| Nama merek: | ZMSH |
| Nomor Model: | 03 |
| MOQ: | 3 |
| Harga: | 20USD |
| Rincian kemasan: | karton |
| Ketentuan Pembayaran: | T/T |
Garpu Keramik Silikon Karbida adalah komponen keramik yang direkayasa presisi yang dirancang untuk sistem penanganan wafer semikonduktor, peralatan transfer robotik, dan aplikasi pemrosesan suhu tinggi. Diproduksi dari bahan keramik silikon karbida (SiC) canggih, ia memberikan kekakuan mekanik yang sangat baik, stabilitas termal, dan ketahanan terhadap lingkungan kimia yang keras.
Dalam manufaktur semikonduktor, sistem transfer wafer memerlukan komponen yang mampu mempertahankan posisi yang akurat dan kinerja mekanik yang stabil selama operasi penanganan berulang. Dipasang di ujung lengan robot, garpu keramik SiC menopang dan mentransfer wafer di antara kaset, port muat, ruang vakum, dan peralatan pemrosesan.
![]()
Dibandingkan dengan komponen logam konvensional dan banyak bahan keramik tradisional, silikon karbida menawarkan kombinasi kekerasan tinggi, ekspansi termal rendah, konduktivitas termal yang sangat baik, dan ketahanan aus yang luar biasa. Karakteristik ini membuatnya sangat cocok untuk lingkungan manufaktur semikonduktor yang menuntut di mana kontrol suhu, stabilitas dimensi, dan pengurangan kontaminasi sangat penting.
Silikon karbida mempertahankan sifat mekanik yang sangat baik pada suhu tinggi. Stabilitas termalnya membuatnya cocok untuk sistem transfer wafer dan peralatan semikonduktor yang beroperasi di bawah kondisi termal yang menuntut.
Keramik SiC memiliki konduktivitas termal tinggi, memungkinkan perpindahan panas yang efisien dan membantu mengurangi gradien suhu di dalam komponen. Hal ini sangat bermanfaat dalam aplikasi yang melibatkan wafer panas dan lingkungan yang menuntut secara termal.
Dengan kekerasan yang sangat tinggi, silikon karbida memberikan ketahanan yang sangat baik terhadap abrasi dan keausan mekanis. Ini membantu menjaga permukaan kontak garpu dan akurasi dimensi selama operasi penanganan wafer berulang.
Silikon karbida menggabungkan modulus elastisitas tinggi dengan kepadatan yang relatif rendah, memberikan kekakuan struktural yang sangat baik. Hal ini membantu meminimalkan deformasi dan defleksi, terutama pada struktur garpu yang panjang dan tipis.
Koefisien ekspansi termal yang rendah membantu menjaga stabilitas dimensi selama fluktuasi suhu, mendukung konsistensi posisi wafer dan akurasi transfer.
Keramik SiC menunjukkan ketahanan yang kuat terhadap banyak asam, alkali, dan bahan kimia korosif. Ini cocok untuk peralatan semikonduktor yang terpapar lingkungan pemrosesan kimia, tergantung pada grade material spesifik dan kondisi operasi.
Keramik silikon karbida dapat digerinda dan dipoles secara presisi untuk mencapai kualitas permukaan yang terkontrol. Penyelesaian permukaan yang tepat membantu mengurangi keausan mekanis dan generasi partikel selama kontak dan transfer wafer.
Garpu keramik silikon karbida terutama dirancang untuk transfer wafer presisi dan sistem penanganan otomatis.
Transfer Wafer Semikonduktor: Mendukung dan mentransfer wafer silikon di antara stasiun pemrosesan yang berbeda.
Penanganan Wafer Robotik: Berfungsi sebagai end-effector atau bilah penanganan robot transfer semikonduktor.
Peralatan Pemrosesan Vakum: Digunakan dalam modul transfer wafer dan sistem otomatisasi vakum.
Aplikasi Suhu Tinggi: Menangani wafer dan substrat dalam peralatan yang menuntut secara termal.
Peralatan Pembersih Wafer: Mendukung operasi pemuatan dan pembongkaran otomatis.
Sistem Otomatisasi Presisi: Menangani substrat semikonduktor dan komponen halus lainnya yang memerlukan stabilitas dimensi tinggi.
