Wafer Karbida Silikon 3C-N Tipe 5*5 10*10mm Inch Diameter Ketebalan 350 μm±25 μm

Wafer Karbida Silikon tipe 3C-N 5*5 & 10*10mm diameter inci ketebalan 350 μm±25 μm

Karbida Silikon Wafer 3C-N jenis abstrak

Abstrak ini memperkenalkan wafer jenis Silicon Carbide (SiC) 3C-N, tersedia dalam ukuran 5x5mm dan 10x10mm dengan ketebalan 350 μm ± 25 μm.Wafer ini dirancang untuk memenuhi kebutuhan yang tepat dari aplikasi berkinerja tinggi dalam optoelektronikDengan konduktivitas termal, kekuatan mekanik, dan sifat listrik yang unggul, wafer SiC 3C-N menawarkan daya tahan dan disipasi panas yang ditingkatkan,membuat mereka ideal untuk perangkat yang membutuhkan stabilitas termal yang tinggi dan manajemen energi yang efisienDimensi dan ketebalan yang ditentukan memastikan kompatibilitas di berbagai aplikasi industri dan penelitian canggih.

Wafer Karbida Silikon tipe 3C-N

Silikon Karbida Wafer jenis 3C-N sifat & data grafik

Jenis bahan: 3C-N Silicon Carbide (SiC)

Bentuk kristal ini menawarkan sifat mekanik dan termal yang sangat baik, cocok untuk aplikasi berkinerja tinggi.

Ukuran:

Tersedia dalam dua ukuran standar: 5x5mm dan 10x10mm.

Ketebalan:

Ketebalan: 350 μm ± 25 μm

Ketebalan yang dikontrol dengan presisi memastikan stabilitas mekanik dan kompatibilitas dengan berbagai persyaratan perangkat.

Konduktivitas Termal:

SiC menunjukkan konduktivitas termal yang unggul, memungkinkan disipasi panas yang efisien, menjadikannya ideal untuk aplikasi yang membutuhkan manajemen termal, seperti kaca AR dan elektronik daya.

Kekuatan Mekanis:

SiC memiliki kekerasan dan kekuatan mekanik yang tinggi, memberikan daya tahan dan ketahanan terhadap keausan dan deformasi, penting untuk lingkungan yang menuntut.

Sifat Listrik:

Wafer SiC memiliki tegangan pemisahan listrik yang tinggi dan ekspansi termal yang rendah, yang sangat penting untuk perangkat bertenaga tinggi dan frekuensi tinggi.

Kejelasan Optik:

SiC memiliki transparansi yang sangat baik dalam panjang gelombang optik tertentu, membuatnya cocok untuk digunakan dalam teknologi optoelektronik dan AR.

Stabilitas Tinggi:

Ketahanan SiC terhadap tekanan termal dan kimia memastikan keandalan jangka panjang dalam kondisi yang keras.

SiC 3C-N sangat serbaguna untuk digunakan dalam perangkat elektronik dan optoelektronik canggih, serta teknologi AR generasi berikutnya.

5*5 & 10*10mm Inch SiC 晶片产品标准

5*5 & 10*10mm inci diameter Silidengan Karbida (SiC)

Catatan:

※ Batas cacat berlaku untuk seluruh permukaan wafer kecuali area pengecualian tepi. # Goresan harus diperiksa pada sisi Si saja.

Aplikasi Wafer Karbida Silikon tipe 3C-N

Wafer Karbida Silikon (SiC), khususnya tipe 3C-N, adalah varian SiC yang memiliki karakteristik unik karena struktur kristal kubiknya (3C-SiC).Wafer ini terutama digunakan dalam berbagai kinerja tinggi dan aplikasi khusus karena sifatnya yang sangat baikBeberapa aplikasi utama wafer SiC tipe 3C-N meliputi:

1.Elektronika Daya

• Perangkat tegangan tinggi: Wafer SiC sangat ideal untuk pembuatan perangkat daya seperti MOSFET, dioda Schottky, dan IGBT.seperti kendaraan listrik (EV), kendaraan listrik hibrida (HEV), dan sistem energi terbarukan (seperti inverter surya).
• Konversi daya yang efisien: SiC memungkinkan efisiensi yang lebih tinggi dan penurunan kerugian energi dalam sistem konversi daya, seperti konverter DC-DC dan drive motor.

