Rumah

Tentang kami

Profil Perusahaan

Tur Pabrik

Kontrol kualitas

Produk

Substrat Safir

Sapphire Optical Windows

Silicon Carbide Wafer

Tabung Safir

Gallium Nitride Wafer

Substrat Semikonduktor

Batu Permata Sintetis

Bagian Keramik

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Kotak Jam Tangan Sapphire Crystal

Kotak Pembawa Wafer

Substrat Tipis Monokristalin Superkonduktor

solusi

Blog

Hubungi kami

kutipan

Merekomendasikan video ini untuk Anda

Memutar ulang

Video berikutnya

Wafer Epitaxial 4H-SiC untuk MOSFET Tegangan Ultra Tinggi (100 ‰ 500 μm, 6 inci)

Silicon Carbide Wafer

2025-09-02

ngobrol sekarang

Berbagi

#substrat silikon karbida #wafer sic #silikon pada wafer safir

Ringkasan Produk Wafer Epitaxial 4H-SiC Perkembangan cepat kendaraan listrik, jaringan pintar, energi terbarukan, dan sistem industri bertenaga tinggi mendorong permintaan untuk perangkat semikondukto... Lihat Lebih Banyak

Pesan dari pengunjung Tinggalkan pesan.

Wafer Epitaxial 4H-SiC untuk MOSFET Tegangan Ultra Tinggi (100 ‰ 500 μm, 6 inci)

Wafer Epitaxial 4H-SiC untuk MOSFET Tegangan Ultra Tinggi (100 ‰ 500 μm, 6 inci)

ngobrol sekarang

Belajarlah lagi

Video Terkait

Bubuk SiC HPSI Semi-Isolating Berkualitas Tinggi/99.9999% Pertumbuhan Kristal Berkualitas

Bubuk SiC HPSI Semi-Isolating Berkualitas Tinggi/99.9999% Pertumbuhan Kristal Berkualitas

Silicon Carbide Wafer

Karbida Silikon (SiC) 10×10 mm Substrat / Chip Square Kecil

Karbida Silikon (SiC) 10×10 mm Substrat / Chip Square Kecil

Silicon Carbide Wafer

4H-N/Semi Type SiC Ingot Dan Substrat Industrial Dummy 2 inci 3 inci 4 inci 6 inci

4H-N/Semi Type SiC Ingot Dan Substrat Industrial Dummy 2 inci 3 inci 4 inci 6 inci

Silicon Carbide Wafer

10 x 10 x 0.5mm Silicon Carbide Wafer 4H - N SiC Crystal Chips

10 x 10 x 0.5mm Silicon Carbide Wafer 4H - N SiC Crystal Chips

Silicon Carbide Wafer

Poles Silinder Berongga Silikon Karbida Wafer Keramik Elemen Optik SiC

Poles Silinder Berongga Silikon Karbida Wafer Keramik Elemen Optik SiC

Silicon Carbide Wafer

2 Inci 4 Inci Dummy Prime SiC Substrat Thermal Shock Resistance Ceramic Silicon Carbide Wafer Tunggal

2 Inci 4 Inci Dummy Prime SiC Substrat Thermal Shock Resistance Ceramic Silicon Carbide Wafer Tunggal

Silicon Carbide Wafer

Monocrystalline SiC Silicon Carbide Wafer Substrat Dummy Grade Dia153mm 156mm 159mm

Monocrystalline SiC Silicon Carbide Wafer Substrat Dummy Grade Dia153mm 156mm 159mm

Silicon Carbide Wafer

Wafer SiC semi-isolasi 3 inci 76,2mm 4H Tipe SiC untuk semikonduktor

Wafer SiC semi-isolasi 3 inci 76,2mm 4H Tipe SiC untuk semikonduktor

Silicon Carbide Wafer

Kotak Wafer yang dapat disesuaikan Pembawa Wafer PC Transparan untuk Perlindungan Semikonduktor

Kotak Wafer yang dapat disesuaikan Pembawa Wafer PC Transparan untuk Perlindungan Semikonduktor

Kotak Pembawa Wafer

Mesin Cetak Laser Presisi Tinggi Efek Permukaan Pelangi

Mesin Cetak Laser Presisi Tinggi Efek Permukaan Pelangi

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Peralatan pemrosesan laser kromatik 355nm/532nm/1064nm untuk efek permukaan gradien dan pelangi

Peralatan pemrosesan laser kromatik 355nm/532nm/1064nm untuk efek permukaan gradien dan pelangi

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Mesin penggilingan presisi sisi ganda Logam Keramik Plastik Kaca

Mesin penggilingan presisi sisi ganda Logam Keramik Plastik Kaca

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Sistem Penggergajian Berlian Multi-Kawat untuk SiC, Safir, Material Rapuh Sangat Keras

Sistem Penggergajian Berlian Multi-Kawat untuk SiC, Safir, Material Rapuh Sangat Keras

Peralatan Laboratorium Ilmiah

Bahan baku safir kuning dibuat di laboratorium untuk pembuatan perhiasan

Bahan baku safir kuning dibuat di laboratorium untuk pembuatan perhiasan

Batu Permata Sintetis

Kotak Wafer yang dapat disesuaikan Pembawa Wafer PC Transparan untuk Perlindungan Semikonduktor

Kotak Wafer yang dapat disesuaikan Pembawa Wafer PC Transparan untuk Perlindungan Semikonduktor

Kotak Pembawa Wafer