 |
Wafer SiC 2 inci 4H N tipe 6H-N tipe 4H Semi tipe 6H Semi tipe Double Side Polished
Detail produk:
| Place of Origin: | China |
| Nama merek: | ZMSH |
| Model Number: | Silicon Carbide |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Delivery Time: | 2 weeks |
|---|---|
| Payment Terms: | 100%T/T |
|
Informasi Detail |
|||
| Diameter: | 2 inci | Partikel: | Partikel Bebas/Rendah |
|---|---|---|---|
| Bahan: | Silikon Karbida | Jenis: | 4H-N/ 6H-N/4/6H-SI |
| Orientasi: | Sumbu Aktif/Sumbu Luar | Resistivitas: | Resistivitas Tinggi/Rendah |
| ketidakmurnian: | Bebas/Pengotor Rendah | Kekasaran permukaan: | ≤1.2nm |
| Menyoroti: | 50.8mm Silicon Carbide wafer,Wafer Silicon Carbide kelas P,Wafer Sic Silikon Sisi Ganda |
||
Deskripsi Produk
Wafer Karbida Silikon 2 inci Diameter 50,8mm P grade R grade D drade Double Side Polished
Deskripsi produk:
Silicon Carbide Wafer adalah bahan berkinerja tinggi yang digunakan dalam produksi perangkat elektronik.Ini terbuat dari lapisan Karbida Silikon di atas wafer Silikon dan tersedia dalam berbagai kelasWafer memiliki ketebalan lambda/10, yang memastikan bahwa perangkat elektronik yang dibuat dari wafer memiliki kualitas dan kinerja tertinggi.Silicon Carbide Wafer adalah bahan yang ideal untuk digunakan dalam elektronik kekuatan, teknologi LED, dan sensor canggih. kami menyediakan wafer SiC berkualitas tinggi ((silikon karbida)) untuk industri elektronik dan optoelectronic.
Karakter:
Wafer SIC (Silicon Carbide) adalah jenis wafer semikonduktor berdasarkan bahan silikon karbida.
1. Konduktivitas Termal yang Lebih Tinggi: Wafer SIC memiliki konduktivitas termal yang jauh lebih tinggi daripada silikon, yang berarti wafer SIC dapat secara efektif menghilangkan panas dan cocok untuk beroperasi di lingkungan suhu tinggi.
2Mobilitas Elektron yang Lebih Tinggi:Wafer SIC memiliki mobilitas elektron yang lebih tinggi daripada silikon, memungkinkan perangkat SIC untuk beroperasi pada kecepatan yang lebih tinggi.
3. Tegangan pemecahan yang lebih tinggi:Bahan wafer SIC memiliki tegangan pemecahan yang lebih tinggi, membuatnya cocok untuk pembuatan perangkat semikonduktor tegangan tinggi.
4Stabilitas kimia yang lebih tinggi:Wafer SIC menunjukkan ketahanan yang lebih besar terhadap korosi kimia, berkontribusi pada peningkatan keandalan dan daya tahan perangkat.
5Bandgap yang lebih luas:Wafer SIC memiliki bandgap yang lebih luas daripada silikon, memungkinkan perangkat SIC untuk bekerja lebih baik dan lebih stabil pada suhu tinggi.
6. Resistensi radiasi yang lebih baik:Wafer SIC memiliki ketahanan terhadap radiasi yang lebih kuat, sehingga cocok untuk digunakan di lingkungan radiasi
seperti pesawat ruang angkasa dan fasilitas nuklir.
7. Kekerasan yang lebih tinggi:Wafer SIC lebih keras dari silikon, meningkatkan daya tahan wafer selama pengolahan.
8Konstan Dielektrik Rendah:Wafer SIC memiliki konstanta dielektrik yang lebih rendah daripada silikon, membantu mengurangi kapasitansi parasit dalam perangkat dan meningkatkan kinerja frekuensi tinggi.
9. Kecepatan Drift Elektron Penuh Lebih Tinggi:Wafer SIC memiliki kecepatan drift elektron jenuh yang lebih tinggi daripada silikon, memberikan perangkat SIC keuntungan dalam aplikasi frekuensi tinggi.
10.Densitas daya yang lebih tinggi:Dengan fitur-fitur yang disebutkan di atas, perangkat wafer SIC dapat mencapai output daya yang lebih tinggi dalam ukuran yang lebih kecil.
