 |
3C-N Tipe Silicon Carbide Wafer 2 inci 4 inci 6 inci Atau 5 * 5 10 * 10mm Ukuran Produksi Kelas Penelitian Kelas
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | ZMSH |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Waktu pengiriman: | 2-4 minggu |
|---|---|
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T |
|
Informasi Detail |
|||
| Diameter: | 5*5mm±0,2mm & 10*10mm±0,2mm 2 inci 4 inci 6 inci | Ketebalan: | Ukuran 350 mikron±25 mikron |
|---|---|---|---|
| Resistivitas 3C-N: | ≤0,8 mΩ•cm | Panjang rata primer: | 15,9mm ±1,7mm |
| Panjang Datar Sekunder: | 8,0mm ±1,7mm | Pengecualian Tepi: | 3mm |
| TTV/Busur/Warp: | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 | Ketidakseimbangan: | Polandia Ra≤1 nm CMP Ra≤0,2 nm |
| Permukaan Silikon Tergores Oleh Cahaya Intensitas Tinggi: | 3 goresan hingga 1×panjang kumulatif diameter wafer | ||
| Menyoroti: | Wafer Karbida Silikon 4 inci,Wafer Karbida Silikon 6 inci,Wafer Karbida Silikon Berkualitas Penelitian |
||
Deskripsi Produk
Wafer Silikon Karbida Tipe 3C-N 2 inci 4 inci 6 inci atau ukuran 5*5 & 10*10mm, kelas produksi Kelas Penelitian
Ringkasan Wafer Silikon Karbida Tipe 3C-N
Wafer Silikon Karbida (SiC) Tipe 3C-Nadalah variasi spesifik wafer SiC yang memanfaatkan politipe kubik 3C. Dikenal karena sifat termal, listrik, dan mekaniknya yang luar biasa, wafer ini dirancang untuk memenuhi persyaratan ketat teknologi canggih di bidang elektronik, optoelektronik, dan perangkat listrik.
Itupolitipe 3Cmemiliki struktur kristal kubik, menawarkan beberapa keunggulan dibandingkan politipe heksagonal seperti 4H-SiC dan 6H-SiC. Salah satu manfaat utama 3C-SiC adalah kemampuannyamobilitas elektron yang lebih tinggi, yang membuatnya ideal untuk aplikasi frekuensi tinggi dan elektronika daya yang memerlukan peralihan cepat dan kehilangan energi yang rendah. Selain itu, wafer 3C-N SiC memiliki acelah pita yang lebih rendah(sekitar 2,36 eV), yang masih memungkinkannya menangani daya dan tegangan tinggi secara efisien.
Wafer ini tersedia dalam ukuran standar seperti5x5mmDan10x10mm, dengan aketebalan 350 μm ± 25 μm, memastikan kompatibilitas yang tepat untuk berbagai proses fabrikasi perangkat. Mereka sangat cocok untuk digunakan dikekuatan tinggiDanperangkat frekuensi tinggi, seperti MOSFET, dioda Schottky, dan komponen semikonduktor lainnya, menawarkan kinerja yang andal dalam kondisi ekstrem.
Itukonduktivitas termalwafer 3C-N SiC memungkinkan pembuangan panas yang efisien, fitur penting untuk perangkat yang beroperasi pada kepadatan daya tinggi. Selain itu, kekuatan mekanik dan ketahanan terhadap tekanan termal dan kimia membuatnya tahan lama di lingkungan yang menantang, sehingga semakin meningkatkan penerapannyaelektronika daya,teknologi AR, Dansensor suhu tinggi.
Singkatnya, wafer SiC Tipe 3C-N menggabungkan karakteristik elektronik, termal, dan mekanis yang unggul, menjadikannya penting untuk perangkat elektronik generasi mendatang dan aplikasi berkinerja tinggi.
Foto Wafer Silikon Karbida Tipe 3C-N
Sifat Wafer Silikon Karbida Tipe 3C-N
Struktur Kristal:
Struktur politipe kubik (3C), menawarkan mobilitas elektron yang lebih tinggi dibandingkan dengan politipe SiC heksagonal seperti 4H-SiC dan 6H-SiC, sehingga cocok untuk aplikasi frekuensi tinggi.
