rincian produk

Rumah Produk

Substrat Semikonduktor

Si Doped Semiconductor Substate Gallium Arsenide GaAs Wafer Untuk Microwave / HEMT / PHEMT

Semua Kategori

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

Hubungi kami

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

Hubungi sekarang

Semua Kategori

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

Si Doped Semiconductor Substate Gallium Arsenide GaAs Wafer Untuk Microwave / HEMT / PHEMT

Nama merek:	zmkj
Nomor Model:	SCN 6 inci
MOQ:	5pcs
harga:	by case
Rincian kemasan:	wafer tunggal dikemas dalam 6 "kotak plastik di bawah N2
Ketentuan Pembayaran:	T/T, Western Union, MoneyGram

Informasi Rinci

Deskripsi Produk

Informasi Rinci

Tempat asal:

Cina

Bahan:

Kristal tunggal GaAs

Ukuran:

6 INCH

Ketebalan:

650um atau dikustomisasi

Jenis OF:

takik atau OF Flat

Orientasi:

（100） 2 °

Permukaan:

DSP

Metode pertumbuhan:

VFG

Menyediakan kemampuan:

komik per bulan

Menyoroti:

substrat gasb

semikonduktor wafer

Deskripsi Produk

2 inci / 3 inci / 4 inci / 6 inci SCN Jenis Si-doped Gallium arsenide Gaas Wafer

Deskripsi Produk

( GaAs ) Gallium Arsenide Wafers

PWAM Mengembangkan dan memproduksi senyawa semikonduktor kristal-substrat-gallium arsenide dan wafer. Kami telah menggunakan teknologi pertumbuhan kristal canggih, pembekuan gradien vertikal (VGF) dan teknologi pemrosesan wafer GaAs, membentuk jalur produksi mulai dari pertumbuhan kristal, pemotongan, penggilingan hingga pemrosesan poles dan dibangun kamar bersih 100 kelas untuk pembersihan dan pengemasan wafer. Wafer GaAs kami mencakup 2 ~ 6 inci ingot / wafer untuk aplikasi LED, LD, dan Mikroelektronika. Kami selalu berdedikasi untuk meningkatkan kualitas media saat ini dan mengembangkan media ukuran besar.

(GaAs) Gallium Arsenide Wafers untuk Aplikasi LED

1. Terutama digunakan dalam elektronik, paduan suhu rendah, Gallium Arsenide.
2. Senyawa kimia utama gallium dalam elektronik, digunakan dalam sirkuit microwave, sirkuit switching berkecepatan tinggi, dan sirkuit inframerah.
3. Gallium Nitride dan Indium Gallium Nitride, untuk penggunaan semikonduktor, menghasilkan dioda pemancar cahaya (LED) berwarna biru dan ungu dan laser dioda.

DESKRIPSI PRODUK

SPESIFIKASI - 6 inci SI-Dopant N-Type SSP / DSP LED / LD Gallium Arsenide wafer
Metode pertumbuhan	VGF
Orientasi	<100>
Diameter	150.0 +/- 0,3 mm
Ketebalan	650um +/- 25um
Polandia	Satu sisi dipoles (SSP)
Kekasaran Permukaan	Dipoles
TTV / Bungkukan	<10um / <10um
Dopant	Si
Jenis konduktivitas	Tipe-N
Tahanan (pada RT)	(1.2 ~ 9.9) * 10 -3 ohm cm
Etch Pit Density (EPD)	LED <5000 / cm 2 ; LD <500 / cm2
Mobilitas	LED> 1000 cm2 / vs; LD> 1500 cm2 / vs
Konsentrasi Pembawa	LED> (0,4-4) * 10 18 / cm 3 ; LD> (0.4-2.5) * 10 18 / cm3

Spesifikasi wafer GaAs semi-konduktor

Metode Pertumbuhan	VGF
Dopant	tipe-p: Zn		tipe-n: Si
Bentuk Wafer	Round (DIA: 2 ", 3", 4 ", 6")
Orientasi Permukaan *	(100) ± 0,5 °
* Orientasi lain mungkin tersedia berdasarkan permintaan
Dopant	Si (tipe-n)		Zn (tipe-p)
Konsentrasi Pengangkut (cm-3)	(0.8-4) × 1018		(0,5-5) × 1019
Mobilitas (cm2 / VS)	(1-2.5) × 103		50-120
Kepadatan Pitch Etch (cm2)	100-5000		3.000-5.000
Diameter Wafer (mm)	50,8 ± 0,3	76.2 ± 0.3		100 ± 0,3
Ketebalan (μm)	350 ± 25	625 ± 25		625 ± 25
TTV [P / P] (µm)	≤ 4	≤ 4		≤ 4
TTV [P / E] (µm)	≤ 10	≤ 10		≤ 10
WARP (μm)	≤ 10	≤ 10		≤ 10
OF (mm)	17 ± 1	22 ± 1		32,5 ± 1
OF / JIKA (mm)	7 ± 1	12 ± 1		18 ± 1
Polandia*	E / E, PE, P / P	E / E, PE, P / P		E / E, PE, P / P