Kami menyediakan garpu keramik silikon karbida yang disesuaikan sesuai dengan gambar pelanggan, sampel, dan spesifikasi peralatan.
Opsi kustomisasi yang tersedia meliputi:
SiC sinter tanpa tekanan (SSiC)
SiC ikatan reaksi (RBSiC / SiSiC), tergantung pada persyaratan aplikasi
Panjang, lebar, dan ketebalan garpu yang disesuaikan
Struktur garpu tunggal dan multi-cabang
Lubang pemasangan presisi dan antarmuka instalasi
Area pendukung dan kontak wafer yang disesuaikan
Saluran vakum dan lubang hisap
Penggilingan presisi dan pemolesan permukaan
Toleransi dimensi dan persyaratan kerataan yang disesuaikan
Proses manufaktur SiC yang berbeda dapat menghasilkan karakteristik material yang berbeda. Oleh karena itu, pemilihan material harus mempertimbangkan suhu operasi, paparan kimia, persyaratan listrik, dan kondisi kontak wafer.
Tabel berikut memberikan referensi umum untuk produk garpu keramik silikon karbida. Spesifikasi aktual tergantung pada grade material, proses manufaktur, dan desain yang disesuaikan.![]()
Parameter | Spesifikasi |
|---|---|
| Nama Produk | Garpu Keramik Silikon Karbida |
| Bahan | Silikon Karbida (SiC) |
| Jenis Bahan | SSiC / SiSiC |
| Kandungan SiC | Tergantung grade |
| Warna | Hitam / Abu-abu Tua |
| Kepadatan | Sekitar 3,0–3,2 g/cm³ |
| Kekerasan | Tinggi |
| Konduktivitas Termal | Tinggi |
| Ekspansi Termal | Rendah |
| Kekakuan Mekanik | Sangat Baik |
| Ketahanan Kimia | Sangat Baik |
| Penyelesaian Permukaan | Digiling / Dipoles |
| Dimensi | Disesuaikan |
| Pemrosesan | Pemesinan Keramik Presisi |
| Aplikasi | Penanganan Wafer Semikonduktor |
Seiring proses manufaktur semikonduktor terus berkembang, komponen penanganan wafer diharapkan memberikan presisi yang lebih tinggi, stabilitas termal yang lebih baik, dan masa pakai yang lebih lama.
Keramik silikon karbida memberikan beberapa keuntungan untuk aplikasi ini. Kekakuan tingginya membantu mengurangi deformasi mekanis, sementara ekspansi termal rendahnya mendukung stabilitas dimensi di bawah perubahan suhu. Kekerasan tinggi dan ketahanan kimia semakin meningkatkan kesesuaiannya untuk lingkungan proses yang menuntut.
Untuk aplikasi yang melibatkan bilah transfer panjang, suhu tinggi, atau paparan kimia agresif, keramik SiC dapat menawarkan keuntungan dibandingkan keramik alumina konvensional, meskipun material yang optimal tergantung pada kondisi peralatan yang sebenarnya.
Melalui pemesinan presisi dan desain struktural yang disesuaikan, garpu keramik silikon karbida dapat diproduksi untuk memenuhi ukuran wafer yang berbeda, konfigurasi robotik, dan persyaratan peralatan semikonduktor.
Garpu Keramik Silikon Karbida adalah komponen keramik presisi yang digunakan dalam penanganan wafer semikonduktor dan sistem transfer otomatis. Biasanya dipasang di ujung lengan robot untuk menopang dan mentransfer wafer di antara stasiun pemrosesan yang berbeda.
Garpu keramik silikon karbida menawarkan beberapa keuntungan, termasuk kekerasan tinggi, ketahanan aus yang sangat baik, konduktivitas termal tinggi, ekspansi termal rendah, dan ketahanan korosi kimia yang baik. Sifat-sifat ini membuatnya cocok untuk lingkungan manufaktur semikonduktor yang menuntut.
Silikon karbida dipilih karena kekakuan mekaniknya yang sangat baik, stabilitas termal, dan ketahanan terhadap kondisi operasi yang keras. Ini membantu menjaga akurasi dimensi dan posisi wafer yang andal selama operasi transfer berulang.
![]()
Efektor Ujung Keramik Kustom Lengan Penanganan Keramik Alumina untuk Penanganan Wafer Semikonduktor