Pilihan Ukuran:
Tersedia dalam dimensi 5x5mm dan 10x10mm, memberikan fleksibilitas untuk berbagai aplikasi.
Ketebalan:
Ketebalan 350 μm ± 25 μm yang dikontrol secara presisi, memastikan stabilitas mekanis dan kompatibilitas dengan berbagai proses fabrikasi.
Mobilitas Elektron Tinggi:
Struktur kristal kubik menghasilkan peningkatan transpor elektron, sehingga menguntungkan untuk aplikasi berkecepatan tinggi dan kehilangan energi rendah pada elektronika daya dan perangkat RF.
Konduktivitas Termal:
Konduktivitas termal yang sangat baik memungkinkan pembuangan panas yang efisien, hal ini penting untuk perangkat yang beroperasi pada kepadatan daya tinggi, membantu mencegah panas berlebih dan meningkatkan umur perangkat.
Celah pita:
Celah pita yang lebih rendah sekitar 2,36 eV, cocok untuk aplikasi tegangan tinggi dan daya tinggi sambil mempertahankan pengoperasian yang efisien di lingkungan ekstrem.
Kekuatan Mekanik:
Wafer 3C-N SiC menunjukkan ketahanan mekanis yang tinggi, menawarkan ketahanan terhadap keausan dan deformasi, memastikan keandalan jangka panjang dalam kondisi yang sulit.
Transparansi Optik:
Sifat optik yang baik, khususnya untuk aplikasi optoelektronik seperti LED dan fotodetektor, berkat transparansinya pada panjang gelombang tertentu.
Stabilitas Kimia dan Termal:
Sangat tahan terhadap tekanan termal dan kimia, sehingga cocok untuk digunakan di lingkungan ekstrem seperti elektronik dan sensor bersuhu tinggi.
Sifat-sifat ini menjadikan wafer 3C-N SiC ideal untuk berbagai aplikasi tingkat lanjut, termasuk elektronika daya, perangkat frekuensi tinggi, optoelektronik, dan sensor.
Bagan data Wafer Silikon Karbida Tipe 3C-N
晶格领域 2 itu SiC 晶片产品标准
2 Silikon berdiameter inciSubstrat Karbida (SiC). Spesifikasi
|
等级 Kelas |
工业级 Kelas Produksi (Kelas P) |
研究级 Kelas Penelitian (Kelas R) |
foto Kelas Boneka (Kelas D) |
|||
| Diameter 直径 | 50,8mm±0,38mm | |||||
| 厚度 Ketebalan | 350 m±25 m | |||||
| 晶片方向 Orientasi Wafer | Di luar sumbu: 2.0°-4.0°menuju [112 | 0] ± 0,5° untuk 4H/6H-P, Pada sumbu:〈111〉± 0,5° untuk 3C-N | ||||
| 微管密度 Kepadatan Mikropipa | 0 cm-2 | |||||
| 电阻率 ※Resistivitas | 4H/6H-P | ≤0,1 Ω.cm | ||||
| 3C-N | ≤0,8 mΩ•cm | |||||
| 主定位边方向 Orientasi Datar Primer | 4H/6H-P | {10-10} ±5,0° | ||||
| 3C-N | {1-10} ±5,0° | |||||
| 主定位边长度 Panjang Datar Primer | 15,9mm ±1,7mm | |||||
| 次定位边长度 Panjang Datar Sekunder | 8,0mm ±1,7mm | |||||
| 次定位边方向 Orientasi Datar Sekunder | Silikon menghadap ke atas: 90° CW. dari Prime datar ±5,0° | |||||
| 边缘去除 Pengecualian Tepi | 3mm | 3mm | ||||
| 总厚度变化/弯曲度/翘曲度 TTV/Bow /Warp | ≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | |||||
| 表面粗糙度※ Kekasaran | Polandia Ra≤1 nm | |||||
| CMP Ra≤0,2 nm | ||||||
| 边缘裂纹(强光灯观测) Tepi Retak Karena Cahaya Intensitas Tinggi | Tidak ada | 1 diperbolehkan, ≤1 mm | ||||
| 六方空洞(强光灯观测) ※ Pelat Hex Dengan Cahaya Intensitas Tinggi | Luas kumulatif≤1% | Luas kumulatif≤3% | ||||
| 多型(强光灯观测) ※ Area Politipe Dengan Cahaya Intensitas Tinggi | Tidak ada | Luas kumulatif≤2% | Luas kumulatif≤5% | |||
|
Si 面划痕(强光灯观测)# Permukaan Silikon Tergores Oleh Cahaya Intensitas Tinggi |
3 goresan untuk 1×wafer diameter panjang kumulatif |
5 goresan untuk 1×wafer diameter panjang kumulatif |
8 goresan hingga panjang kumulatif diameter 1×wafer | |||
| 崩边(强光灯观测) Keripik Tepi Tinggi Dengan Intensitas Cahaya ringan | Tidak ada | 3 diperbolehkan, masing-masing ≤0,5 mm | 5 diperbolehkan, masing-masing ≤1 mm | |||
|
硅面污染物(强光灯观测) Kontaminasi Permukaan Silikon Dengan Intensitas Tinggi |
Tidak ada | |||||
| 包装 Kemasan | Kaset Multi-wafer atau Wadah Wafer Tunggal | |||||
Catatan:
※Batas cacat berlaku untuk seluruh permukaan wafer kecuali area pengecualian tepi. # Goresan sebaiknya dicek pada bagian muka Si saja.