| Kelas | Kelas produksi | Tingkat Penelitian | Tingkat Dummy | ||
| Diameter | 500,8 mm±0,38 mm | ||||
| Ketebalan | 330 μm±25 μm | ||||
| Orientasi Wafer | Pada sumbu: <0001> ± 0,5° untuk 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI |
Di luar sumbu:40,0° ke arah 1120±0,5° untuk 4H-N/4H-SI | |||
| Dripasi Micropipe ((cm-2) | ≤ 5 | ≤15 | ≤ 50 | ||
| Resistivitas ((Ω·cm) | 4H-N | 0.015~0.028 Ω·cm | |||
| 6H-N | 0.02 ~ 0.1 | ||||
| 4/6H-SI | >1E5 | (90%) > 1E5 | |||
| Orientasi Flat Utama | {10-10} ± 5,0° | ||||
| Panjang datar utama (mm) | 15.9 ± 1.7 | ||||
| Panjang datar sekunder ((mm) | 8.0 ± 1.7 | ||||
| Orientasi rata sekunder | Silikon menghadap ke atas: 90° CW. dari Prime flat ±5.0° | ||||
| Eksklusi Edge | 1 mm | ||||
| TTV/Bow/Warp (um) | ≤15 /≤25 /≤25 | ||||
| Ketidakseimbangan | Ra≤1 nm Polandia | ||||
| CMP Ra≤0,5 nm | |||||
| Celah tepi oleh cahaya intensitas tinggi | Tidak ada | Tidak ada | 1 diizinkan, ≤1 mm | ||
| Plat Hex Dengan Cahaya Intensitas Tinggi | Luas kumulatif≤1 % | Luas kumulatif≤1 % | Luas kumulatif≤3 % | ||
Aplikasi:
1. Power Electronics: Wafer SiC banyak digunakan dalam perangkat elektronik daya seperti power converter, inverter,dan saklar tegangan tinggi karena tegangan pemecahan tinggi dan karakteristik kehilangan daya rendah.
Kendaraan Listrik: Wafer SiC digunakan dalam elektronik tenaga kendaraan listrik untuk meningkatkan efisiensi dan mengurangi berat, memungkinkan pengisian cepat dan jarak berkendara yang lebih lama.
2Energi Terbarukan: Wafer SiC memainkan peran penting dalam aplikasi energi terbarukan seperti inverter surya dan sistem tenaga angin, meningkatkan efisiensi dan keandalan konversi energi.
3. Aerospace dan Pertahanan: Wafer SiC sangat penting dalam industri aerospace dan pertahanan untuk aplikasi suhu tinggi, daya tinggi, dan tahan radiasi,termasuk sistem tenaga pesawat dan sistem radar.
4Penggerak Motor Industri: Wafer SiC digunakan dalam penggerak motor industri untuk meningkatkan efisiensi energi, mengurangi disipasi panas, dan meningkatkan umur peralatan.
5. Komunikasi nirkabel: Wafer SiC digunakan dalam penguat daya RF dan aplikasi frekuensi tinggi dalam sistem komunikasi nirkabel, menawarkan kepadatan daya yang lebih tinggi dan kinerja yang lebih baik.
6. Elektronik Suhu Tinggi: Wafer SiC cocok untuk aplikasi elektronik suhu tinggi di mana perangkat silikon konvensional mungkin tidak beroperasi secara andal,seperti dalam pengeboran lubang bawah dan sistem kontrol mesin mobil.
7Perangkat medis: Wafer SiC menemukan aplikasi dalam perangkat medis seperti mesin MRI dan peralatan sinar-X karena daya tahan, konduktivitas termal yang tinggi, dan ketahanan radiasi.
8Penelitian dan Pengembangan:Wafer SiC digunakan di laboratorium penelitian dan lembaga akademik untuk mengembangkan perangkat semikonduktor canggih dan mengeksplorasi teknologi baru di bidang elektronik.
9. Aplikasi lain: Wafer SiC juga digunakan di bidang seperti sensor lingkungan yang keras, laser bertenaga tinggi, dan komputasi kuantum karena sifat dan kinerja yang unik.
Pengaturan:
Kami menawarkan layanan kustomisasi untuk Partikel, Material, Grade, Orientasi, dan Diameter.Kami Silicon Karbida Wafer datang dengan pada sumbu atau orientasi off-sumbu tergantung pada kebutuhan AndaAnda juga bisa memilih diameter wafer karbida silikon yang Anda butuhkan.
Wafer Karbida Silikon tersedia dalam berbagai kelas, termasuk Produksi, Penelitian, dan Dummy.Wafer kelas produksi digunakan dalam produksi perangkat elektronik dan berkualitas tinggiWafer kelas Penelitian digunakan untuk tujuan penelitian, sementara wafer kelas Dummy digunakan untuk tujuan pengujian dan kalibrasi.termasuk 4H, yang merupakan jenis yang paling umum digunakan dalam perangkat elektronik.
FAQ:
T: Bagaimana membuat wafer SiC?
A: Proses ini melibatkan mengubah bahan baku seperti pasir silika menjadi silikon murni. Pertumbuhan kristal silikon menggunakan proses Czochralski, mengiris kristal menjadi cakram tipis dan datar,dan pembersihan dan persiapan wafer untuk digunakan dalam perangkat semikonduktor.
T: Bagaimana proses pembuatan SiC?
A: Proses pembuatan silikon karbida - GAB Neumann. silikon karbida (SiC) adalah senyawa silikon dan karbon dengan rumus kimia SiC.Proses manufaktur yang paling sederhana untuk memproduksi silikon karbida adalah menggabungkan pasir silika dan karbon dalam tungku resistansi listrik grafit Acheson pada suhu tinggi, antara 1600°C (2910°F) dan 2500°C (4530°F).
T: Apa kegunaan wafer silikon karbida?
A: Dalam elektronik, bahan SiC digunakan dengan dioda memancarkan cahaya (LED) dan detektor.Wafer SiC digunakan dalam perangkat elektronik yang beroperasi pada suhu tinggi, tegangan tinggi, atau keduanya.
Rekomendasi produk:
2.2 inci 3 inci 4 inci SiC Substrat 330um Ketebalan 4H-N Tipe Produksi Kelas