Deskripsi Produk

3inch InP Indium Phosphide Substrate N-Type Semiconductor VGF metode pertumbuhan

Abstrak produk

Produk InP (Indium Phosphide) kami menawarkan solusi berkinerja tinggi untuk berbagai aplikasi di industri telekomunikasi, optoelektronika, dan semikonduktor.Dengan sifat optik dan elektronik yang unggul, bahan InP kami memungkinkan pengembangan perangkat fotonik canggih, termasuk laser, fotodetektor, dan amplifier optik.atau komponen yang dirancang khusus, produk InP kami memberikan keandalan, efisiensi, dan presisi untuk proyek fotonik yang menuntut Anda.

Pameran produk

Sifat produk

1. Transparansi Optik Tinggi: InP menunjukkan transparansi optik yang sangat baik di wilayah inframerah, membuatnya cocok untuk berbagai aplikasi optoelektronik.

2. Bandgap langsung: Sifat bandgap langsung dari InP memungkinkan emisi dan penyerapan cahaya yang efisien, menjadikannya ideal untuk laser semikonduktor dan fotodetektor.

3. Mobilitas Elektron Tinggi: InP menawarkan mobilitas elektron tinggi, memungkinkan transportasi pembawa muatan cepat dan memfasilitasi perangkat elektronik berkecepatan tinggi.

4. Konduktivitas termal rendah: Konduktivitas termal rendah InP membantu dalam disipasi panas yang efisien, membuatnya cocok untuk perangkat optoelektronik bertenaga tinggi.

5. Stabilitas Kimia: InP menunjukkan stabilitas kimia yang baik, memastikan keandalan jangka panjang perangkat bahkan dalam lingkungan operasi yang keras.

6. Kompatibilitas dengan Semikonduktor Senyawa III-V: InP dapat diintegrasikan dengan lancar dengan semikonduktor senyawa III-V lainnya,memungkinkan pengembangan heterostructures kompleks dan perangkat multifunctional.

7. Bandgap Tailorable: Bandgap InP dapat direkayasa dengan menyesuaikan komposisi fosfor, memungkinkan desain perangkat dengan sifat optik dan elektronik tertentu.

8. Tegangan High Breakdown: InP menunjukkan tegangan breakdown yang tinggi, memastikan ketahanan dan keandalan perangkat dalam aplikasi tegangan tinggi.

9. Densitas Cacat Rendah: Substrat InP dan lapisan epitaxial biasanya memiliki kepadatan cacat yang rendah, berkontribusi pada kinerja dan hasil perangkat yang tinggi.

10. Kompatibilitas Lingkungan: InP ramah lingkungan dan menimbulkan risiko minimal bagi kesehatan dan lingkungan selama pembuatan dan operasi.

11. Parameter	2 ′ Wafer InP S-doped	2 Fe-doped InP Wafer
    Bahan	VGF InP Single Crystal Wafer	VGF InP Single Crystal Wafer
    Kelas	Epi-Siap	Epi-Siap
    Dopan	S	Fe
    Jenis Konduksi	S-C-N	S-I
    Diameter wafer (mm)	50.8±0.4	50.8±0.4
    Orientasi	(100) ± 0,5o	(100) ± 0,5o
    OF lokasi / Panjang	EJ [0-1-1] / 17±1	EJ [0-1-1] /17±1
    IF Lokasi / Panjang	EJ [0-1 1] / 7±1	EJ [0-1 1] / 7±1
    Konsentrasi pembawa (cm-3)	(1~6) E 18	1.0E7 - 5.0E8
    Resistensi (Wcm)	8 ~ 15 E-4	≥1,0E7
    Mobilitas (cm2/Vs)	1300 ~ 1800	≥ 2000
    Rata-rata EPD (cm-2)	≤ 500	≤ 3000
    Ketebalan (μm)	475 ± 15	475 ± 15
    TTV/TIR (μm)	≤15	≤15
    Bukit (μm)	≤15	≤15
    Membungkus (μm)	≤15	≤15
    Jumlah Partikel	N/A	N/A
    Permukaan	Sisi depan: dipoles, Sisi hitam: Terukir	Sisi depan: dipoles, Sisi hitam: Terukir
    Kemasan Wafer	Wafer diikat oleh laba-laba di nampan individual dan disegel dengan N2 dalam kantong perisai statis.	Wafer yang diikat oleh laba-laba dalam nampan individual dan disegel dengan N2 dalam kantong pelindung statis.

12. Aplikasi produk

13. Telekomunikasi: Perangkat berbasis InP banyak digunakan dalam jaringan telekomunikasi untuk transmisi data berkecepatan tinggi,termasuk sistem komunikasi serat optik dan komunikasi nirkabel frekuensi tinggi.

14. Fotonik: Bahan InP sangat penting untuk pengembangan berbagai perangkat fotonik, seperti laser semikonduktor, fotodetektor, modulator, dan amplifier optik, yang digunakan dalam telekomunikasi,penginderaan, dan aplikasi pencitraan.

15. Optoelektronika: Perangkat optoelektronik berbasis InP, seperti dioda pemancar cahaya (LED), dioda laser, dan sel surya, menemukan aplikasi dalam tampilan, pencahayaan, peralatan medis,dan sistem energi terbarukan.

16. Elektronik Semikonduktor: substrat InP dan lapisan epitaxial berfungsi sebagai platform untuk pembuatan transistor berkinerja tinggi, sirkuit terpadu, dan perangkat microwave untuk sistem radar,komunikasi satelit, dan aplikasi militer.

17. Sensing dan Imaging: Fotodetektor dan sensor pencitraan berbasis InP digunakan dalam berbagai aplikasi sensing, termasuk spektroskopi, lidar, pengawasan, dan pencitraan medis,karena sensitivitas tinggi dan waktu respons yang cepat.

18. Teknologi Kuantum: Titik kuantum InP dan sumur kuantum dieksplorasi untuk aplikasi potensial mereka dalam komputasi kuantum, komunikasi kuantum, dan kriptografi kuantum,menawarkan keuntungan dalam koherensi dan skalabilitas.

19. Pertahanan dan Aerospace: Perangkat InP digunakan dalam sistem pertahanan dan aerospace karena keandalan, operasi kecepatan tinggi, dan kekerasan radiasi, mendukung aplikasi seperti sistem radar,Panduan rudal, dan komunikasi satelit.

20. Teknik Biomedis: Sensor optik dan sistem pencitraan berbasis InP digunakan dalam penelitian biomedis dan diagnostik klinis untuk pemantauan non-invasif, pencitraan,dan analisis spektroskopis sampel biologis.

21. Pemantauan Lingkungan: Sensor berbasis InP digunakan untuk aplikasi pemantauan lingkungan, termasuk deteksi polusi, sensasi gas, dan sensasi jarak jauh dari parameter atmosfer,berkontribusi terhadap upaya keberlanjutan lingkungan.

22. Teknologi Baru: InP terus menemukan aplikasi dalam teknologi baru seperti pengolahan informasi kuantum, integrasi fotonik silikon, dan elektronik terahertz,mendorong kemajuan dalam komputasi, komunikasi, dan sensasi.

23.