 |
FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrat Dia 2 3 4 6 Inch Ketebalan 350-650um InGaAs Doping
Detail produk:
| Place of Origin: | China |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Delivery Time: | 2-4weeks |
|---|---|
| Payment Terms: | T/T |
|
Informasi Detail |
|||
| PL Wavelength control: | Better than 3nm | PL Wavelength uniformity: | Std.Dev better than 1nm @inner 42mm |
|---|---|---|---|
| Thickness control: | Better than +3% | Thickness uniformity: | Better than +3% @inner 42mm |
| Doping control: | Better than ±10% | P-InP doping (cm-°): | Zn doped: 5e17 to 2e18 |
| N-inP doping (cm 3): | Si doped: 5e17 to 3e18 | AllnGaAs doping (cmr3): | 1e17 to 2e18 |
| Menyoroti: | 6 inci Ketebalan Epiwafer InP Substrat,Substrat InP 350-650um,Substrat InP 6 inci |
||
Deskripsi Produk
FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer InP substrat dia 2 3 4 6 inci ketebalan:350-650um InGaAs doping
FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer InP substrat abstrak
Epiwafer Fabry-Perot (FP) pada substrat Indium Phosphide (InP) adalah komponen penting dalam pembuatan perangkat optoelektronik berkinerja tinggi,terutama dioda laser yang digunakan dalam sistem komunikasi optikSubstrat InP menawarkan kemiripan kisi yang sangat baik dengan bahan seperti InGaAsP, memungkinkan pertumbuhan lapisan epitaxial berkualitas tinggi.Jangkauan panjang gelombang 55 μm, sehingga ideal untuk komunikasi serat optik karena karakteristik kehilangan rendah serat optik dalam spektrum ini.digunakan secara luas dalam interkoneksi pusat data, penginderaan lingkungan, dan diagnostik medis, menyediakan solusi hemat biaya dengan kinerja yang baik.Struktur FP laser yang lebih sederhana dibandingkan dengan desain yang lebih kompleks seperti DFB (Distributed Feedback) laser membuat mereka pilihan populer untuk aplikasi komunikasi jarak menengahEpiwafer FP berbasis inP sangat penting dalam industri yang membutuhkan komponen optik berkecepatan tinggi dan dapat diandalkan.
FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer InP substrat's showcase
FP ((Fabry-Perot)) Lembar data substrat Epiwafer InP
FP ((Fabry-Perot)) Struktur substrat Epiwafer InP
- InP Substrat (Basis)
- Lapisan penyangga (perataan permukaan)
- Daerah Aktif (Quantum Wells)
- Lapisan pelapis (penutup optik)
- Lapisan tipe P dan tipe N (Injeksi Pembawa)
- Lapisan kontak (kontak listrik)
- Fase reflektif (FP Laser Cavity)
Epiwafer Fabry-Perot (FP) pada substrat Indium Phosphide (InP) banyak digunakan dalam berbagai aplikasi optoelektronik karena sifat emisi cahaya yang efisien, terutama di 1.3 μm sampai 1Di bawah ini adalah aplikasi utama:
1.Komunikasi Serat Optik
- Laser Diode: Laser FP umumnya digunakan sebagai sumber cahaya dalam sistem komunikasi serat optik, terutama untuk transmisi data jarak pendek hingga menengah.beroperasi pada panjang gelombang yang meminimalkan hilangnya sinyal dalam serat optik.
- Transceiver dan modul optik: Laser FP yang terintegrasi ke dalam transceiver optik memungkinkan konversi sinyal listrik menjadi sinyal optik untuk transmisi data melalui jaringan serat optik.
2.Interkoneksi Pusat Data
- Konektivitas Berkecepatan Tinggi: Laser FP di pusat data menyediakan koneksi optik berkecepatan tinggi dan latensi rendah antara server dan peralatan jaringan.
3.Sensor Lingkungan dan Deteksi Gas
- Sensor Gas: Laser FP digunakan dalam sistem penginderaan gas untuk mendeteksi gas tertentu, seperti CO2 dan CH4, dengan menyetel panjang gelombang penyerapan gas ini.Sistem ini digunakan untuk pemantauan lingkungan dan aplikasi keselamatan industri.
