 |
Wafer SiC 12 inci Wafer Karbida Silikon 300mm Substrat 750±25um 4H-N Tipe Orientasi 100 Produksi Penelitian Kelas
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | ZMSH |
| Sertifikasi: | Rohs |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 1 |
|---|---|
| Kemasan rincian: | wadah wafer tunggal |
| Waktu pengiriman: | 2-4 minggu |
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T, |
|
Informasi Detail |
|||
| Politipe: | 4H -IC 6H- SIC | Diameter: | 12 inci 300mm |
|---|---|---|---|
| Konduktivitas: | N tipe / Semi isolasi | Dopan: | N2 (Nitrogen) V (Vanadium) |
| Orientasi: | Pada sumbu <s0001> OFF AXIS <S0001> OFF 4 ° | Resistivitas: | 0.015 ~ 0,03 ohm-cm (4H-N) |
| Micropipe Density (MPD): | ≤10/cm2 ~ ≤1/cm2 | TTV: | ≤ 25 μm |
| Menyoroti: | 4H-N Silicon Carbide wafer,Wafer Karbida Silikon 12 inci,Wafer Karbida Silikon 300 mm |
||
Deskripsi Produk
Wafer SiC 12 inci Wafer Karbida Silikon 300mm 750±25um 4H-N tipe orientasi 100 Produksi Penelitian kelas
Abstrak wafer SiC 12 inci
Wafer Silicon Carbide (SiC) 12 inci ini dirancang untuk aplikasi semikonduktor canggih, dengan diameter 300mm, ketebalan 750±25μm,dan orientasi kristal tipe 4H-N dengan politipe 4H-SiCWafer ini diproduksi dengan menggunakan teknik manufaktur berkualitas tinggi untuk memenuhi standar lingkungan penelitian dan produksi.suhu tinggi, dan perangkat frekuensi tinggi, sering digunakan dalam aplikasi seperti kendaraan listrik (EV), elektronik daya, dan teknologi RF.Integritas struktural wafer yang unggul dan spesifikasi yang tepat memastikan hasil yang tinggi dalam pembuatan perangkat, menawarkan kinerja optimal dalam penelitian mutakhir dan aplikasi industri.
Bagan data wafer SiC 12 inci
| 1 2Inch Silicon Carbide (SiC) Spesifikasi Substrat | |||||
| Kelas | Produksi ZeroMPD Kelas ((Kelas Z) |
Produksi Standar Kelas ((Kelas P) |
Tingkat Dummy (Kelas D) |
||
| Diameter | 3 0 0 mm | ||||
| Ketebalan | 4H-N | 750 μm±15 μm | 750 μm±25 μm | ||
| 4H-SI | 750 μm±15 μm | 750 μm±25 μm | |||
| Orientasi Wafer | Di luar sumbu: 4,0° menuju < 1120 > ± 0,5° untuk 4H-N, Pada sumbu: < 0001> ± 0,5° untuk 4H-SI | ||||
| Densitas Micropipe | 4H-N | ≤ 0,4 cm-2 | ≤4cm-2 | ≤ 25cm-2 | |
| 4H-SI | ≤5cm-2 | ≤10cm-2 | ≤ 25cm-2 | ||
| Resistivitas | 4H-N | 0.015~0.024 Ω·cm | 0.015~0.028 Ω·cm | ||
| 4H-SI | ≥1E10 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||
| Orientasi Flat Utama | {10-10} ± 5,0° | ||||
| Panjang datar utama | 4H-N | N/A | |||
| 4H-SI | Cangkang | ||||
| Eksklusi Edge | 3 mm | ||||
| LTV/TTV/Bow/Warp | ≤5μm/≤15μm/≤35 μm/≤55 μm | ≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm | |||
| Ketidakseimbangan | Ra≤1 nm Polandia | ||||
| CMP Ra≤0,2 nm | Ra≤0,5 nm | ||||
| Celah tepi oleh cahaya intensitas tinggi Plat Hex Dengan Cahaya Intensitas Tinggi Daerah Politipe Dengan Cahaya Intensitas Tinggi Inklusi Karbon Visual Permukaan Silikon tergores oleh cahaya intensitas tinggi |
Tidak ada Luas kumulatif ≤ 0,05% Tidak ada Luas kumulatif ≤ 0,05% Tidak ada |
Panjang kumulatif ≤ 20 mm, panjang tunggal ≤ 2 mm Luas kumulatif ≤0,1% Luas kumulatif≤3% Luas kumulatif ≤ 3% Panjang kumulatif≤1 × diameter wafer |
|||
| Chip Edge Dengan Cahaya Intensitas Tinggi | Tidak diizinkan lebar dan kedalaman ≥ 0,2 mm | 7 diizinkan, ≤1 mm masing-masing | |||
| (TSD)Dislokasi sekrup threading | ≤500 cm-2 | N/A | |||
| (BPD)Dislokasi bidang dasar | ≤1000 cm-2 | N/A | |||
| SIlicon PermukaanKontaminasi oleh Cahaya Intensitas Tinggi | Tidak ada | ||||
| Kemasan | Kaset multi-wafer atau wadah wafer tunggal | ||||
| Catatan: | |||||
| 1 Batas defek berlaku untuk seluruh permukaan wafer kecuali area pengecualian tepi. Goresan harus diperiksa pada sisi Si saja. 3 Data dislokasi hanya dari wafer bertuliskan KOH. |
|||||
Foto wafer SiC 12 inci
SiC wafer 12 inci memiliki sifat
1.SiC memiliki sifat material:
- Bandgap lebar: SiC memiliki bandgap yang luas (~ 3.26 eV), yang memungkinkannya beroperasi pada tegangan, suhu, dan frekuensi yang lebih tinggi dibandingkan dengan silikon tradisional (Si).
