logo
Harga yang pantas  on line

rincian produk

Created with Pixso. Rumah Created with Pixso. Produk Created with Pixso.
Substrat Semikonduktor
Created with Pixso.

Peralatan-Kelas hBN Single Crystal. Kualitas Tinggi Hexagonal Boron Nitride untuk bahan 2D

Peralatan-Kelas hBN Single Crystal. Kualitas Tinggi Hexagonal Boron Nitride untuk bahan 2D

Nama merek: ZMSH
MOQ: 2
harga: 20USD
Rincian kemasan: karton khusus
Ketentuan Pembayaran: T/T
Informasi Rinci
Tempat asal:
Cina
Spesifikasi Barang Nama Produk Kelas Perangkat hBN Bahan Kristal Tunggal Boron Nitrida Heksagonal Si:
Kristal Tunggal hBN Tingkat Perangkat
Bahan:
Kristal Tunggal Boron Nitrida Heksagonal
Kelas Kristal:
Kelas Perangkat
Proses Pertumbuhan:
Hak milik
Ukuran Lateral Khas:
≥ 1mm
Bidang Kerusakan Dielektrik:
1,64 ± 0,06 V/nm
Menyediakan kemampuan:
Berdasarkan kasus
Menyoroti:

hBN substrat semikonduktor kristal tunggal

,

bahan 2D heksagonal boron nitride

,

Substrat semikonduktor hBN berkualitas tinggi

Deskripsi Produk

Ikhtisar Produk

KitaKristal Tunggal hBN Tingkat Perangkatadalah kristal tunggal massal boron nitrida heksagonal berkualitas tinggi yang dirancang untuk penelitian material 2D tingkat lanjut dan fabrikasi perangkat. Ditumbuhkan melalui proses tekanan atmosfer yang dipatenkan, kristal hBN ini memiliki kualitas kristal tinggi, perilaku pembelahan yang bersih, wilayah domain tunggal dengan area luas, dan transparansi optik yang sangat baik.

 

Ini sangat cocok sebagailapisan substrat atau enkapsulasiuntuk heterostruktur 2D, perangkat berbasis graphene, struktur nanofotonik, dan aplikasi optoelektronik ultraviolet dalam. Validasi tingkat perangkat pihak ketiga menunjukkan bahwa materi hBN ini dapat memberikan kinerja yang sebanding, atau lebih baik daripada, kristal standar emas akademis saat ini dalam aplikasi heterostruktur graphene.

 

Peralatan-Kelas hBN Single Crystal. Kualitas Tinggi Hexagonal Boron Nitride untuk bahan 2D 0

 


Fitur Utama

  • Kristal tunggal hBN tingkat perangkat
  • Proses pertumbuhan tekanan atmosfer yang dipatenkan
  • Ukuran kristal lateral yang khas ≥ 1 mm
  • Medan kerusakan dielektrik tinggi: 1,64 ± 0,06 V/nm
  • Mobilitas suhu ruangan grafena pada hBN: ~80.000 cm²/V·s
  • hBN Raman E₂g FWHM: 7,88 cm⁻¹
  • Emisi tepi pita UV sekitar 215 nm
  • Cocok untuk heterostruktur 2D, perangkat graphene, nanofotonik, dan optoelektronik UV dalam

 

Peralatan-Kelas hBN Single Crystal. Kualitas Tinggi Hexagonal Boron Nitride untuk bahan 2D 1


Aplikasi

Heterostruktur 2D

HBN tingkat perangkat banyak digunakan sebagai substrat berkualitas tinggi dan lapisan enkapsulasi untuk graphene, dichalcogenides logam transisi, dan material 2D lainnya. Permukaannya yang rata secara atom dan antarmuka yang bersih membantu meningkatkan stabilitas perangkat dan mengurangi efek hamburan.

Perangkat Grafena

Jika digunakan dengan graphene, hBN dapat mendukung perilaku transportasi dengan mobilitas tinggi. Mobilitas suhu ruangan graphene yang khas pada hBN ini mencapai kira-kira80.000 cm²/V·s, sehingga cocok untuk studi transportasi elektronik dan kuantum tingkat lanjut.

Nanofotonik

hBN adalah platform material penting untuk penelitian polariton fonon dan perangkat fotonik skala nano. Kualitas kristal dan sifat optiknya yang tinggi membuatnya cocok untuk nanofotonik inframerah dan eksperimen optik terkait.

Optoelektronik UV Dalam

Dengan emisi tepi pita UV di sekelilingnya215nm, kristal tunggal hBN dapat digunakan dalam penelitian optoelektronik ultraviolet dalam, studi material celah pita lebar, dan aplikasi fotonik tingkat lanjut.