4.Diagnosis Medis
- Optical Coherence Tomography (OCT): Laser FP digunakan dalam sistem OCT untuk pencitraan medis non-invasif, terutama dalam oftalmologi, dermatologi, dan diagnostik kardiovaskular.Sistem ini memanfaatkan kecepatan tinggi dan presisi laser FP untuk pencitraan jaringan yang rinci.
5.Sistem LIDAR
- Kendaraan Otonom dan Pemetaan: Laser FP digunakan dalam sistem LIDAR (Light Detection and Ranging) untuk aplikasi seperti mengemudi otonom, pemetaan 3D, dan pemindaian lingkungan,di mana pengukuran jarak resolusi tinggi sangat penting.
6.Sirkuit terpadu fotonik (PIC)
- Fotonik Terintegrasi: FP Epiwafer adalah bahan dasar untuk mengembangkan sirkuit terpadu fotonik yang mengintegrasikan beberapa perangkat fotonik (misalnya, laser,detektor) pada chip tunggal untuk pemrosesan sinyal kecepatan tinggi dan komunikasi.
7.Komunikasi Satelit dan Aerospace
- Komunikasi Frekuensi Tinggi: Laser FP berbasis InP digunakan dalam sistem komunikasi satelit untuk transmisi data frekuensi tinggi jarak jauh dalam aplikasi ruang angkasa dan aerospace.
8.Penelitian dan Pengembangan
- Prototyping dan Pengujian: FP Epiwafer digunakan dalam R&D untuk mengembangkan perangkat optoelektronik baru, meningkatkan kinerja dioda laser, dan mengeksplorasi panjang gelombang baru untuk teknologi baru.
Aplikasi ini menyoroti fleksibilitas Epiwafer FP pada substrat InP, yang menyediakan solusi yang efisien dan hemat biaya di bidang seperti telekomunikasi, diagnostik medis,penginderaan lingkungan, dan sistem optik berkecepatan tinggi.
-
Emisi cahaya yang efisien dalam panjang gelombang utama:
- Epiwafer FP pada substrat InP dioptimalkan untuk emisi dalam rentang panjang gelombang 1,3 μm hingga 1,55 μm, yang selaras dengan jendela transmisi kehilangan rendah dalam serat optik,membuat mereka ideal untuk komunikasi serat optik.
-
Kinerja kecepatan tinggi:
- Substrat InP memiliki mobilitas elektron yang sangat baik, memungkinkan laser FP untuk mencapai operasi kecepatan tinggi dan mendukung transmisi data frekuensi tinggi.Hal ini membuat mereka cocok untuk aplikasi bandwidth tinggi seperti pusat data dan telekomunikasi.
-
Produksi yang hemat biaya:
- Dibandingkan dengan struktur laser yang lebih kompleks seperti laser Distributed Feedback (DFB), laser FP memiliki desain yang lebih sederhana.Hal ini menghasilkan biaya produksi yang lebih rendah sementara masih memberikan kinerja yang baik untuk aplikasi jangka pendek hingga menengah.
-
Aplikasi serbaguna:
- Epiwafer FP digunakan dalam berbagai aplikasi, mulai dari komunikasi serat optik dan interkoneksi pusat data hingga sensor lingkungan, diagnostik medis (OCT), dan sistem LIDAR.Kemampuan serbaguna mereka adalah keuntungan utama di seluruh industri.
-
Proses pembuatan yang lebih sederhana:
- Laser FP lebih mudah diproduksi dibandingkan dengan jenis laser lain, seperti laser DFB, karena mengandalkan sisi celah yang reflektif secara alami daripada kisi-kisi kompleks,mengurangi kompleksitas dan biaya pembuatan.
-
Fleksibilitas panjang gelombang yang baik:
- Laser FP dapat disetel di berbagai panjang gelombang dengan menyesuaikan arus atau suhu, memberikan fleksibilitas untuk aplikasi yang berbeda, terutama dalam sistem sensing dan komunikasi.
-
Konsumsi daya rendah:
- Laser FP yang didasarkan pada epiwafer InP cenderung memiliki konsumsi daya yang lebih rendah, menjadikannya efisien untuk penyebaran skala besar dalam komunikasi data dan jaringan sensing di mana efisiensi daya sangat penting.