 |
SiC Carrier Plate Konduktivitas Termal Ketahanan Korosi MOCVD Wafer
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | ZMSH |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T |
|---|
|
Informasi Detail |
Deskripsi Produk
Pengenalan SiC Carrier Plate
SiC Carrier Plate adalah substrat pendukung presisi yang terbuat dari silikon karbida kemurnian tinggi.dan ketahanan yang luar biasa terhadap korosi kimiaDengan permukaan yang diolah dan dipoles dengan tepat, pelat pembawa SiC banyak digunakan dalam pengolahan wafer, epitaksi MOCVD, penggilingan suhu tinggi, dan aplikasi yang menuntut lainnya.Dibandingkan dengan bahan tradisional seperti kuarsa atau AlN, SiC memberikan stabilitas termal yang superior dan masa pakai yang diperpanjang.
Prinsip KerjaDari SiC Carrier Plate
Dalam proses suhu tinggi, plat pembawa SiC berfungsi sebagai pendukung untuk membawa wafer atau bahan film tipis.meningkatkan stabilitas dan keseragaman prosesSelain itu, karena kekerasannya dan inertitas kimia, pelat mempertahankan integritas struktural bahkan di lingkungan korosif, memastikan kemurnian produk dan keselamatan peralatan.
Aplikasi TipikalDari SiC Carrier Plate
- Dukungan substrat dalam epitaksi MOCVD
- Pengolahan termal dari semikonduktor jarak lebar seperti SiC dan GaN
- Proses penggilingan, sintering, dan difusi untuk wafer
- Pembagi panas dan pembawa dalam pembuatan chip LED
- Transportasi material dan dukungan di lingkungan vakum tinggi atau korosif
Pertanyaan dan JawabanDari SiC Carrier Plate
T1: Apa suhu operasi maksimum dari SiC plat pembawa?
A: Plat SiC biasanya dapat menahan suhu hingga 1600 °C atau lebih tinggi, tergantung pada lingkungan pengolahan dan durasi.
P2: Bagaimana SiC dibandingkan dengan pembawa AlN atau kuarsa?
A: SiC menawarkan konduktivitas termal yang lebih tinggi, ketahanan kejut termal yang unggul, dan umur layanan yang lebih lama, menjadikannya ideal untuk aplikasi yang keras dan berulang kali digunakan.
Q3: Apakah ukuran dan bentuk dapat disesuaikan?
A: Ya, kami menawarkan ukuran, ketebalan, pola lubang, dan finishing permukaan yang disesuaikan untuk memenuhi kebutuhan peralatan dan proses spesifik Anda.
Produk terkait
Wafer SiC 12 inci Wafer Karbida Silikon 300mm Wafer Dummy Konduktif Kelas N-Tipe Kelas Penelitian
4H/6H P-Type Sic Wafer 4inch 6inch Z Grade P Grade D Grade Off Axis 2.0°-4.0° Ke arah P-type Doping