• SiC Keramik Tray Plate Wafer Holder Untuk Proses Etching ICP Dalam Pengolahan Pertumbuhan Epitaxial
  • SiC Keramik Tray Plate Wafer Holder Untuk Proses Etching ICP Dalam Pengolahan Pertumbuhan Epitaxial
  • SiC Keramik Tray Plate Wafer Holder Untuk Proses Etching ICP Dalam Pengolahan Pertumbuhan Epitaxial
  • SiC Keramik Tray Plate Wafer Holder Untuk Proses Etching ICP Dalam Pengolahan Pertumbuhan Epitaxial
  • SiC Keramik Tray Plate Wafer Holder Untuk Proses Etching ICP Dalam Pengolahan Pertumbuhan Epitaxial
SiC Keramik Tray Plate Wafer Holder Untuk Proses Etching ICP Dalam Pengolahan Pertumbuhan Epitaxial

SiC Keramik Tray Plate Wafer Holder Untuk Proses Etching ICP Dalam Pengolahan Pertumbuhan Epitaxial

Detail produk:

Tempat asal: Cina
Nama merek: ZMSH
Nomor model: Baki/Piring/Wafer Keramik SiC

Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:

Kuantitas min Order: 25
Harga: undetermined
Kemasan rincian: plastik berbusa+karton
Waktu pengiriman: 2-4 minggu
Syarat-syarat pembayaran: T/T
Menyediakan kemampuan: 1000PCS/Minggu
Harga terbaik Kontak

Informasi Detail

Konduktivitas termal: Pembuangan panas yang sangat baik, memastikan kontrol suhu yang seragam dalam proses suhu tinggi. High-Temperature Stability: Can withstand temperatures up to 2,700°C, making it ideal for high-heat environments.
Ketahanan aus: Kekerasan dan daya tahan tinggi, ideal untuk penanganan berulang dan tekanan mekanis.
Menyoroti:

ICP Proses Etching Ceramic Tray

,

Tray Keramik Pengolahan Pertumbuhan Epitaxial

,

Plat Keramik Pengolahan Pertumbuhan Epitaxial

Deskripsi Produk

SiC Keramik Tray/Plate/Wafer Holder untuk ICP Etching Process yang digunakan dalam Epitaxial Growth Processing

 

 

Abstract of SiC (Silikon Karbida) Tray Keramik

 

 

Tray keramik silikon karbida (SiC) adalah bahan berkinerja tinggi yang banyak digunakan di industri yang membutuhkan daya tahan, stabilitas suhu tinggi, dan konduktivitas termal yang sangat baik.dikenal karena kekerasan mereka yang unggul, ketahanan terhadap keausan, inersia kimia, dan ketahanan terhadap kejutan termal, membuat mereka ideal untuk aplikasi yang menuntut seperti pembuatan semikonduktor, penanganan bahan, dan proses suhu tinggi.Tray ini sangat cocok untuk digunakan dalam proses pembuatan semikonduktor seperti ICP (Induktively Coupled Plasma) etching dan pertumbuhan epitaxial,dimana kontrol suhu yang tepat dan integritas material sangat penting.

 


SiC Keramik Tray Plate Wafer Holder Untuk Proses Etching ICP Dalam Pengolahan Pertumbuhan Epitaxial 0

 

SiC Keramik Tray

 

Tray keramik SiC dirancang untuk memenuhi standar tinggi yang dibutuhkan di industri seperti pembuatan semikonduktor dan penanganan bahan.

 

1Konduktivitas termal tinggi

 

SiC memiliki salah satu konduktivitas termal tertinggi di antara keramik. Ini memungkinkan baki keramik SiC untuk secara efisien menghilangkan panas selama proses suhu tinggi.Dalam industri seperti etching semikonduktor dan pertumbuhan epitaxial, di mana kontrol suhu yang tepat sangat penting, konduktivitas termal SiC® memastikan bahwa material dapat menahan dan beroperasi pada suhu tinggi tanpa terdegradasi.