 

 


Spesifikasi Teknis

Barang Spesifikasi
Nama Produk Kristal Tunggal hBN Tingkat Perangkat
Bahan Kristal Tunggal Boron Nitrida Heksagonal
Kelas Kristal Kelas Perangkat
Proses Pertumbuhan Pertumbuhan Tekanan Atmosfer Kepemilikan
Membentuk Kristal Tunggal Massal dengan Aspek Pertumbuhan
Ukuran Lateral Khas ≥ 1mm
Kemasan Pembawa Chip, 5–10 Kristal / Paket
Bidang Kerusakan Dielektrik 1,64 ± 0,06 V/nm
Mobilitas Grafena di hBN ~80.000 cm²/V·s pada suhu kamar
hBN Raman E₂g FWHM 7,88cm⁻¹
Emisi Tepi Pita UV ~215nm

 

 

 

Peralatan-Kelas hBN Single Crystal. Kualitas Tinggi Hexagonal Boron Nitride untuk bahan 2D 2

 

 


Keunggulan Produk

Dibandingkan dengan kristal hBN komersial biasa, hBN tingkat perangkat ini dikembangkan untuk aplikasi yang mengutamakan kualitas kristal, kebersihan antarmuka, dan kinerja perangkat. Materi tersebut telah diukur melalui pengujian perangkat heterostruktur graphene pihak ketiga dan menunjukkan kinerja pada atau di atas tingkat kristal referensi akademis terkemuka.

 

Dimensi kristal yang ditunjukkan pada lembar data menunjukkan ukuran lateral yang representatif di atas1mm, dengan beberapa tepi kristal terukur melebihi1,4 mm. Gambar mikroskop optik juga menunjukkan aspek pertumbuhan yang jelas, tepi belahan dada yang tajam, wilayah kristal transparan, dan area domain tunggal besar yang dapat digunakan.

Peralatan-Kelas hBN Single Crystal. Kualitas Tinggi Hexagonal Boron Nitride untuk bahan 2D 3


Deskripsi Singkat yang Direkomendasikan

Kristal Tunggal hBN Tingkat Perangkatadalah bahan boron nitrida heksagonal berkualitas tinggi yang dirancang untuk heterostruktur 2D, perangkat graphene, nanofotonik, dan optoelektronik UV dalam. Ditumbuhkan melalui proses tekanan atmosferik yang dipatenkan, ia menawarkan ukuran kristal lateral khas ≥1 mm, kekuatan kerusakan dielektrik yang tinggi, kinerja Raman yang luar biasa, dan validasi tingkat perangkat yang kuat.

 

 


Pertanyaan Umum

Q1: Kristal tunggal hBN ini terutama digunakan untuk apa?
Hal ini terutama digunakan sebagai substrat atau lapisan enkapsulasi untuk heterostruktur 2D, perangkat graphene, nanofotonik dan penelitian optoelektronik UV dalam.

 

Q2: Berapa ukuran kristal pada umumnya?
Spesifikasi tingkat perangkat standar adalah≥ 1mmukuran lateral. Sampel representatif dalam lembar data menunjukkan dimensi terukur di atas 1 mm, dengan beberapa tepi mencapai lebih dari 1,4 mm.

 

Q3: Apakah bahan ini cocok untuk perangkat graphene?
Ya. Lembar data melaporkan mobilitas suhu ruangan graphene pada hBN kira-kira80.000 cm²/V·s, sehingga cocok untuk penelitian perangkat graphene dengan mobilitas tinggi.

 

Q4: Apa format kemasannya?
Produk ini biasanya dipasok dalam pembawa chip, dengan5–10 kristal per bungkus.

 


Produk Terkait

 

Peralatan-Kelas hBN Single Crystal. Kualitas Tinggi Hexagonal Boron Nitride untuk bahan 2D 4

Wafer Silikon Karbida Kubik 3C-SiC untuk MEMS, Fotonik, dan Perangkat Listrik

 


Tentang Kami

 

ZMSH berspesialisasi dalam pengembangan, produksi, dan penjualan kaca optik khusus dan bahan kristal baru berteknologi tinggi. Produk kami melayani elektronik optik, elektronik konsumen. Kami menawarkan komponen optik Safir, penutup lensa ponsel, Keramik, LT, Silicon Carbide SIC, Kuarsa, dan wafer kristal semikonduktor. Dengan keahlian yang terampil dan peralatan mutakhir, kami unggul dalam pemrosesan produk non-standar, yang bertujuan untuk menjadi perusahaan teknologi tinggi bahan optoelektronik terkemuka.

 

Semiconductor Laser Lift-Off Equipment for Non-Destructive Ingot Thinning 6

 


 

Informasi Pengemasan & Pengiriman

 

Metode Pengemasan:

  • Semua barang dikemas dengan aman untuk memastikan transit yang aman.
  • Kemasannya menampilkan bahan anti-statis, tahan guncangan, dan tahan debu.
  • Untuk komponen sensitif seperti wafer atau komponen optik, kami mengadopsi kemasan tingkat ruang bersih:
  1. Perlindungan debu Kelas 100 atau Kelas 1000, tergantung pada sensitivitas produk.
  2. Opsi pengemasan yang disesuaikan tersedia untuk kebutuhan khusus.

 

Saluran Pengiriman & Perkiraan Waktu Pengiriman:

  • Kami bekerja sama dengan penyedia logistik internasional terpercaya, antara lain:

UPS, FedEx, DHL

  • Waktu tunggu standar adalah 3–7 hari kerja tergantung tujuannya.
  • Informasi pelacakan akan diberikan setelah pesanan dikirim.
  • Pilihan pengiriman dan asuransi yang dipercepat tersedia berdasarkan permintaan.