Spesifikasi semi-isolasi wafer GaAs

Metode Pertumbuhan	VGF
Dopant	Tipe SI: Karbon
Bentuk Wafer	Round (DIA: 2 ", 3", 4 ", 6")
Orientasi Permukaan *	(100) ± 0,5 °
* Orientasi lain mungkin tersedia berdasarkan permintaan
Tahanan (Ω.cm)	≥ 1 × 107		≥ 1 × 108
Mobilitas (cm2 / VS)	≥ 5.000		≥ 4.000
Kepadatan Pitch Etch (cm2)	1.500-5.000		1.500-5.000
Diameter Wafer (mm)	50,8 ± 0,3	76.2 ± 0.3	100 ± 0,3	150 ± 0,3
Ketebalan (μm)	350 ± 25	625 ± 25	625 ± 25	675 ± 25
TTV [P / P] (µm)	≤ 4	≤ 4	≤ 4	≤ 4
TTV [P / E] (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 10
WARP (μm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 15
OF (mm)	17 ± 1	22 ± 1	32,5 ± 1	TAKIK
OF / JIKA (mm)	7 ± 1	12 ± 1	18 ± 1	T / A
Polandia*	E / E, PE, P / P	E / E, PE, P / P	E / E, PE, P / P	E / E, PE, P / P

Faq -
T: Apa yang dapat Anda berikan logistik dan biaya?
(1) Kami menerima DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF dan lain-lain.
(2) Jika Anda memiliki nomor ekspres Anda sendiri, itu bagus.
Jika tidak, kami dapat membantu Anda mengirim. Pengangkutan = USD25.0 (bobot pertama) + USD12.0 / kg

Q: Apa waktu pengiriman?
(1) Untuk produk standar seperti lensa bola, lensa powell dan lensa kolimator:
Untuk persediaan: pengiriman adalah 5 hari kerja setelah pesanan.
Untuk produk yang disesuaikan: pengiriman adalah 2 atau 3 minggu kerja setelah pesanan.
(2) Untuk produk yang tidak standar, pengirimannya adalah 2 atau 6 minggu kerja setelah Anda melakukan pemesanan.

Q: Bagaimana cara membayar?
T / t, paypal, serikat barat, MoneyGram, pembayaran yang aman dan jaminan perdagangan di Alibaba dan lain lain.

Q: Apa itu MOQ?
(1) Untuk persediaan, MOQ adalah 5 pcs.
(2) Untuk produk yang disesuaikan, MOQ adalah 5pcs-20pcs.
Itu tergantung pada kuantitas dan teknik

T: Apakah Anda memiliki laporan inspeksi untuk bahan?
Kami dapat menyediakan laporan detail untuk produk kami.

Pengemasan - Logistcs
kami memperhatikan setiap detail paket, pembersihan, anti-statis, perawatan kejut. Sesuai dengan jumlah dan bentuk produk,

kami akan mengambil proses pengemasan yang berbeda!

Tag:

Substrat Safir

Sapphire Optical Windows

Silicon Carbide Wafer

Tabung Safir

Gallium Nitride Wafer

Substrat Semikonduktor

Batu Permata Sintetis

Bagian Keramik

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Kotak Pembawa Wafer

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

Substrat Safir

Sapphire Optical Windows

Silicon Carbide Wafer

Tabung Safir

Gallium Nitride Wafer

Substrat Semikonduktor

Batu Permata Sintetis

Bagian Keramik

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Kotak Pembawa Wafer

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

rincian produk

Si Doped Semiconductor Substate Gallium Arsenide GaAs Wafer Untuk Microwave / HEMT / PHEMT

Substrat Safir

Sapphire Optical Windows

Silicon Carbide Wafer

Tabung Safir

Gallium Nitride Wafer

Substrat Semikonduktor

Batu Permata Sintetis

Bagian Keramik

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Kotak Pembawa Wafer

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

Substrat Safir

Sapphire Optical Windows

Silicon Carbide Wafer

Tabung Safir

Gallium Nitride Wafer

Substrat Semikonduktor

Batu Permata Sintetis

Bagian Keramik

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Kotak Pembawa Wafer

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

Si Doped Semiconductor Substate Gallium Arsenide GaAs Wafer Untuk Microwave / HEMT / PHEMT

substrat gasb

semikonduktor wafer

2 inci / 3 inci / 4 inci / 6 inci SCN Jenis Si-doped Gallium arsenide Gaas Wafer

Deskripsi Produk