Tebal 650um 4 Inch Single Crystal InP Semiconductor Substate

2 inci InP wafer 3 inci 4 inci N / P JENIS InP Semikonduktor Substrat Wafer Doped S + / Zn + / Fe +

pertumbuhan (metode VFG yang dimodifikasi) digunakan untuk menarik kristal tunggal melalui encapsulant cair oksida borat mulai dari biji.

Dopan (Fe, S, Sn atau Zn) ditambahkan ke wadah bersama dengan polikristal.Tekanan tinggi diterapkan di dalam ruang untuk mencegah dekomposisi Indium Fosfida.dia perusahaan telah mengembangkan proses untuk menghasilkan kristal tunggal inP dengan kerapatan dislokasi penuh, kemurnian tinggi dan dislokasi rendah.

Teknik VFG meningkatkan metode LEC berkat teknologi penyekat termal dalam hubungannya dengan numerik

pemodelan kondisi pertumbuhan termal.tCZ adalah teknologi matang yang hemat biaya dengan reproduktifitas berkualitas tinggi dari boule ke boule.

Aplikasi:
IIt memiliki keunggulan kecepatan penyimpangan batas elektronik tinggi, ketahanan radiasi yang baik, dan konduksi panas yang baik.Cocok untuk pembuatan perangkat gelombang mikro berfrekuensi tinggi, berkecepatan tinggi, berdaya tinggi, dan sirkuit terintegrasi.

Fitur:
1. Kristal ini tumbuh dengan teknologi gambar lurus yang disegel cairan (LEC), dengan teknologi yang matang dan kinerja listrik yang stabil.
2, menggunakan instrumen arah sinar-X untuk orientasi yang tepat, deviasi orientasi kristal hanya ± 0,5 °
3, wafer dipoles dengan teknologi pemolesan mekanis kimia (CMP), kekasaran permukaan <0,5nm
4, untuk mencapai persyaratan "kotak terbuka siap digunakan"
5, sesuai dengan kebutuhan pengguna, pemrosesan produk spesifikasi khusus