rincian produk

Rumah Produk

Substrat Semikonduktor

VGF 2 Inch 4Inch N / P Type GaAs Substrat Semikonduktor Wafer Untuk Pertumbuhan Epitaxial

Semua Kategori

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

Hubungi kami

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

Hubungi sekarang

Semua Kategori

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

VGF 2 Inch 4Inch N / P Type GaAs Substrat Semikonduktor Wafer Untuk Pertumbuhan Epitaxial

Nama merek:	ZMSH
Nomor Model:	substrat GaA
MOQ:	3 BUAH
harga:	BY case
Rincian kemasan:	wadah wafer tunggal di bawah ruang pembersihan
Ketentuan Pembayaran:	T/T, Serikat Barat

Informasi Rinci

Deskripsi Produk

Informasi Rinci

Tempat asal:

Sertifikasi:

Bahan:

wafer substrat GaA

ukuran:

2 inci 3 inci 4 inci 6 inci

metode pertumbuhan:

Dopan:

Si-doping Zn-doped undoped

TTV DDP:

TTV SSP:

Orientasi:

100+/-0,1 derajat

Menyoroti:

Substrat Semikonduktor Pertumbuhan Epitaxial

Wafer GaAs Tipe P

Substrat Semikonduktor Wafer GaAs

Deskripsi Produk

VGF 2 Inch 4Inch N Type P Type GaAs Substrat Semikonduktor Wafer Untuk Pertumbuhan Epitaxial

VGF 2 inci 4 inci 6 inci wafer GaAs kelas utama tipe-n untuk pertumbuhan epitaxial

Gallium arsenide dapat dibuat menjadi bahan resistansi tinggi semi-isolasi dengan resistivitas lebih dari 3 kali lipat lebih tinggi dari silikon dan germanium, yang digunakan untuk membuat substrat sirkuit terpadu, detektor inframerah, detektor foton gamma, dll. Karena mobilitas elektronnya adalah 5 hingga 6 kali lebih besar dari silikon, ia memiliki aplikasi penting dalam pembuatan perangkat gelombang mikro dan sirkuit digital berkecepatan tinggi.Gallium arsenide yang terbuat dari gallium arsenide dapat dibuat menjadi bahan resistansi tinggi semi-isolasi dengan resistivitas lebih dari 3 kali lipat lebih tinggi dari silikon dan germanium, yang digunakan untuk membuat substrat sirkuit terpadu dan detektor inframerah.

1. Penerapan gallium arsenide dalam optoelektronik

2. Penerapan gallium arsenide dalam mikroelektronika

3. Penerapan gallium arsenide dalam komunikasi

4. Penerapan gallium arsenide dalam microwave

5. Penerapan gallium arsenide dalam sel surya

Spesifikasi Wafer GaAs

Tipe/Dopan	Semi-Terisolasi	Tipe-P/Zn	Tipe-N/Si	Tipe-N/Si
Aplikasi	Mikro Elektronik	DIPIMPIN		Dioda Laser
Metode Pertumbuhan	VGF
Diameter	2", 3", 4", 6"
Orientasi	(100)±0,5°
Ketebalan (µm)	350-625um±25um
DARI/JIKA	US EJ atau Takik
Konsentrasi Pembawa	-	(0,5-5)*1019	(0,4-4)*1018	(0,4-0,25)*1018
Resistivitas (ohm-cm)	>107	(1.2-9.9)*10-3	(1.2-9.9)*10-3	(1.2-9.9)*10-3
Mobilitas (cm2/VS)	>4000	50-120	>1000	>1500
Kepadatan Etch Pitch (/cm2)	<5000	<5000	<5000	<500
TTV [P/P] (µm)	<5
TTV [P/E] (µm)	<10
Lengkungan (µm)	<10
Permukaan Selesai	P/P, P/E, E/E

Catatan: Spesifikasi Lain mungkin tersedia berdasarkan permintaan

Gallium arsenide adalah bahan semikonduktor yang paling penting dan banyak digunakan dalam semikonduktor majemuk, dan juga merupakan bahan semikonduktor majemuk yang paling matang dan terbesar dalam produksi saat ini.

Perangkat Gallium arsenide yang telah digunakan adalah:

Dioda gelombang mikro, dioda Gunn, dioda varactor, dll.
Transistor gelombang mikro: transistor efek medan (FET), transistor mobilitas elektron tinggi (HEMT), transistor bipolar hetero (HBT), dll.
Sirkuit terintegrasi: sirkuit terintegrasi monolitik gelombang mikro (MMIC), sirkuit terintegrasi kecepatan sangat tinggi (VHSIC), dll.
Komponen aula, dll.
dioda pemancar cahaya inframerah (IR LED);Dioda pemancar cahaya yang terlihat (LED, digunakan sebagai substrat);
Dioda laser (LD);
Detektor cahaya;
Sel surya efisiensi tinggi;

VGF 2 Inch 4Inch N / P Type GaAs Substrat Semikonduktor Wafer Untuk Pertumbuhan Epitaxial 0

Tag:

Substrat Safir

Sapphire Optical Windows

Silicon Carbide Wafer

Tabung Safir

Gallium Nitride Wafer

Substrat Semikonduktor

Batu Permata Sintetis

Bagian Keramik

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Kotak Pembawa Wafer

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

Substrat Safir

Sapphire Optical Windows

Silicon Carbide Wafer

Tabung Safir

Gallium Nitride Wafer

Substrat Semikonduktor

Batu Permata Sintetis

Bagian Keramik

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Kotak Pembawa Wafer

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

rincian produk

VGF 2 Inch 4Inch N / P Type GaAs Substrat Semikonduktor Wafer Untuk Pertumbuhan Epitaxial

Substrat Safir

Sapphire Optical Windows

Silicon Carbide Wafer

Tabung Safir

Gallium Nitride Wafer

Substrat Semikonduktor

Batu Permata Sintetis

Bagian Keramik

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Kotak Pembawa Wafer

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

Substrat Safir

Sapphire Optical Windows

Silicon Carbide Wafer

Tabung Safir

Gallium Nitride Wafer

Substrat Semikonduktor

Batu Permata Sintetis

Bagian Keramik

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Kotak Pembawa Wafer

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

VGF 2 Inch 4Inch N / P Type GaAs Substrat Semikonduktor Wafer Untuk Pertumbuhan Epitaxial

Substrat Semikonduktor Pertumbuhan Epitaxial

Wafer GaAs Tipe P

Substrat Semikonduktor Wafer GaAs

VGF 2 inci 4 inci 6 inci wafer GaAs kelas utama tipe-n untuk pertumbuhan epitaxial

Spesifikasi Wafer GaAs

Perangkat Gallium arsenide yang telah digunakan adalah: