 |
SiC Wafer 4H N Tipe 8 inci Produksi kelas Dummy kelas Disesuaikan Sisi ganda dipoles Silicon Karbida Wafer
Detail produk:
| Tempat asal: | Cina |
| Nama merek: | ZMSH |
| Nomor model: | Wafer silikon karbida |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Waktu pengiriman: | 2-4 minggu |
|---|---|
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T |
|
Informasi Detail |
|||
| Parameter: | Jenis N | Politipe: | 4 jam |
|---|---|---|---|
| Ketebalan: | 500,0µm±25,0µm | Nilai: | Perdana, Dummy, Penelitian |
| Diameter: | 200,0 mm +0 mm/-0,5 mm | Orientasi Takik: | <1-100>±1° |
| Kekasaran Permukaan (10µm×10µm): | Si Wajah Ra≤0,2 nm ；C Wajah Ra≤0,5 nm | Kontaminasi Logam Permukaan: | (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca,V, Mn) ≤1E11cm-2 |
| Menyoroti: | 8 inci diameter SiC Wafer,LTV TTV BOW Warp SiC Wafer,Wafer SiC kelas P |
||
Deskripsi Produk
SiC Wafer 4H N Tipe 8 inci Produksi kelas Dummy kelas Disesuaikan Sisi ganda dipoles Silicon Karbida Wafer
Deskripsi Wafer SiC:
Wafer SiC adalah bahan semikonduktor yang memiliki sifat listrik dan termal yang sangat baik.Selain ketahanan termalnya yang tinggiDibandingkan dengan semikonduktor lainnya, wafer silikon karbida sangat ideal untuk berbagai aplikasi daya dan tegangan.Ini berarti bahwa ia cocok untuk berbagai perangkat listrik dan optik.Wafer SiC adalah bahan semikonduktor paling populer yang tersedia.Wafer silikon karbida adalah bahan yang sangat berguna untuk berbagai jenis perangkat elektronikKami menawarkan berbagai jenis wafer SiC berkualitas tinggi dan substrat.
Karakter Wafer SiC:
1. Energi Bandgap Tinggi
2Konduktivitas termal tinggi
3. Kekerasan Tinggi
4Stabilitas Kimia yang Baik
Bentuk Wafer SiC:
| Properti | Kelas P | Kelas D | |
| Bentuk Kristal | 4H | ||
| Politipe | Tidak diizinkan | Luas ≤ 5% | |
| (MPD) a | ≤1/cm2 | ≤5/cm2 | |
| Plat Hex | Tidak diizinkan | Luas ≤ 5% | |
| Penggabungan a | Luas ≤0,05% | N/A | |
| Resistivitas | 0.015Ω•cm 0.028Ω•cm | 0.014Ω•cm 0.028Ω•cm | |
| (EPD) a | ≤ 8000/cm2 | N/A | |
| (TED) a | ≤6000/cm2 | N/A | |
| (BPD) a | ≤ 2000/cm2 | N/A | |
| (TSD) a | ≤ 1000/cm2 | N/A | |
| Kesalahan tumpukan | ≤ 1% Luas | N/A | |
| Orientasi Notch | <1-100>±1° | ||
| Sudut cetakan | 90° +5°/-1° | ||
| Kedalaman Notch | 1.00mm+0.25mm/-0mm | ||
| Kesalahan orientasi orthogonal | ± 5,0° | ||
| Perbaikan permukaan | C-Face: Optical Polish, Si-Face: CMP | ||
| Wafer Edge | Pengeboran | ||
| Karat permukaan ((10μm × 10μm) | Si Wajah Ra≤0,2 nm;C Wajah Ra≤0,5 nm | ||
| LTV ((10mm×10mm) a | ≤3μm | ≤ 5 μm | |
| (TTV) a | ≤ 10 μm | ≤ 10 μm | |
| (BOW) a | ≤ 25μm | ≤ 40μm | |
| (Warp) a | ≤ 40μm | ≤ 80μm | |
Foto fisik SiC Wafer:
Aplikasi Wafer SiC:
1Perangkat daya:
Wafer SiC banyak digunakan dalam pembuatan perangkat elektronik daya seperti MOSFET daya (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors), dioda Schottky, dan modul terintegrasi daya.Karena keuntungan dari konduktivitas panas yang tinggi, tegangan pemecahan tinggi, dan mobilitas elektron tinggi SiC, perangkat ini dapat mencapai konversi daya yang efisien dan berkinerja tinggi dalam suhu tinggi, tegangan tinggi,dan lingkungan frekuensi tinggi.
2Perangkat Optoelektronik:
Wafer SiC memainkan peran penting dalam perangkat optoelektronik, digunakan untuk memproduksi fotodetektor, dioda laser, sumber UV, antara lain.Sifat optik dan elektronik yang unggul dari silikon karbida membuatnya menjadi bahan yang disukai, terutama unggul dalam aplikasi yang membutuhkan suhu tinggi, frekuensi, dan tingkat daya.
3Perangkat Frekuensi Radio (RF):
Wafer SiC juga digunakan dalam pembuatan perangkat RF seperti amplifier daya RF, saklar frekuensi tinggi, sensor RF, dan banyak lagi.dan kehilangan SiC yang lebih rendah membuatnya menjadi pilihan yang ideal untuk aplikasi RF seperti komunikasi nirkabel dan sistem radar.
4. Elektronik Suhu Tinggi:
Karena stabilitas termal dan ketahanan suhu yang tinggi, wafer SiC digunakan dalam produksi elektronik yang dirancang untuk beroperasi di lingkungan suhu tinggi,termasuk elektronik daya suhu tinggi, sensor, dan pengontrol.
Gambar Aplikasi Wafer SiC:
Pertanyaan dan Jawaban:
1P:Apa itu?signifikansidari wafer silikon karbida berkualitas tinggi?
A: Ini adalah langkah penting dalam memungkinkan produksi perangkat silikon karbida dalam skala besar, memenuhi permintaan industri semikonduktor untuk perangkat berkinerja tinggi dan sangat andal.
2T: Bagaimana wafer silikon karbida digunakan dalam aplikasi semikonduktor tertentu seperti elektronik daya dan optoelektronika?
A: Wafer silikon karbida digunakan dalam elektronik daya untuk perangkat seperti MOSFET daya, dioda Schottky,dan modul daya karena konduktivitas termal yang tinggi dan kemampuan penanganan teganganDalam optoelektronika, wafer SiC digunakan untuk fotodetektor, dioda laser, dan sumber UV karena bandgap yang luas dan stabilitas suhu tinggi,yang memungkinkan perangkat optoelektronik berkinerja tinggi.
3T: Keuntungan apa yang ditawarkan silikon karbida (SiC) dibandingkan wafer silikon tradisional dalam aplikasi semikonduktor?
A: Karbida silikon menawarkan beberapa keuntungan dibandingkan wafer silikon tradisional, termasuk tegangan pemecahan yang lebih tinggi, konduktivitas termal yang lebih tinggi, bandgap yang lebih luas, dan stabilitas suhu yang ditingkatkan.Properti ini membuat wafer SiC ideal untuk daya tinggi, aplikasi frekuensi tinggi, dan suhu tinggi di mana wafer silikon tradisional mungkin tidak bekerja secara optimal.
Rekomendasi produk:
4H-Semi High Purity SIC Wafers Prime Grade Semiconductor EPI Substrate