 

2. Ketahanan Pakai yang Luar Biasa

 

Kekerasan inheren SiC memberinya ketahanan yang luar biasa terhadap keausan dan abrasi.seperti dalam penanganan wafer, transportasi, atau pengolahan substrat. baki SiC tahan lama dan tahan lama, menjadikannya pilihan yang dapat diandalkan untuk penggunaan berulang dalam aplikasi industri.

 

3. Korosi dan Resistensi Kimia

 

SiC sangat tahan terhadap korosi dan serangan kimia, membuatnya cocok untuk digunakan di lingkungan di mana bahan lain dapat terdegradasi.dan zat korosif lainnya yang umum ditemukan dalam proses etching semikonduktor atau pengolahan kimia.

 

4. Stabilitas suhu tinggi

 

SiC mempertahankan integritas strukturalnya bahkan pada suhu yang sangat tinggi.Tray keramik SiC dapat menahan suhu tinggi yang ditemui dalam proses seperti ICP (Induktively Coupled Plasma) etching dan pertumbuhan epitaxial, yang sering beroperasi pada suhu di atas 1.000 ° C. Toleransi suhu tinggi ini memastikan bahwa baki SiC tidak melengkung atau berubah bentuk dalam kondisi ekstrem.

 

5. Isolasi Listrik

 

Keramik SiC terisolasi listrik, yang membuatnya ideal untuk digunakan dalam lingkungan pengolahan semikonduktor, di mana sifat listrik sangat penting.seperti penanganan wafer selama deposisi atau etching, sifat isolasi listrik SiC dapat membantu mencegah gangguan listrik yang tidak diinginkan.

 

SiC Keramik Tray Plate Wafer Holder Untuk Proses Etching ICP Dalam Pengolahan Pertumbuhan Epitaxial 1

 


Aplikasi Tray Keramik SiC

 

Tray keramik SiC digunakan dalam berbagai industri, terutama yang membutuhkan stabilitas suhu tinggi, ketahanan aus, dan ketahanan kimia.:

 

1Industri Semikonduktor

 

Dalam industri semikonduktor, baki keramik SiC banyak digunakan untuk penanganan wafer, terutama dalam proses etching dan pertumbuhan epitaxial.teknik yang banyak digunakan untuk pola film tipisSiC tray sangat ideal untuk proses ini, karena mereka memberikan manajemen termal yang sangat baik, meminimalkan kerusakan yang terkait dengan panas pada wafer.

 

Tray SiC juga penting dalam proses pertumbuhan epitaxial, di mana lapisan tipis material disimpan pada substrat. Konduktivitas termal tinggi SiC membantu mempertahankan distribusi suhu yang merata,yang sangat penting untuk mencapai pertumbuhan yang seragam dan lapisan berkualitas tinggi pada silikon karbida atau wafer silikon.

 

2. Pengolahan Bahan

 

Tray keramik SiC digunakan dalam penanganan dan transportasi bahan dalam lingkungan suhu tinggi.dan komposit, di mana bahan lain mungkin gagal karena ekspansi termal atau interaksi kimia. baki SiC memberikan solusi yang kuat untuk menggerakkan bahan di tungku, tungku, dan lingkungan ekstrem lainnya.

 

3Produksi LED dan Sel Surya

 

SiC ∆ memiliki sifat yang sangat berharga dalam produksi LED dan sel surya.membuat baki keramik SiC menjadi bahan ideal untuk penanganan dan dukungan substrat selama berbagai tahap produksiDemikian pula, dalam pembuatan sel surya, baki SiC digunakan untuk menangani wafer selama proses seperti doping dan etching.