Aplikasi Wafer Silikon Karbida Tipe 3C-N
Penerapan Wafer Silicon Carbide (SiC) Tipe 3C-N pada Industri Semikonduktor dan Mikroelektronika
Wafer Silikon Karbida Tipe 3C-N memainkan peran penting dalam industri semikonduktor dan mikroelektronika, menawarkan sifat unik yang meningkatkan kinerja dan efisiensi berbagai perangkat.
Elektronika Daya:
Dalam elektronika daya, wafer 3C-N SiC banyak digunakan pada perangkat berdaya tinggi sepertiMOSFET,Dioda Schottky, Dantransistor daya. Konduktivitas termal dan mobilitas elektronnya yang tinggi memungkinkan perangkat ini beroperasi secara efisien pada tegangan dan suhu tinggi sekaligus meminimalkan kehilangan energi. Hal ini menjadikan 3C-N SiC ideal untuk digunakansistem konversi daya,kendaraan listrik (EV), Dansistem energi terbarukan, dimana pengelolaan energi yang efisien sangatlah penting.
Perangkat Frekuensi Tinggi:
Mobilitas elektron yang sangat baik dari wafer 3C-N SiC menjadikannya cocok untukfrekuensi radio (RF)Danaplikasi gelombang mikro, sepertiamplifier,osilator, Danfilter. Wafer ini memungkinkan perangkat beroperasi pada frekuensi lebih tinggi dengan kehilangan sinyal lebih rendah, sehingga meningkatkan kinerja sistem komunikasi nirkabel, teknologi satelit, dan sistem radar.
Elektronik Suhu Tinggi:
Wafer SiC 3C-N juga digunakan pada perangkat semikonduktor yang beroperasi di lingkungan ekstrem, sepertisensor suhu tinggiDanaktuator. Kekuatan mekanis, stabilitas kimia, dan ketahanan termal material memungkinkan perangkat ini bekerja dengan andal di industri seperti dirgantara, otomotif, dan minyak & gas, yang mengharuskan perangkat tahan terhadap kondisi pengoperasian yang keras.
Sistem Mikroelektromekanis (MEMS):
Dalam industri mikroelektronika, wafer 3C-N SiC digunakanperangkat MEMS, yang membutuhkan material dengan kekuatan mekanik dan stabilitas termal yang tinggi. Perangkat tersebut antara lainsensor tekanan,akselerometer, Dangiroskop, yang mendapat manfaat dari daya tahan dan kinerja SiC dalam berbagai suhu dan tekanan mekanis.
Optoelektronik:
Wafer 3C-N SiC juga digunakan dalamLED,fotodetektor, dan perangkat optoelektronik lainnya karena transparansi optiknya dan kemampuannya menangani daya tinggi, memberikan kemampuan emisi dan deteksi cahaya yang efisien.
Singkatnya, wafer SiC Tipe 3C-N sangat penting dalam industri semikonduktor dan mikroelektronika, khususnya dalam aplikasi yang memerlukan kinerja tinggi, daya tahan, dan efisiensi dalam kondisi ekstrem.