Nama merek:	ZMKJ
Nomor Model:	ISK-AlN-100
MOQ:	3 BUAH
harga:	by case
Rincian kemasan:	wadah wafer tunggal di ruang pembersih
Ketentuan Pembayaran:	T / T, Western Union, Paypal

Informasi Rinci

Deskripsi Produk

Informasi Rinci

Tempat asal:

Cina

substrat:

wafer silikon

lapisan:

Template AlN

ketebalan lapisan:

200-1000nm

jenis konduktivitas:

T/P

Orientasi:

0001

aplikasi:

perangkat elektronik daya tinggi/frekuensi tinggi

aplikasi 2:

Perangkat gergaji 5G/BAW

ketebalan silikon:

525um/625um/725um

Menyediakan kemampuan:

50 PCS / Bulan

Menyoroti:

Substrat Semikonduktor film AlN

substrat aluminium nitrida AlN

wafer aluminium nitrida 1000nm

Deskripsi Produk

Templat AlN berbasis silikon 4 inci 6 inci, film AlN 500nm pada substrat silikon

Aplikasi template AlN

Teknologi semikonduktor berbasis silikon telah mencapai batasnya dan tidak dapat memenuhi persyaratan masa depan

perangkat elektronik.Sebagai jenis bahan semikonduktor generasi ke-3/4, aluminium nitrida (AlN) memiliki

sifat fisik dan kimia yang unggul seperti celah pita lebar, konduktivitas termal tinggi, kerusakan tinggi yang diajukan,

mobilitas elektronik yang tinggi dan ketahanan terhadap korosi/radiasi, dan merupakan substrat yang sempurna untuk perangkat optoelektronik,

perangkat frekuensi radio (RF), perangkat elektronik berdaya tinggi/frekuensi tinggi, dll. Khususnya, substrat AlN adalah

kandidat terbaik untuk UV-LED, detektor UV, laser UV, perangkat RF 5G daya tinggi/frekuensi tinggi dan 5G SAW/BAW

perangkat, yang dapat digunakan secara luas dalam perlindungan lingkungan, elektronik, komunikasi nirkabel, pencetakan,

biologi, kesehatan, militer dan bidang lainnya, seperti pemurnian/sterilisasi UV, pengawetan UV, fotokatalisis, coun?

deteksi pemalsuan, penyimpanan dengan kepadatan tinggi, fototerapi medis, penemuan obat, komunikasi nirkabel dan aman,

deteksi aerospace/deep-space dan bidang lainnya.

kami telah mengembangkan serangkaian proses dan teknologi eksklusif untuk dibuat

template AlN berkualitas tinggi.Saat ini, OEM kami adalah satu-satunya perusahaan di seluruh dunia yang dapat memproduksi AlN 2-6 inci

templat dalam kemampuan produksi industri skala besar dengan kapasitas 300.000 keping pada tahun 2020 untuk memenuhi bahan peledak

permintaan pasar dari UVC-LED, komunikasi nirkabel 5G, detektor dan sensor UV, dll

Factroy adalah perusahaan teknologi tinggi inovatif yang didirikan pada tahun 2016 oleh para profesional Cina Luar Negeri terkenal dari industri semikonduktor.

mereka memfokuskan bisnis intinya pada pengembangan dan komersialisasi substrat AlN semikonduktor celah pita ultra-lebar generasi ke-3/4,

Template AlN, reaktor pertumbuhan PVT otomatis, serta produk dan layanan terkait untuk berbagai industri teknologi tinggi.

telah diakui sebagai pemimpin global di bidang ini.Produk inti kami adalah materi strategi utama yang tercantum dalam “Made in China ".

mereka telah mengembangkan serangkaian teknologi eksklusif dan reaktor serta fasilitas pertumbuhan PVT tercanggih untuk

membuat ukuran berbeda dari wafer AlN kristal tunggal berkualitas tinggi, templat AlN.Kami adalah salah satu dari sedikit pemimpin dunia

perusahaan teknologi tinggi yang memiliki kapa fabrikasi AlN penuh?

kemampuan untuk menghasilkan boule dan wafer AlN berkualitas tinggi, dan memberikan layanan profesional dan solusi turn-key kepada pelanggan kami,

disusun mulai dari desain reaktor pertumbuhan dan zona panas, pemodelan dan simulasi, desain dan optimasi proses, pertumbuhan kristal,

wafer dan karakterisasi material.Hingga April 2019, mereka telah menerapkan lebih dari 27 paten (termasuk PCT).

Spesifikasi

Spesifikasi Karakteristik

ModelISK-AlN-100S
Tipe KonduktivitasC-bidang wafer kristal tunggal Si
Resistivitas (Ω)2500-8000
struktur AlN Wurtzit
Diameter (inci) 4 inci
Ketebalan substrat (µm)525 ± 15
Ketebalan Film AlN (µm) 500nm
OrientasiSumbu-C [0001] +/- 0.2°
Area yang Dapat Digunakan95%
retakTidak ada
FWHM-2θXRD@(0002)0.22°
FWHM-HRXRD@(0002)1,5°
Kekasaran Permukaan [5×5µm] (nm)RMS≤6.0
TTV (µm)7
Busur (µm)30
Melengkung (µm)-30~30
Catatan: Hasil karakterisasi ini mungkin sedikit berbeda tergantung pada peralatan dan/atau perangkat lunak yang digunakan

2 Inch 1000nm AlN Film Silicon Based Aluminium Nitrida Semikonduktor Substrat 1

2 Inch 1000nm AlN Film Silicon Based Aluminium Nitrida Semikonduktor Substrat 2

Struktur kristal	Wurtzit
Konstanta kisi (Å)	a=3.112, c=4.982
Jenis pita konduksi	Celah pita langsung
Kepadatan (g/cm3)	3.23
Kekerasan mikro permukaan (uji Knoop)	800
Titik leleh ()	2750 (10-100 bar di N2)
Konduktivitas termal (W/m·K)	320
Energi celah pita (eV)	6.28
Mobilitas elektron (V·s/cm2)	1100
Medan gangguan listrik (MV/cm)	11.7

2 Inch 1000nm AlN Film Silicon Based Aluminium Nitrida Semikonduktor Substrat 4

Tag: