 |
Sapphire Wafer 4 inci DSP SSP 0001 C Pesawat Terima Custom Axis Monocrystal Al2O3
Detail produk:
| Place of Origin: | China |
| Nama merek: | ZMSH |
| Model Number: | Sapphire subatrate |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Waktu pengiriman: | 2-4 minggu |
|---|---|
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T |
|
Informasi Detail |
|||
| Berat Molekul: | 101.96 | Pengelasan: | DSP, SSP |
|---|---|---|---|
| Toleransi diameter: | ≤3% | menyesuaikan: | Dapat diterima. |
| Panjang: | 30 m | Kekasaran permukaan: | Ra < 0,5 Nm |
| Resistivitas intrinsik: | 1E16 Ω-cm | metode pertumbuhan: | KY |
| Menyoroti: | Wafer Safir 4 inci,C Wafer Safir Lemparan,Monocrystal Sapphire wafer |
||
Deskripsi Produk
Sapphire wafer 4 inci DSP SSP (0001) C Plane Terima Custom Axis Monocrystal Al2O3
Deskripsi produk:
Wafer safir terdiri dari aluminium oksida (Al2O3), di mana tiga atom oksigen ikatan dengan dua atom aluminium dalam struktur kovalen.Ini menunjukkan struktur kristal kisi heksagonal dan umumnya fitur memotong pesawat seperti A-pesawat, C-plane, dan R-plane. Karena rentang transparansi optiknya yang luas, wafer safir memungkinkan transmisi cahaya dari ultraviolet dekat (190nm) ke panjang gelombang inframerah menengah,membuatnya ideal untuk komponen optik, perangkat inframerah, jendela laser kekuatan tinggi, dan bahan topeng. wafer safir dikenal karena kecepatan suara yang tinggi, ketahanan suhu tinggi, ketahanan korosi, kekerasan tinggi,transparansi yang sangat baik, dan titik leleh yang tinggi (2045 ° C). Ini adalah bahan yang menantang untuk diproses tetapi umumnya digunakan dalam perangkat optoelektronik.
Kualitas LED putih/biru ultra terang tergantung pada kualitas lapisan epitaxial gallium nitride (GaN), yang pada gilirannya,terkait erat dengan kualitas surface processing wafer safir yang digunakanKetidakcocokan konstan kisi antara wafer safir (Al2O3) kristal tunggal C-pesawat dan III-V dan II-VI kelompok film tipis terdeposit adalah minimal,selaras dengan persyaratan suhu tinggi dari proses epitaksi GaNHal ini membuat wafer safir menjadi bahan penting untuk memproduksi LED putih/biru/hijau.
Karakter
1Struktur dan Komposisi Wafer Safir
Sapphire wafer memiliki struktur kristal heksagonal dengan kelompok ruang R-3c, dan unit struktural dasarnya adalah oktahedron AlO6.,membentuk jaringan tiga dimensi yang sangat simetris dan stabil.
2Sifat Optik dan Elektronik Wafer Safir
Sapphire wafer memiliki sifat optik yang sangat baik membuatnya menjadi bahan yang ideal untuk komponen optik.terutama di kisaran ultraviolet hingga near-infrared (150nm sampai 5500nm), dengan indeks bias sekitar 1.76Transparansi yang luas ini memungkinkan safir digunakan secara luas dalam instrumen optik presisi tinggi.
Dalam hal sifat elektronik, wafer safir adalah insulator dengan bandgap lebar sekitar 9,9 eV, membuatnya unggul dalam perangkat elektronik tegangan tinggi dan frekuensi tinggi.Karena isolasi yang tinggi dan kehilangan dielektrik yang rendah, safir umumnya digunakan sebagai bahan substrat untuk perangkat semikonduktor, terutama dalam transistor mobilitas elektron tinggi (HEMT) dan perangkat berbasis gallium nitride (GaN).
3Sifat Mekanis dan Termodinamika
Sapphire wafer memiliki kekerasan Mohs 9, kedua hanya untuk berlian, memberikan ketahanan yang luar biasa terhadap abrasi dan goresan.mampu menahan tekanan tinggi dan benturanWafer safir juga menunjukkan konduktivitas termal yang sangat tinggi sekitar 25 W/m·K, mempertahankan sifat fisik dan kimia yang stabil di lingkungan suhu tinggi.Dengan titik leleh tinggi 2054°C dan koefisien ekspansi termal rendah (8.4 x 10^-6/K), wafer safir dapat mempertahankan stabilitas dimensi dalam aplikasi suhu tinggi.
| Diameter | 4 inci 100 ± 0,3 mm |
| Ketebalan | 650±20μm |
| Orientasi | C-plane (0001) ke M-plane (1-100) atau A-plane ((1 1-2 0) 0.2±0.1° /0.3±0.1°, R-plane (1-1 0 2), A-plane (1 1-2 0 ), M-plane ((1-1 0 0) |
| Panjang datar utama | 32.5±1,5 mm |
| Orientasi datar utama | A-plane (1 1-2 0) ± 0,2° |
| TTV | ≤ 20μm |
| LTV | ≤ 20μm |
| TIR | ≤ 20μm |
| BOW | ≤ 20μm |
| Warp | ≤ 20μm |
| Permukaan depan | Epi-Polished (Ra< 0,2nm) |
| Permukaan Belakang | Tanah halus (Ra=0,5 sampai 1,2 μm), Epi-Polished (Ra< 0,2nm) |
| Catatan | Dapat menyediakan wafer substrat safir berkualitas tinggi sesuai dengan persyaratan khusus pelanggan |
Aplikasi:
Wafer safir adalah bahan multifungsi yang sangat baik yang dikenal karena ketahanan suhu tinggi, konduktivitas termal yang baik, kekerasan tinggi, transparansi inframerah, dan stabilitas kimia.Mereka banyak digunakan dalam berbagai industri, pertahanan, dan bidang penelitian, seperti untuk jendela inframerah suhu tinggi.Wafer safir berfungsi sebagai substrat kristal tunggal serbaguna dan merupakan substrat yang disukai dalam industri biru, dioda penerbit cahaya ungu dan putih (LED) dan dioda laser biru (LD) (membutuhkan film epitaxial gallium nitride pada substrat safir).Mereka juga penting untuk superkonduktif substrata film tipis.
Proses pengolahan substrat safir:
1. Pertumbuhan Kristal: Menggunakan tungku pertumbuhan kristal untuk menumbuhkan safir kristal tunggal yang besar dan berkualitas tinggi.
2. Orientasi: Pastikan kristal safir diposisikan dengan benar pada mesin gergaji untuk pengolahan selanjutnya.
3Menggergaji: Mengekstrak batang safir dari kristal dengan cara tertentu.
4Penggilingan: Gunakan penggilingan silinder eksternal untuk menggilingan diameter luar batang safir dengan tepat.
5Pemeriksaan kualitas: Memverifikasi kualitas batang safir dan memeriksa apakah dimensi dan orientasi pasca ekstraksi memenuhi spesifikasi pelanggan.
6. Orientasi (lagi): Posisi tepat batang safir pada mesin pemotong untuk pemotongan yang tepat.
7Mengiris: Potong batang safir menjadi wafer tipis.
8. polishing: Menghilangkan kerusakan pemotongan dan meningkatkan ketebalan wafer.
9. Chamfering: Potong tepi wafer menjadi bentuk bulat untuk meningkatkan kekuatan mekanik dan mencegah cacat yang disebabkan oleh konsentrasi stres.
10. Buffing: Meningkatkan kekasaran permukaan wafer untuk mencapai presisi epitaxial.
11Membersihkan: Menghilangkan kontaminan dari permukaan wafer (misalnya, partikel debu, logam, residu organik).
12. Inspeksi Kualitas (lagi): Menggunakan peralatan inspeksi presisi tinggi untuk menilai kualitas wafer (ketat, kebersihan permukaan, dll.) untuk memenuhi persyaratan pelanggan.
Rekomendasi produk:
1.8 inci 0,725 Dia100mm C Plane Single Crystal Sapphire Wafer 1300mm 1500mm Ketebalan
2.6 inci Sapphire Wafer Orientasi 0001 Al2O3 Single Crystal Optical Transparency
FAQ:
T: Apa itu wafer safir?
A: Sapphire wafer oleh Vritra Technologies
Synthetic Sapphire adalah bentuk kristal tunggal dari Aluminium Oxide (Al2O3).ketahanan goresan, kehilangan dielektrik rendah dan isolasi listrik yang baik.
T: Apa perbedaan antara wafer safir dan silikon?
A: LED adalah aplikasi yang paling populer untuk safir. Bahan ini transparan dan merupakan konduktor cahaya yang sangat baik.Silikon tidak transparan dan tidak memungkinkan ekstraksi cahaya yang efisienNamun, bahan semikonduktor sangat ideal untuk LED, karena murah dan transparan.
T: Apa itu safir dalam semikonduktor?
A: Wafer safir digunakan untuk epitaksi film semikonduktor seperti Si, gallium nitride (GaN), dan AlGaN, dan untuk membuat sirkuit terintegrasi.Substrat safir C-plane digunakan untuk pertumbuhan GaN dan senyawa IIIV dan IIVI lainnya saat memproduksi LED dan untuk aplikasi detektor IR.