SiC Wafer 4H tipe N Silicon Karbida kelas 2 inci 4 inci 6 inci 8 inci DSP Disesuaikan

SiC Wafer 4H tipe N Silicon Karbida kelas 2 inci 4 inci 6 inci 8 inci DSP Disesuaikan

Deskripsi Wafer SiC:

Wafer Karbida Silikon hadir dalam tipe 4H n, yang merupakan jenis yang paling umum digunakan untuk wafer karbida silikon. Wafer jenis ini lebih disukai karena mobilitas pembawa yang tinggi,Konduktivitas termal tinggi, dan stabilitas kimia dan mekanik yang tinggi.

Wafer Karbida Silikon tersedia dalam tiga kelas yang berbeda: Produksi, Penelitian, dan Dummy.Wafer kelas produksi dirancang untuk digunakan dalam aplikasi komersial dan diproduksi dengan standar kualitas yang ketatWafer kelas penelitian dirancang untuk digunakan dalam aplikasi penelitian dan pengembangan dan diproduksi untuk standar kualitas yang lebih tinggi.Wafer kelas dummy dirancang untuk digunakan sebagai placeholder dalam proses manufaktur.

Karakter dari SiC Wafer:

Wafer silikon karbida (SiC) adalah bahan semikonduktor kunci yang memainkan peran penting dalam perangkat elektronik bertenaga tinggi dan frekuensi tinggi, di antara aplikasi lainnya.Berikut adalah beberapa karakteristik wafer SiC:
 

1Karakteristik celah broadband:
SiC memiliki bandgap yang luas, biasanya antara 2,3 dan 3,3 elektron volt, yang membuatnya sangat baik untuk aplikasi suhu tinggi dan daya tinggi.Properti celah pita lebar ini membantu mengurangi arus kebocoran dalam bahan dan meningkatkan kinerja perangkat.

2Konduktivitas termal:
SiC memiliki konduktivitas termal yang sangat tinggi, beberapa kali lebih tinggi daripada wafer silikon konvensional.Konduktivitas termal yang tinggi ini memfasilitasi disipasi panas yang efisien dalam perangkat elektronik bertenaga tinggi dan meningkatkan stabilitas dan keandalan perangkat.

3Sifat mekanik:
SiC memiliki kekuatan mekanik dan kekerasan yang sangat baik, yang penting untuk aplikasi dalam suhu tinggi dan lingkungan yang keras.dan lingkungan dengan radiasi tinggi, sehingga cocok untuk aplikasi yang membutuhkan kekuatan dan daya tahan yang tinggi.

4Stabilitas kimia:
SiC memiliki ketahanan tinggi terhadap korosi kimia dan dapat menahan serangan banyak bahan kimia, sehingga bekerja dengan baik di beberapa lingkungan khusus di mana kinerja stabil diperlukan.

5Sifat listrik:
SiC memiliki tegangan pemecahan yang tinggi dan arus kebocoran yang rendah, membuatnya sangat berguna dalam tegangan tinggi, perangkat elektronik frekuensi tinggi.Wafer SiC memiliki resistivitas yang lebih rendah dan permittivitas yang lebih tinggi, yang penting untuk aplikasi RF.

Secara umum, wafer SiC memiliki prospek aplikasi yang luas dalam perangkat elektronik bertenaga tinggi, perangkat RF, dan perangkat optoelektronik karena sifat listrik, termal, dan mekaniknya yang sangat baik.

Tabel karakteristik Wafer SiC:

Foto fisik SiC Wafer:

Aplikasi Wafer SiC:

1Perangkat elektronik tenaga:
Wafer SiC memiliki berbagai aplikasi di bidang perangkat elektronik daya seperti MOSFET daya (metal oxide semiconductor field effect transistor) dan SCHTKEY (Schottky barrier diode).Kekuatan medan pemecahan yang tinggi dan kecepatan drift kejenuhan elektron yang tinggi dari bahan SiC menjadikannya pilihan ideal untuk konverter daya dengan kepadatan daya tinggi dan efisiensi tinggi.

2Perangkat frekuensi radio (RF):
Wafer SiC juga menemukan aplikasi penting dalam perangkat RF, seperti amplifier daya RF dan perangkat microwave.Mobilitas elektron yang tinggi dan kehilangan rendah dari bahan SiC membuat mereka sangat baik dalam frekuensi tinggi dan aplikasi daya tinggi.

3Perangkat optoelektronik:
Wafer SiC juga semakin banyak digunakan dalam perangkat optoelektronik, seperti fotodioda, detektor sinar ultraviolet, dan dioda laser.SiC memiliki sifat optik yang sangat baik dan stabilitas yang membuatnya menjadi bahan penting dalam bidang perangkat optoelektronik.

4Sensor suhu tinggi:
Wafer SiC banyak digunakan di bidang sensor suhu tinggi karena sifat mekaniknya yang sangat baik dan stabilitas suhu tinggi.radiasi, dan lingkungan korosif dan cocok untuk sektor kedirgantaraan, energi, dan industri.

5Perangkat elektronik tahan radiasi:
Ketahanan radiasi dari wafer SiC membuat mereka banyak digunakan dalam tenaga nuklir, aerospace dan bidang lain di mana karakteristik ketahanan radiasi diperlukan.Bahan SiC memiliki stabilitas tinggi terhadap radiasi dan cocok untuk perangkat elektronik di lingkungan radiasi tinggi.

Gambar aplikasi Wafer SiC:

Pengaturan Wafer SiC:

Kami berkomitmen untuk menyediakan solusi wafer SiC berkualitas tinggi dan berkinerja tinggi yang disesuaikan untuk memenuhi beragam kebutuhan pelanggan kami.pabrik kami dapat menyesuaikan wafer SiC dari berbagai spesifikasi, ketebalan dan bentuk sesuai dengan kebutuhan khusus pelanggan kami.

FAQ:

1T: Apa wafer safir terbesar?
A: 300mm (12 inci) safir sekarang merupakan wafer terbesar untuk Light Emitting Diodes (LED) dan elektronik konsumen.

2. T: Berapa ukuran wafer safir?

A: Diameter wafer standar kami berkisar dari ukuran 25,4 mm (1 inci) hingga 300 mm (11,8 inci);Wafer dapat diproduksi dalam berbagai ketebalan dan orientasi dengan sisi dipoles atau tidak dipoles dan dapat mencakup dopant.

3T: Apa perbedaan antara wafer safir dan silikon?
A: LED adalah aplikasi yang paling populer untuk safir. Bahan ini transparan dan merupakan konduktor cahaya yang sangat baik.Silikon tidak transparan dan tidak memungkinkan ekstraksi cahaya yang efisienNamun, bahan semikonduktor sangat ideal untuk LED, karena murah dan transparan.

Rekomendasi produk:

1.4H-N 8 inci SiC Wafer

2.4 inci 4H-N SiC substrat

3.4H-SEMI 2 inci SiC Wafer