2.Perangkat Frekuensi Tinggi

• Aplikasi RF: 3C-SiC cocok untuk aplikasi RF dan microwave, termasuk sistem radar, komunikasi satelit, dan teknologi 5G karena mobilitas elektronnya yang tinggi.
• Penguat frekuensi tinggi: Perangkat yang beroperasi dalam kisaran frekuensi GHz mendapat manfaat dari disipasi daya rendah dan stabilitas termal tinggi dari 3C-SiC.

3.Sensor Suhu Tinggi dan Lingkungan Kekerasan

• Sensor suhu: Wafer SiC dapat digunakan dalam perangkat untuk lingkungan suhu ekstrim, seperti proses aerospace, otomotif, dan industri.
• Sensor tekanan: 3C-SiC digunakan dalam sensor tekanan yang harus beroperasi di lingkungan ekstrim seperti eksplorasi laut dalam atau ruang vakum tinggi.
• Sensor kimia: 3C-N SiC secara kimiawi inert, sehingga berguna dalam gas atau sensor kimia untuk pemantauan di lingkungan korosif.

4.LED dan Optoelektronika

• LED biru dan UV: Bandgap yang luas dari 3C-SiC membuatnya ideal untuk pembuatan dioda penerbit cahaya biru dan ultraviolet (LED), yang digunakan dalam teknologi tampilan, penyimpanan data (Blu-ray), dan proses sterilisasi.
• Fotodetektor: Wafer SiC dapat digunakan dalam fotodetektor ultraviolet (UV) untuk berbagai aplikasi, termasuk deteksi api, pemantauan lingkungan, dan astronomi.

5.Komputasi Kuantum dan Penelitian

• Perangkat kuantum: 3C-SiC dieksplorasi dalam komputasi kuantum untuk mengembangkan spintronik dan perangkat berbasis kuantum lainnya karena sifat cacatnya yang unik yang memungkinkan penyimpanan dan pemrosesan informasi kuantum.
• Penelitian materi: Karena 3C-SiC adalah politipe SiC yang relatif kurang umum, ia digunakan dalam penelitian untuk mengeksplorasi potensi keuntungannya dibandingkan jenis SiC lainnya (seperti 4H-SiC atau 6H-SiC).

6.Aerospace dan Pertahanan

• Elektronika lingkungan yang keras: Perangkat SiC sangat penting dalam industri kedirgantaraan dan pertahanan untuk aplikasi seperti modul daya, sistem radar, dan komunikasi satelit, di mana kondisi ekstrem dan keandalan adalah kunci.
• Elektronik yang kuat: Kemampuan SiC untuk menahan tingkat radiasi yang tinggi membuatnya ideal untuk digunakan dalam misi ruang angkasa dan peralatan militer.

Singkatnya, wafer SiC tipe 3C-N terutama digunakan dalam elektronik daya, perangkat frekuensi tinggi, sensor untuk lingkungan yang keras, optoelektronika, perangkat kuantum, dan aplikasi kedirgantaraan,di mana sifat unik mereka seperti bandgap lebar, stabilitas termal, dan mobilitas elektron yang tinggi memberikan keuntungan yang signifikan dibandingkan dengan bahan berbasis silikon tradisional.

Pertanyaan dan Jawaban

Apa itu 3C silikon karbida?

3C Silicon Carbide (3C-SiC)adalah salah satu politipe silikon karbida, ditandai dengan struktur kristal kubiknya, membedakannya dari bentuk heksagonal yang lebih umum seperti 4H-SiC dan 6H-SiC.kisi kubik dari 3C-SiC memberikan beberapa manfaat yang luar biasa.

Pertama, pameran 3C-SiCmobilitas elektron yang lebih tinggi, membuatnya menguntungkan untuk perangkat elektronik frekuensi tinggi dan daya, terutama dalam aplikasi yang membutuhkan switching cepat.bandgapadalah lebih rendah (sekitar 2,36 eV) dibandingkan dengan politipe SiC lainnya, masih berkinerja baik di lingkungan tegangan tinggi dan daya tinggi.

Selain itu, 3C-SiC mempertahankanKonduktivitas termal tinggidankekuatan mekanikKarbida silikon, memungkinkan untuk beroperasi dalam kondisi ekstrem, seperti suhu tinggi dan lingkungan tekanan tinggi.transparansi optik, sehingga cocok untuk aplikasi optoelektronik seperti LED dan fotodetektor.

Akibatnya, 3C-SiC banyak digunakan dalamElektronika daya,perangkat frekuensi tinggi,Optoelektronika, dansensor, terutama dalam skenario suhu tinggi dan frekuensi tinggi, di mana sifatnya yang unik menawarkan keuntungan yang signifikan.