 |
Sapphire Wafer 6 inci DSP SSP C-plane ((0001) 99,999% Tinggi kemurnian Monocrystalline Al2O3 LED
Detail produk:
| Place of Origin: | China |
| Nama merek: | ZMSH |
| Model Number: | Sapphire subatrate |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Waktu pengiriman: | 2-4 minggu |
|---|---|
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T |
|
Informasi Detail |
|||
| Berat Molekul: | 101.96 | Ketebalan lapisan: | 1-5um |
|---|---|---|---|
| Resistivitas intrinsik: | 1E16 Ω-cm | Pengelasan: | DSP, SSP |
| Indeks bias: | Biasanya Sekitar 1,76 (pada 589 Nm) | Stabilitas Kimia: | Bagus sekali. |
| Kekasaran permukaan: | Ra < 0,5 Nm | Toleransi diameter: | ≤3% |
| Menyoroti: | LED Sapphire Wafer,Wafer Sapphire 6 inci,Wafer Sapphire Berkualitas Tinggi |
||
Deskripsi Produk
Sapphire Wafer 6 inci DSP SSP C-plane ((0001) 99,999% Tinggi kemurnian Monocrystalline Al2O3 LED
Deskripsi Produk Wafer Sapphire 6 inci:
Sapphire wafer adalah jenis mineral dengan karakteristik seperti kekerasan tinggi (9.0 Mohs), transparansi yang baik, dan stabilitas kimia.Safir alami dan safir sintetisWafer safir sintetis diproduksi melalui reaksi kimia di bawah suhu tinggi dan tekanan tinggi.membuat mereka banyak digunakan dalam produksi industriMetode dan kondisi sintesis yang berbeda dapat menghasilkan wafer safir dalam berbagai warna dan bentuk, seperti kuning emas, merah muda, dll.
Substrat 6 inci (sekitar 150 mm) biasanya memiliki ketebalan standar dan cocok untuk pertumbuhan epitaxial.Menumbuhkan dengan metode peleburan (seperti metode Verneuil) atau metode larutan (seperti metode Czochralski), dimungkinkan untuk menghasilkan substrat safir kristal tunggal berkualitas tinggi. Ini memberikan kualitas kristal yang baik dan membantu meningkatkan kinerja dan keandalan perangkat.Cocok untuk digunakan pada suhu tinggi dan lingkungan yang berubah untuk memastikan stabilitas jangka panjang perangkat. Digunakan secara luas dalam pertumbuhan epitaxial LED biru dan putih, memberikan substrat GaN yang baik. Digunakan secara luas dalam pertumbuhan epitaxial LED biru dan putih, memberikan substrat GaN yang baik.Ini juga memainkan peran penting dalam frekuensi tinggi dan perangkat daya tinggi.
Karakter Wafer Safir 6 inci:
1Stabilitas kimia
Tahan korosi: Safir memiliki stabilitas kimia yang sangat baik dan dapat menahan korosi berbagai zat kimia.
2. Karakteristik optik
Transparansi: Memiliki transmisi yang baik di daerah cahaya tampak dan sinar ultraviolet, cocok untuk perangkat fotoelektrik.
Kerugian cahaya yang rendah: Dalam aplikasi daya tinggi, substrat safir dapat secara efektif mengurangi kehilangan cahaya.
3. Sifat mekanik
Kekerasan tinggi: Kekerasan safir sangat tinggi, ketahanan aus yang kuat, dapat mempertahankan stabilitas di lingkungan yang keras.
Ketahanan: Meskipun ketahanan safir tinggi, ketahanan safir juga relatif baik dan dapat menahan dampak tertentu.
4. Sifat termal
Konduktivitas termal: Memiliki konduktivitas termal yang baik, dapat secara efektif menghilangkan panas, cocok untuk aplikasi suhu tinggi.
Stabilitas termal: Dapat mempertahankan kinerja yang stabil dalam lingkungan suhu tinggi, cocok untuk perangkat bertenaga tinggi.
5. Karakteristik listrik
Isolasi: Sapphire adalah isolator listrik yang sangat baik untuk aplikasi tegangan tinggi.
6. Proses pertumbuhan
Kristal berkualitas tinggi: Menggunakan proses canggih seperti metode peleburan atau metode Czochralski untuk tumbuh, substrat kristal tunggal berkualitas tinggi dapat diperoleh.
