Wafer Karbida Silikon 4 inci 4H-N Tipe 350um Ketebalan SiC Substrat

4 inciWafer Silikon Karbida 4H-NSubstrat SiC Ketebalan 350um

Pengantar Wafer Silikon Karbida 4 inci:

   Pasar wafer SiC (silikon karbida) 4 inci adalah segmen yang sedang berkembang di industri semikonduktor, didorong oleh meningkatnya permintaan akan bahan berkinerja tinggi di berbagai aplikasi. Wafer SiC terkenal karena konduktivitas termalnya yang sangat baik, kekuatan medan listrik yang tinggi, dan efisiensi energi yang luar biasa. Karakteristik ini membuatnya sangat cocok untuk digunakan dalam elektronik daya, aplikasi otomotif, dan teknologi energi terbarukan. Wafer SiC tipe 4H-N 4 inci adalah substrat silikon karbida konduktif berkualitas tinggi berdasarkan struktur kristal polimorf 4H. Menampilkan celah pita lebar, medan listrik tembus tinggi, konduktivitas termal yang sangat baik, dan mobilitas elektron yang tinggi, sangat ideal untuk memproduksi perangkat daya tegangan tinggi, frekuensi tinggi, dan suhu tinggi, seperti MOSFET, dioda Schottky, JFET, dan IGBT. Ini banyak digunakan dalam sistem energi baru, kendaraan listrik, jaringan pintar, komunikasi 5G, dan aplikasi dirgantara.

Keunggulan Utama Wafer Silikon Karbida 4 inci:

Tegangan Tembus Tinggi – Hingga 10× dari silikon, ideal untuk perangkat tegangan tinggi.

Resistansi-On Rendah – Mobilitas elektron tinggi memungkinkan pensaklaran lebih cepat dan kerugian lebih rendah.

Konduktivitas Termal Sangat Baik – Sekitar 3× lebih tinggi dari silikon, memastikan keandalan perangkat di bawah beban berat.

Pengoperasian Suhu Tinggi – Kinerja stabil di atas 600°C.

Kualitas Kristal Unggul – Kepadatan micropipe dan dislokasi rendah, permukaan yang sangat baik untuk pertumbuhan epitaksial.

Opsi yang Dapat Disesuaikan – Tersedia dengan doping, ketebalan, dan hasil akhir permukaan yang disesuaikan untuk proses perangkat tertentu.

Parameter Wafer ZMSH SiC dan Rekomendasi Produk:

Silikon Karbida 6 Inci(SiC) Wafer untuk kacamata AR MOS SBD untuk referensi

Aplikasi Wafer Silikon Karbida:

   Wafer silikon karbida (SiC) adalah salah satu bahan semikonduktor generasi ketiga, yang ditandai dengan kemampuan daya tinggi, kehilangan energi rendah, keandalan tinggi, dan pembangkitan panas rendah. Ini dapat digunakan di lingkungan tegangan tinggi dan keras melebihi 1200 volt, dan banyak diterapkan di sistem tenaga angin, peralatan kereta api dan transportasi besar, serta inverter surya, catu daya tak terputus (UPS), jaringan pintar, dan lainnya aplikasi elektronik daya tinggi.

Kendaraan Listrik (EV): Untuk inverter traksi, pengisi daya onboard, dan konverter DC-DC.

Energi Terbarukan: Inverter untuk panel surya dan turbin angin.

Sistem Industri: Penggerak motor dan peralatan daya tinggi.

Dirgantara dan Pertahanan: Sistem daya efisiensi tinggi di lingkungan yang keras.

Tanya Jawab:

T: Apa perbedaan antara wafer Si dan SiC?

J: Wafer Silikon (Si) dan Silikon Karbida (SiC) keduanya digunakan dalam manufaktur semikonduktor, tetapi mereka memiliki sifat fisik, listrik, dan termal yang sangat berbeda yang membuatnya cocok untuk berbagai jenis perangkat. Wafer silikon ideal untuk elektronik standar berdaya rendah seperti sirkuit terpadu dan sensor.

Wafer silikon karbida digunakan untuk perangkat daya tegangan tinggi, suhu tinggi, dan efisiensi tinggi, seperti yang ada di kendaraan listrik, inverter surya, dan sistem daya industri.

T: Mana yang lebih baik, SiC atau GaN?

J: SiC adalah yang terbaik untuk aplikasi tegangan tinggi, daya tinggi, dan suhu tinggi seperti EV, energi terbarukan, dan sistem industri. GaN adalah yang terbaik untuk aplikasi frekuensi tinggi, tegangan rendah hingga sedang seperti pengisi daya cepat, penguat RF, dan perangkat komunikasi. Faktanya, teknologi GaN-on-SiC menggabungkan kekuatan keduanya — kecepatan GaN + kinerja termal SiC — dan banyak digunakan dalam sistem 5G dan radar.

T: Apakah SiC keramik?

J: Ya, silikon karbida (SiC) adalah keramik — tetapi juga semikonduktor.