Mengapa SOI begitu populer dalam chip RF? Kapasitas parasit kecil; kepadatan integrasi tinggi; Kecepatan cepat

teknologi untuk membentuk bahan SOI:

1Pemisahan dengan oksigen implan (SIMOX)

2. Bond dan Etch-back SOI (BESOI)

3Smart-Cut.

Keuntungan dari SOI

Bahan SOI memiliki keuntungan yang tidak bisa dibandingkan dengan silikon tubuh:Mereka dapat mencapai isolasi dielektrik komponen dalam sirkuit terintegrasi dan sepenuhnya menghilangkan efek parasit lock-up dalam sirkuit CMOS silikon tubuhSirkuit terintegrasi yang terbuat dari bahan ini juga memiliki keuntungan dari kapasitansi parasit kecil, kepadatan integrasi tinggi, kecepatan cepat, proses sederhana,efek saluran pendek kecil dan sangat cocok untuk sirkuit tegangan rendah dan daya rendah.

Selain itu, nilai impedansi substrat wafer SOI itu sendiri juga dapat mempengaruhi kinerja komponen.beberapa perusahaan menyesuaikan nilai impedansi pada substrat untuk meningkatkan karakteristik komponen frekuensi radio (komponen RF)Beberapa elektron yang awalnya seharusnya melewati penukar akan mengebor ke dalam silikon, menyebabkan limbah.SOI dapat mencegah kehilangan elektron dan melengkapi kekurangan beberapa komponen CMOS dalam wafer Bulk asli. RF SOI adalah bahan proses semikonduktor berbasis silikon dengan struktur tiga lapisan unik silikon / lapisan isolasi / silikon.Hal ini mencapai isolasi dielektrik penuh antara perangkat dan substrat melalui lapisan isolasi (biasanya SiO2).

Karena RF-SOI dapat mencapai linearitas yang lebih tinggi dan kehilangan sisipan yang lebih rendah dengan kinerja biaya terbaik, dapat membawa orang kecepatan data yang lebih cepat, umur baterai yang lebih lama,dan kualitas komunikasi yang lebih stabil dan lancar dengan frekuensi yang lebih tinggiSelama beberapa dekade, pasar infrastruktur telekomunikasi telah didorong oleh stasiun dasar makro dan mikro.industri komponen frekuensi radio (RF) memilih semakin banyak komponen RFYole Intelligence, anak perusahaan Yole Group, memperkirakan bahwa pasar frekuensi radio untuk infrastruktur telekomunikasi bernilai $ 3 miliar pada tahun 2021 dan diperkirakan mencapai $ 4.5 miliar pada tahun 2025.

Tiga arah SOI

RF SOI - adalah jenis unik silikon / lapisan isolasi tiga lapisan silikon / silikon teknik bahan semikonduktor,itu melalui lapisan insulasi terkubur (biasanya dalam bentuk SiO2) menyadari perangkat isolasi dielektrik penuh dan substratKarena RF-SOI dapat mencapai linearitas yang lebih tinggi dan kehilangan sisipan yang lebih rendah dengan kinerja biaya terbaik, dapat membawa orang kecepatan data yang lebih cepat, daya tahan baterai yang lebih lama,dan kualitas komunikasi yang lebih stabil dan lancar dengan frekuensi yang lebih tinggi. RF-SOI dapat memastikan linearitas sinyal yang sangat tinggi dan integritas sinyal.

Kekuatan - SOI: struktur utama silikon kristal tunggal (mono - kristal material), lapisan oksida terkubur tengah (oksid terkubur) dan substrat silikon yang mendasarinya (basis silikon).Karena ketebalan struktur Buried Oxide dari wafer POWER-SOI, dapat secara efektif mengatasi masalah bahwa tegangan tinggi dapat menembus komponen dan mencapai stabilitas dalam penggunaan komponen daya.POWER-SOI terutama diterapkan dalam integrasi komponen tegangan tinggi dalam teknologi manufaktur BCD (Bipole-CMOS-DMOS)

sirkuit.

FD-SOI (silikon depletion penuh pada insulator) adalah jenis planar t

eknologi, secara struktural, FD - sifat elektrostatik dari transistor SOI lebih unggul dari teknologi silikon konvensional.Lapisan oksigen yang terkubur dapat mengurangi kapasitas parasit antara sumber dan saluran pembuangan, dan secara efektif menekan aliran elektron dari sumber ke saluran pembuangan, sehingga secara signifikan mengurangi arus kebocoran yang menyebabkan degradasi kinerja.FD-SOI juga memiliki banyak keuntungan unik dalam aspek lain, termasuk kemampuan bias belakang, karakteristik pencocokan transistor yang sangat baik, kemampuan untuk menggunakan tegangan pasokan daya rendah dekat ambang, sensitivitas ultra rendah terhadap radiasi,dan transistor kecepatan operasi intrinsik yang sangat tinggi, dll. Keuntungan ini memungkinkannya untuk beroperasi dalam aplikasi di pita frekuensi gelombang milimeter.

Bidang aplikasi IST

RF - SOI diterapkan dalam aplikasi RF, sekarang telah menjadi switch smartphone dan antena tuner solusi terbaik;

POWER - SOI untuk sirkuit konversi POWER cerdas, terutama digunakan dalam otomotif, industri, peralatan rumah tangga konsumen keandalan tinggi, adegan kinerja tinggi;

FD - SOI memiliki ukuran geometri silikon yang lebih kecil dan keuntungan dari proses manufaktur yang disederhanakan, terutama digunakan dalam ponsel pintar, Internet of Things, 5G, seperti mobil untuk keandalan tinggi,integrasi yang tinggi, konsumsi daya rendah dan aplikasi biaya rendah; SOI optik diterapkan di bidang komunikasi optik seperti pusat data dan komputasi awan.

Rekomendasi produk terkait

Silikon pada Insulator SOI Wafer 6", 2.5 "m (P-doped) + 1.0 SiO2 + 625um Si (P-type / Boron Doped)