 

 

SiC Keramik Tray Plate Wafer Holder Untuk Proses Etching ICP Dalam Pengolahan Pertumbuhan Epitaxial 2

 

4. Aerospace dan Otomotif

 

Tray keramik SiC juga digunakan dalam aplikasi aeroangkasa dan otomotif di mana kinerja suhu tinggi sangat penting.Komponen yang harus tahan terhadap kondisi ekstrim seperti yang ditemukan di turbin, mesin roket, dan sistem pengereman berkinerja tinggiTray ini mendukung penanganan dan pengolahan bahan yang perlu disimpan pada suhu dan lingkungan tertentu selama pembuatan atau pengujian.

 

 

SiC Keramik Tray Plate Wafer Holder Untuk Proses Etching ICP Dalam Pengolahan Pertumbuhan Epitaxial 3

 


Manfaat Piring Keramik SiC

 

1Meningkatkan Efisiensi

 

Konduktivitas termal SiC yang tinggi memastikan bahwa panas terhambat secara efisien, mencegah kerusakan termal pada komponen sensitif selama proses seperti pengetikan dan pertumbuhan.Hal ini mengarah pada hasil yang lebih tepat dan konsisten, meningkatkan efisiensi keseluruhan jalur produksi.

 

2Biaya-efektif

 

Meskipun SiC adalah bahan premium, daya tahan dan umur panjangnya mengurangi kebutuhan untuk sering diganti.karena umur panjang dan kinerja mereka membantu mengurangi waktu henti dan biaya pemeliharaan.

 

3. Pengendalian Proses yang ditingkatkan

 

Penggunaan baki SiC dalam aplikasi pengolahan suhu tinggi dan semikonduktor memungkinkan kontrol lingkungan yang lebih baik,memastikan bahwa wafer atau substrat ditempatkan dalam kondisi optimalHal ini mengarah pada produk berkualitas lebih baik, yang sangat penting dalam industri seperti manufaktur semikonduktor, di mana presisi dan kualitas sangat penting.

 

4. Resistensi Lingkungan

 

Ketahanan SiC untuk korosi, oksidasi,dan kerusakan kimia memastikan bahwa baki keramik SiC dapat menahan kondisi keras yang sering ditemui dalam pembuatan semikonduktor dan industri teknologi tinggi lainnyaKemampuan ketahanan lingkungan ini berkontribusi pada daya tahan lama dan keandalan baki dalam aplikasi yang menuntut.

 

Kesimpulan

 

Tray keramik SiC merupakan komponen penting dalam industri yang membutuhkan bahan berkinerja tinggi yang mampu bertahan dalam kondisi ekstrim.Stabilitas kimia, dan toleransi suhu tinggi membuat mereka sangat diperlukan dalam pembuatan semikonduktor, penanganan bahan, dan banyak aplikasi lainnya.dan presisiTray keramik SiC menyediakan produsen dengan solusi yang dapat diandalkan dan tahan lama yang membantu meningkatkan kontrol proses dan kualitas produk.Karena industri terus menuntut kinerja yang lebih tinggi dan bahan yang lebih tangguh, penggunaan baki keramik SiC hanya akan terus tumbuh dalam pentingnya di berbagai sektor teknologi tinggi.

 

 

Pertanyaan & Jawaban

 

 

P:Bisakah piring keramik SiC disesuaikan?

 

 

A: Ya, baki keramik SiC dapat disesuaikan untuk memenuhi persyaratan khusus, termasuk ukuran, bentuk, dan permukaan.seperti penanganan wafer, transportasi substrat, atau kondisi etching dan pertumbuhan tertentu.

 

 

# Karbida Silikon (SiC) # Piring Keramik # Bahan Suhu Tinggi # Manufaktur Semikonduktor # Etching ICP # Pertumbuhan Epitaxial

# Rintangan Pakai # Konduktivitas Panas # Rintangan Kimia # Penanganan Bahan

Ingin Tahu lebih detail tentang produk ini
SiC Keramik Tray Plate Wafer Holder Untuk Proses Etching ICP Dalam Pengolahan Pertumbuhan Epitaxial bisakah Anda mengirimkan saya lebih banyak detail seperti jenis, ukuran, jumlah, bahan, dll.
Terima kasih!
Menunggu jawaban Anda.