7. Standarisasi ukuran
Spesifikasi 6 inci: Ukuran standar 6 inci (sekitar 150 mm), membuatnya lebih kompatibel dan dapat diulang selama pembuatan.
Tabel parameter dari 6 inci Sapphire Wafer:
| Artikel | 6 inci C-plane ((0001) 1300μm Sapphire Wafers | |
| Bahan Kristal | 99,999%, Kemurnian Tinggi, Monokristalin Al2O3 | |
| Kelas | Prime, Epi-Siap | |
| Orientasi permukaan | C-plane ((0001) | |
| C-plane off-sudut ke arah sumbu M 0,2 +/- 0,1° | ||
| Diameter | 150.0 mm +/- 0,2 mm | |
| Ketebalan | 1300 μm +/- 25 μm | |
| Orientasi Flat Utama | A-plane ((11-20) +/- 0,2° | |
| Panjang datar utama | 47.0 mm +/- 1,0 mm | |
| Satu sisi dipoles | Permukaan depan | Epi-dipoli, Ra < 0,2 nm (dengan AFM) |
| (SSP) | Permukaan Belakang | Tanah halus, Ra = 0,8 μm sampai 1,2 μm |
| Dua sisi dipoles | Permukaan depan | Epi-dipoli, Ra < 0,2 nm (dengan AFM) |
| (DSP) | Permukaan Belakang | Epi-dipoli, Ra < 0,2 nm (dengan AFM) |
| TTV | < 25 μm | |
| BOW | < 25 μm | |
| WARP | < 25 μm | |
| Pembersihan / Kemasan | Kelas 100 pembersih kamar bersih dan kemasan vakum, | |
| 25 buah dalam satu bungkus kaset atau bungkus satu bagian. | ||
Foto fisik dari 6 inci Sapphire Wafer:
Aplikasi Wafer Safir 6 inci:
1. Aplikasi wafer safir C-plane
Dibandingkan dengan substrat safir dengan orientasi kristal lainnya,C-plane (<0001> orientasi) wafer safir menunjukkan ketidakcocokan konstan kisi yang relatif lebih kecil dengan bahan kelompok III-V dan II-VI (seperti GaN)Selain itu, ketidakcocokan konstan kisi antara keduanya dan film tipis AlN yang dapat berfungsi sebagai lapisan penyangga bahkan lebih kecil.Karakteristik ini membuat wafer safir C-plane bahan substrat yang umum digunakan dalam proses pertumbuhan GaN.
Karena kemampuannya untuk memenuhi persyaratan suhu tinggi dalam proses epitaksi GaN, wafer safir C-plane sangat ideal untuk produksi dioda penerbit cahaya putih/biru/hijau (LED),dioda laser, detektor inframerah, dan perangkat lainnya.
2. Aplikasi wafer safir A-plane
Karena kinerja keseluruhan yang luar biasa, terutama transparansi yang sangat baik meningkatkan penetrasi cahaya inframerah,monokristal safir telah menjadi bahan jendela mid-infrared yang ideal dan banyak digunakan dalam perangkat elektro optik militerDalam konteks ini, safir A-plane mewakili wajah non-polar tegak lurus ke permukaan kutub (C-plane).kristal safir yang ditanam di arah a menunjukkan kualitas yang lebih baik dibandingkan dengan yang ditanam di arah cHasilnya, wafer safir arah a menawarkan sifat transmisi cahaya yang lebih baik.
Selain itu, karena susunan ikatan atom Al-O-Al-O pada A-plane, a-direction sapphire memiliki kekerasan dan ketahanan aus yang jauh lebih tinggi dibandingkan dengan c-direction sapphire.Oleh karena ituSelain itu, safir A-plane juga memiliki konstanta dielektrik yang seragam dan karakteristik isolasi yang tinggi,membuatnya cocok untuk aplikasi dalam teknologi mikroelektronik campuranHal ini juga dapat digunakan dalam proses pertumbuhan superkonduktor suhu tinggi,seperti pertumbuhan film superkonduktif heteroepitaxial menggunakan bahan seperti TlBaCaCuO (TbBaCaCuO) pada substrat komposit dari safir dan cerium oksida (CeO2).
