8/6/4/2Inch LPCVD Oksidasi Tungku Otomatisasi penuh Kontrol Oksigen Rendah Deposisi film tipis

Ikhtisar Produk

Peralatan ini adalah tungku LPCVD oksidasi vertikal 8 inci yang sepenuhnya otomatis dan berefisiensi tinggi yang dirancang untuk produksi massal. Ia menawarkan keseragaman dan kemampuan pengulangan film yang sangat baik, mendukung berbagai proses oksidasi, anil, dan LPCVD. Sistem ini dilengkapi transfer otomatis 21 kaset dengan integrasi MES yang mulus, ideal untuk manufaktur semikonduktor.

Prinsip Kerja

Tungku ini memiliki struktur tabung vertikal dan kontrol lingkungan mikro rendah oksigen yang canggih. Hal ini memungkinkan oksidasi atau deposisi film wafer silikon secara tepat di bawah atmosfer tertentu. Proses LPCVD (Deposisi Uap Kimia Bertekanan Rendah) memanaskan gas prekursor pada tekanan rendah untuk menghasilkan lapisan tipis berkualitas tinggi seperti polisilikon, silikon nitrida, atau silikon oksida yang diolah.

Dalam pembuatan chip, Deposisi Uap Kimia Tekanan Rendah (LPCVD) banyak digunakan untuk membuat berbagai film tipis untuk berbagai tujuan. LPCVD dapat digunakan untuk menyimpan film silikon oksida dan silikon nitrida. Hal ini juga digunakan untuk memproduksi film doped untuk memodifikasi konduktivitas silikon. Selain itu, LPCVD digunakan untuk membuat film logam, seperti tungsten atau titanium, yang penting untuk membentuk struktur interkoneksi dalam sirkuit terpadu.

Prinsip Proses

Prinsip kerja LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) dapat dipahami sebagai proses reaksi kimia terkontrol yang berlangsung pada tekanan rendah dan melibatkan reaksi prekursor gas pada permukaan wafer.

Pengiriman Gas:
Satu atau lebih prekursor gas (gas kimia) dimasukkan ke dalam ruang reaksi. Ini

langkah ini dilakukan pada tekanan yang dikurangi, biasanya di bawah tingkat atmosfer. Tekanan yang lebih rendah membantu meningkatkan laju reaksi, meningkatkan keseragaman, dan meningkatkan kualitas film. Laju aliran dan tekanan gas dikontrol secara tepat oleh pengontrol dan katup khusus. Pemilihan gas menentukan sifat film yang dihasilkan. Misalnya, untuk menyimpan film silikon, silan (SiH₄) atau diklosilana (SiCl₂H₂) dapat digunakan sebagai prekursor. Gas yang berbeda dipilih untuk jenis film lain, seperti silikon oksida, silikon nitrida, atau logam.

Adsorpsi:
Proses ini melibatkan adsorpsi molekul gas prekursor ke permukaan substrat (misalnya wafer silikon). Adsorpsi mengacu pada interaksi di mana molekul melekat sementara pada permukaan padat dari fase gas, tanpa berintegrasi sepenuhnya ke dalam padatan. Ini dapat melibatkan adsorpsi fisik atau adsorpsi kimia.

Reaksi:
Pada suhu yang disetel, prekursor yang teradsorpsi mengalami reaksi kimia pada permukaan substrat membentuk lapisan tipis. Reaksi-reaksi ini dapat mencakup dekomposisi, substitusi, atau reduksi, tergantung pada jenis gas prekursor dan kondisi proses.

Endapan:
Produk reaksi membentuk lapisan tipis yang mengendap secara seragam pada permukaan substrat.

Penghapusan Gas Residu:
Prekursor yang tidak bereaksi dan produk sampingan berbentuk gas (misalnya, hidrogen yang dihasilkan selama dekomposisi silan) dikeluarkan dari ruang reaksi. Produk sampingan ini harus dievakuasi untuk menghindari gangguan pada proses atau kontaminasi pada film.

Bidang Aplikasi

• Peralatan LPCVD digunakan untuk menyimpan film tipis yang seragam pada suhu tinggi dan tekanan rendah, ideal untuk pemrosesan wafer secara batch.

• Mampu menyimpan berbagai macam bahan termasuk poli-silikon, silikon nitrida, dan silikon dioksida.

Tanya Jawab

Q1: Berapa banyak wafer yang dapat diproses per batch?
A1: Sistem ini mendukung 150 wafer per batch, cocok untuk produksi volume tinggi.

Q2: Apakah sistem mendukung beberapa metode oksidasi?
A2: Ya, mendukung oksidasi kering dan basah (termasuk DCE dan HCL), dapat disesuaikan dengan beragam kebutuhan proses.

Q3: Dapatkah sistem berinteraksi dengan MES pabrik?
A3: Mendukung protokol komunikasi SECS II/HSMS/GEM untuk integrasi MES yang lancar dan pengoperasian pabrik yang cerdas.

Q4: Proses kompatibel apa yang didukung?
A4: Selain oksidasi, ia mendukung anil N₂/H₂, RTA, paduan, dan LPCVD untuk polisilikon, SiN, TEOS, SIPOS, dan banyak lagi.