
Nomor Model:	8 inci 6 inci AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer
MOQ:	1 BUAH
harga:	1200~2500usd/pc
Rincian kemasan:	kasing wafer tunggal dengan paket vakum
Ketentuan Pembayaran:	T/T

Informasi Rinci

Deskripsi Produk

Informasi Rinci

Tempat asal:

Cina

Bahan:

Lapisan GaN pada Substrat sI

Ukuran:

8 inci/6 inci

ketebalan GaN:

2-5um

Jenis:

Jenis N

Aplikasi:

Perangkat semikonduktor

Menyediakan kemampuan:

50 pcs per bulan

Menyoroti:

Dia 200mm Si Epi Wafer

6 Inch Si Epi Wafer

AlGaN Gallium Arsenide Wafer

Deskripsi Produk

8inch 6inch AlGaN/GaN HEMT-on-HR Si Epiwafer GaN-on-Si Epiwafer untuk Micro-LED untuk aplikasi RF

Karakteristik Wafer GaN

III-nitrida ((GaN,AlN,InN)

Gallium Nitride adalah salah satu jenis semikonduktor senyawa wide-gap.

Substrat kristal tunggal berkualitas tinggi. Ini dibuat dengan metode HVPE asli dan teknologi pengolahan wafer, yang awalnya telah dikembangkan selama 10+ tahun di Cina.Fiturnya sangat kristal, seragam yang baik, dan kualitas permukaan yang unggul.perkembangan telah maju untuk aplikasi perangkat elektronik daya dan frekuensi tinggi.

Untuk aplikasi daya

Dia 200mm AlGaN Si Epi Wafer Tipe N Untuk Micro LED 6 Inch 0

Spesifikasi produk

Posisi	Nilai/Laporan
Substrat	Ya.
Diameter wafer	4/ 6 ¢ / 8️
Ketebalan lapisan epi	4-5μm
Buluh wafer	< 30μm, Tipikal
Morfologi permukaan	RMS < 0,5 nm dalam 5 × 5 μm²
Penghalang	AlXPergi1-XN, 0
Lapisan tutup	In-situSiNatau GaN (mode D); p-GaN (mode E)
Kapadatan 2DEG	> 9E12/cm2(20nm Al0.25GaN)
Mobilitas elektron	> 1800 cm2/Vs(20nm Al0.25GaN)

Untuk Aplikasi RF

Dia 200mm AlGaN Si Epi Wafer Tipe N Untuk Micro LED 6 Inch 1

Dia 200mm AlGaN Si Epi Wafer Tipe N Untuk Micro LED 6 Inch 2

Spesifikasi Prodcut

Posisi	Nilai/Laporan
Substrat	HR_Si/SiC
Diameter wafer	4/6/ untukSiC, 4/ 6/ 8HR_Si
Epi- ketebalan lapisan	2-3μm
Buluh wafer	< 30μm, Tipikal
Morfologi permukaan	RMS < 0,5 nm dalam 5 × 5 μm²
Penghalang	AlGaNatauAlNatauInAlN
Lapisan tutup	In-situSiNatau GaN

Untuk Aplikasi LED

Dia 200mm AlGaN Si Epi Wafer Tipe N Untuk Micro LED 6 Inch 3

Tentang Pabrik OEM Kami

Dia 200mm AlGaN Si Epi Wafer Tipe N Untuk Micro LED 6 Inch 4

Visi Perusahaan Factroy kami
kami akan menyediakan kualitas tinggi GaN substrat dan teknologi aplikasi untuk industri dengan pabrik kami.
GaNmaterial berkualitas tinggi adalah faktor pembatasan untuk aplikasi III-nitrid, misalnya umur panjang
dan LD stabilitas tinggi, daya tinggi dan perangkat microwave keandalan tinggi, kecerahan tinggi
dan LED hemat energi dengan efisiensi tinggi.

-FAQ
T: Apa yang dapat Anda sediakan logistik dan biaya?
(1) Kami menerima DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF dan lain-lain.
(2) Jika Anda memiliki nomor ekspres Anda sendiri, itu bagus.
Jika tidak, kami dapat membantu Anda untuk mengirimkan.

T: Berapa waktu pengiriman?
(1) Untuk produk standar seperti wafer 2 inci 0,33 mm.
Untuk persediaan: pengiriman adalah 5 hari kerja setelah pesanan.
Untuk produk yang disesuaikan: pengiriman adalah 2 atau 4 minggu kerja setelah pesanan.

T: Bagaimana cara membayarnya?
100% T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, Pembayaran Aman dan Jaminan Perdagangan.

Tag:

Substrat Safir

Sapphire Optical Windows

Silicon Carbide Wafer

Tabung Safir

Substrat Semikonduktor

Batu Permata Sintetis

Bagian Keramik

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Kotak Pembawa Wafer

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

Gallium Nitride Wafer