3Aplikasi wafer safir R-plane dan M-plane
R-plane dari safir adalah wajah non-polar, dan oleh karena itu, variasi dalam posisi R-plane dalam perangkat safir menghasilkan sifat mekanik, termal, listrik, dan optik yang berbeda.Secara umum, substrat safir R-plane lebih disukai untuk deposisi heteroepitaxial dengan silikon dan terutama digunakan dalam pembuatan semikonduktor,aplikasi sirkuit terpadu gelombang mikro dan mikroelektronikSubstrat safir R-plane juga digunakan dalam produksi bola ruby, komponen superkonduktor lainnya, resistor bertentangan tinggi, dan gallium arsenide.
Dengan penggunaan smartphone yang luas, sistem tablet, dan perangkat lainnya,Substrat safir R-plane telah menggantikan perangkat gelombang akustik permukaan komposit (SAW) yang ada yang digunakan dalam smartphone dan tabletMereka berfungsi sebagai substrat untuk perangkat yang dapat meningkatkan kinerja, memberikan dasar yang lebih baik untuk berbagai aplikasi.
Gambar aplikasi dari 6 inci Sapphire Wafer:
Pengaturan:
ZMSH dapat menyediakan wafer safir dengan orientasi kristal apa pun, seperti C-plane, A-plane, R-plane, M-plane, dan banyak lagi.
A-plane Sapphire Wafer:Wafer ini menunjukkan konstanta dielektrik seragam dan sifat isolasi yang tinggi, membuat mereka banyak digunakan di bidang mikroelektronika campuran.
M-plane Sapphire Wafer:Prospek aplikasi safir dalam deteksi sinar ultraviolet dekat telah menyebabkan meningkatnya minat pada film tipis semikonduktor paduan MgZnO.
R-plane Sapphire Wafers:R-plane (1-102) wafer safir adalah bahan yang disukai untuk deposisi epitaxial silikon dalam aplikasi IC mikroelektronik.
Selain ukuran standar dan orientasi kristal,berbagai off-angle dan apakah untuk memasukkan orientasi flat juga ditawarkan untuk memaksimalkan fleksibilitas bagi pelanggan dalam penelitian atau aplikasi bisnisSemua wafer safir dibersihkan dan dikemas di ruang bersih Kelas 100 dan secara langsung berlaku untuk pertumbuhan epitaxial (grade siap Epi) untuk memenuhi persyaratan pertumbuhan epitaxial yang ketat dari pelanggan.Baik dengan permukaan yang dipoles atau tidak dipoles, dengan atau tanpa orientasi flat, kami dapat menyesuaikan produksi sesuai dengan kebutuhan spesifik Anda untuk memenuhi berbagai persyaratan di bidang penelitian Anda.
6 inci Sapphire Wafer's Gambar Disesuaikan:
FAQ:
1T: Berapa ukuran wafer safir?
A: Diameter wafer standar kami berkisar dari ukuran 25,4 mm (1 inci) hingga 300 mm (11,8 inci);Wafer dapat diproduksi dalam berbagai ketebalan dan orientasi dengan sisi dipoles atau tidak dipoles dan dapat mencakup dopant.
2T: Mengapa menggunakan substrat safir?
A: Sapphire memiliki isolasi listrik yang luar biasa, transparansi, konduktivitas panas yang baik, dan sifat kekakuan yang tinggi.Oleh karena itu merupakan bahan yang ideal untuk substrat dan digunakan dalam LED dan sirkuit mikroelektronik, sirkuit terintegrasi ultra-tinggi kecepatan.
3T: Mengapa wafer yang lebih besar lebih baik?
A: Meningkatkan ukuran wafer berarti luas permukaan yang lebih besar untuk setiap sel surya.menghasilkan output daya yang lebih tinggi per sel dan modulWafer yang lebih besar dapat secara signifikan meningkatkan produksi energi keseluruhan dari instalasi surya.
Rekomendasi produk:
1. 8 inci 6 inci Sapphire Substrate
(Klik gambar untuk lebih lanjut)
2. 4 inci Sapphire Wafer
(Klik gambar untuk lebih lanjut)
3. 10*10*0.1mmt 100um Double Side Polished Led Sapphire Substrate 2 inci
(Klik gambar untuk lebih lanjut)