Ketentuan Pembayaran: | T/T |
FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer InP substrat dia 2 3 4 6 inci ketebalan:350-650um InGaAs doping
FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer InP substrat abstrak
Epiwafer Fabry-Perot (FP) pada substrat Indium Phosphide (InP) adalah komponen penting dalam pembuatan perangkat optoelektronik berkinerja tinggi,terutama dioda laser yang digunakan dalam sistem komunikasi optikSubstrat InP menawarkan kemiripan kisi yang sangat baik dengan bahan seperti InGaAsP, memungkinkan pertumbuhan lapisan epitaxial berkualitas tinggi.Jangkauan panjang gelombang 55 μm, sehingga ideal untuk komunikasi serat optik karena karakteristik kehilangan rendah serat optik dalam spektrum ini.digunakan secara luas dalam interkoneksi pusat data, penginderaan lingkungan, dan diagnostik medis, menyediakan solusi hemat biaya dengan kinerja yang baik.Struktur FP laser yang lebih sederhana dibandingkan dengan desain yang lebih kompleks seperti DFB (Distributed Feedback) laser membuat mereka pilihan populer untuk aplikasi komunikasi jarak menengahEpiwafer FP berbasis inP sangat penting dalam industri yang membutuhkan komponen optik berkecepatan tinggi dan dapat diandalkan.
FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer InP substrat's showcase
FP ((Fabry-Perot)) Lembar data substrat Epiwafer InP
FP ((Fabry-Perot)) Struktur substrat Epiwafer InP
Epiwafer Fabry-Perot (FP) pada substrat Indium Phosphide (InP) banyak digunakan dalam berbagai aplikasi optoelektronik karena sifat emisi cahaya yang efisien, terutama di 1.3 μm sampai 1Di bawah ini adalah aplikasi utama:
Aplikasi ini menyoroti fleksibilitas Epiwafer FP pada substrat InP, yang menyediakan solusi yang efisien dan hemat biaya di bidang seperti telekomunikasi, diagnostik medis,penginderaan lingkungan, dan sistem optik berkecepatan tinggi.
Emisi cahaya yang efisien dalam panjang gelombang utama:
Kinerja kecepatan tinggi:
Produksi yang hemat biaya:
Aplikasi serbaguna:
Proses pembuatan yang lebih sederhana:
Fleksibilitas panjang gelombang yang baik:
Konsumsi daya rendah: