Wafer SiC 4H-N 8 inci, Ketebalan 500±25μm atau disesuaikan, N-Doped, Dummy,Produksi, Kelas Penelitian

8 inci 4H-N tipe SiC Wafer abstrak

Wafer Silicon Carbide (SiC) tipe 4H-N 8 inci merupakan bahan mutakhir yang banyak digunakan dalam elektronik tenaga dan aplikasi semikonduktor canggih.terutama politipe 4H, sangat dihargai karena sifat fisik dan listriknya yang unggul, termasuk bandgap luas 3,26 eV, konduktivitas termal yang tinggi, dan tegangan pemecahan yang luar biasa.Karakteristik ini membuatnya ideal untuk kekuatan tinggi, suhu tinggi, dan perangkat frekuensi tinggi.

PeraturanDoping tipe Nmemperkenalkan kotoran donor seperti nitrogen, meningkatkan konduktivitas listrik wafer dan memungkinkan kontrol yang tepat dari sifat elektroniknya.Doping ini sangat penting untuk pembuatan perangkat daya canggih seperti MOSFETUkuran wafer 8 inci menandai tonggak penting dalam teknologi wafer SiC.menawarkan peningkatan hasil dan efisiensi biaya untuk produksi skala besar, memenuhi permintaan industri seperti kendaraan listrik, sistem energi terbarukan, dan otomatisasi industri.

8 inci 4H-N jenis SiC Wafer Properties

Sifat Dasar

1. Ukuran Wafer: 8 inci (200 mm), ukuran standar untuk produksi skala besar, yang biasa digunakan dalam pembuatan perangkat semikonduktor berkinerja tinggi.

2. Struktur Kristal: 4H-SiC, milik sistem kristal heksagonal. 4H-SiC menawarkan mobilitas elektron yang tinggi dan konduktivitas termal yang sangat baik, menjadikannya ideal untuk aplikasi frekuensi tinggi dan daya tinggi.

3. Jenis doping: N-type (nitrogen-doped), menyediakan konduktivitas yang cocok untuk perangkat daya, perangkat RF, perangkat optoelectronic, dll.

Sifat Listrik

1.Bandgap: 3.23 eV, menyediakan bandgap yang luas yang memastikan operasi yang dapat diandalkan dalam lingkungan suhu tinggi dan tegangan tinggi.

2.Mobilitas Elektron: 800~1000 cm2/V·s pada suhu kamar, memastikan transportasi muatan yang efisien, cocok untuk aplikasi daya tinggi dan frekuensi tinggi.

3.Pengurangan medan listrik.: > 2,0 MV/cm, menunjukkan wafer dapat menahan tegangan tinggi, membuatnya cocok untuk aplikasi tegangan tinggi.

Sifat Termal

1Konduktivitas termal: 120-150 W/m·K, memungkinkan disipasi panas yang efektif dalam aplikasi kepadatan daya tinggi, mencegah overheating.

2Koefisien Ekspansi Termal: 4.2 × 10−6 K−1, mirip dengan silikon, membuatnya kompatibel dengan bahan lain seperti logam, mengurangi masalah ketidakcocokan termal.

Sifat Mekanis

1.Keras: SiC memiliki kekerasan Mohs 9.5, kedua hanya untuk berlian, membuatnya sangat tahan terhadap keausan dan kerusakan di bawah kondisi ekstrem.

2.Roughness permukaan: Biasanya kurang dari 1 nm (RMS), memastikan permukaan halus untuk pemrosesan semikonduktor presisi tinggi.

Stabilitas Kimia

1.Resistensi korosi: Ketahanan yang sangat baik terhadap asam kuat, basa, dan lingkungan yang keras, memastikan stabilitas jangka panjang dalam kondisi yang menuntut.

8 inci 4H-N tipe SiC Wafer gambar

8 inci 4H-N jenis SiC Wafer aplikasi

1. Power Electronics: Digunakan secara luas dalam MOSFET, IGBT, dioda Schottky, dll., Untuk aplikasi seperti kendaraan listrik, konversi daya, manajemen energi, dan pembangkit listrik tenaga surya.

2.RF dan Aplikasi Frekuensi Tinggi: Digunakan di stasiun pangkalan 5G, komunikasi satelit, sistem radar, dan aplikasi frekuensi tinggi, daya tinggi lainnya.

3.Optoelektronika: Digunakan dalam LED biru dan ultraviolet dan perangkat optoelektronik lainnya.

4. Elektronik Otomotif: Digunakan dalam sistem manajemen baterai kendaraan listrik (BMS), sistem kontrol daya, dan aplikasi otomotif lainnya.

5Energi Terbarukan: Digunakan dalam inverter efisiensi tinggi dan sistem penyimpanan energi, meningkatkan efisiensi konversi energi.