- Konduktivitas Termal Tinggi: Konduktivitas termal SiC jauh lebih tinggi daripada silikon (sekitar 3,7 W/cm·K), sehingga sangat cocok untuk aplikasi bertenaga tinggi di mana disipasi panas sangat penting.
- Tegangan High Breakdown: SiC dapat menangani tegangan yang jauh lebih tinggi (hingga 10 kali lebih tinggi daripada silikon), menjadikannya ideal untuk elektronik daya, seperti transistor daya dan dioda.
- Mobilitas Elektron Tinggi: Mobilitas elektron di SiC lebih tinggi daripada di silikon tradisional, berkontribusi pada waktu switching yang lebih cepat di perangkat elektronik.
2.Sifat Mekanis:
- Kekerasan Tinggi: SiC sangat keras (kekerasan Mohs 9), yang berkontribusi pada ketahanan pakai tetapi juga membuatnya sulit untuk diproses dan mesin.
- Ketegangan: Ini memiliki modulus Young yang tinggi, yang berarti lebih kaku dan lebih tahan lama dibandingkan dengan silikon, yang meningkatkan ketahanan dalam perangkat.
- Kelembutannya: SiC lebih rapuh daripada silikon, yang penting untuk dipertimbangkan selama pengolahan wafer dan pembuatan perangkat.
Aplikasi wafer SiC 12 inci
Wafer SiC 12 inci terutama digunakan dalam elektronik daya berkinerja tinggi, termasuk MOSFET daya, dioda, dan IGBT, memungkinkan konversi energi yang efisien di industri sepertikendaraan listrik,energi terbarukan, dansistem tenaga industri. SiC's konduktivitas termal yang tinggi, bandgap yang luas, dan kemampuan untuk menahan suhu tinggi membuatnya ideal untuk aplikasi dielektronik otomotif,Inverter daya, dansistem energi bertenaga tinggi. Penggunaannya dalamperangkat RF frekuensi tinggidanSistem komunikasi gelombang mikrojuga membuatnya penting untuk telekomunikasi, aerospace, dan sistem radar militer.
Selain itu, wafer SiC digunakan dalamLED dan optoelektronika, berfungsi sebagai substrat untukLED biru dan UV, yang sangat penting untuk pencahayaan, tampilan, dan sterilisasi. ketahanan bahan dalam lingkungan yang keras memungkinkan penggunaannya disensor suhu tinggi,Peralatan medis, danSistem tenaga satelit. Dengan peran yang semakin besar dalamjaringan cerdas,penyimpanan energi, dandistribusi daya, SiC membantu meningkatkan efisiensi, keandalan, dan kinerja di berbagai aplikasi.
Pertanyaan dan Jawaban Wafer SiC 12 inci
1.Apa itu wafer SiC 12 inci?
Jawaban: Wafer SiC 12 inci adalah substrat silikon karbida (SiC) dengan diameter 12 inci, terutama digunakan dalam industri semikonduktor, terutama untuk kekuatan tinggi, suhu tinggi,dan aplikasi frekuensi tinggiBahan SiC banyak digunakan dalam elektronik tenaga, elektronik otomotif, dan perangkat konversi energi karena sifat listrik, termal, dan mekaniknya yang sangat baik.
2.Apa keuntungan dari wafer SiC 12 inci?
Jawaban: Keuntungan dari wafer SiC 12 inci meliputi:
- Stabilitas suhu tinggi: SiC dapat beroperasi pada suhu hingga 600 °C atau lebih tinggi, menawarkan kinerja suhu tinggi yang lebih baik daripada bahan silikon tradisional.
- Pengolahan Daya Tinggi: SiC dapat menahan tegangan dan arus tinggi, membuatnya cocok untuk aplikasi bertenaga tinggi seperti manajemen baterai kendaraan listrik dan catu daya industri.
- Konduktivitas Termal Tinggi: SiC memiliki konduktivitas termal yang jauh lebih tinggi dibandingkan silikon, yang membantu dalam disipasi panas yang lebih baik, meningkatkan keandalan dan efisiensi perangkat.