• 4 inci 6 inci 8 inci SOI Wafer Kompatibel dengan CMOS Struktur Tiga Lapisan
  • 4 inci 6 inci 8 inci SOI Wafer Kompatibel dengan CMOS Struktur Tiga Lapisan
  • 4 inci 6 inci 8 inci SOI Wafer Kompatibel dengan CMOS Struktur Tiga Lapisan
  • 4 inci 6 inci 8 inci SOI Wafer Kompatibel dengan CMOS Struktur Tiga Lapisan
4 inci 6 inci 8 inci SOI Wafer Kompatibel dengan CMOS Struktur Tiga Lapisan

4 inci 6 inci 8 inci SOI Wafer Kompatibel dengan CMOS Struktur Tiga Lapisan

Detail produk:

Tempat asal: China
Nama merek: ZMSH
Nomor model: SOI wafer

Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:

Kuantitas min Order: 5
Waktu pengiriman: 2-4 minggu
Syarat-syarat pembayaran: T/T
Harga terbaik Kontak

Informasi Detail

Konduktivitas termal: Konduktivitas termal yang relatif tinggi Keuntungan Kinerja: Karakteristik Listrik yang Lebih Tinggi, Pengurangan Ukuran, Minimalkan Crosstalk Antara Perangkat E
Ketebalan lapisan aktif: Biasanya berkisar dari beberapa hingga beberapa puluh Nanometer (nm) Resistivitas: Biasanya berkisar dari beberapa ratus sampai beberapa ribu ohm-sentimeter (Ω·cm)
Diameter Wafer: 4 inci, 6 inci, 8 inci, atau Lebih Besar Karakteristik Konsumsi Daya: Sifat Konsumsi Listrik Rendah
Keuntungan Proses: Memberikan Performa Perangkat Elektronik yang Lebih Baik dan Konsumsi Daya yang Lebih Rendah Konsentrasi Kekotoran: Konsentrasi kekotoran rendah yang bertujuan untuk meminimalkan efek mobilitas elektron
Cahaya Tinggi:

Silikon pada Stand Wafer Isolator

,

SOI Wafer 4 Inci

,

CMOS Struktur Tiga Lapisan Wafer SOI

Deskripsi Produk

SOI wafer 4 Inch, 6 Inch, 8 Inch, Kompatibel dengan CMOS struktur tiga lapisan

Deskripsi produk:

 

Wafer SOI (Silicon on Insulator) berdiri sebagai keajaiban perintis di bidang teknologi semikonduktor, merevolusi lanskap elektronik canggih.wafer mutakhir ini mewujudkan trifecta inovasi, menawarkan kinerja yang tak tertandingi, efisiensi, dan fleksibilitas.

 

Pada intinya terletak pada struktur tiga lapisan. lapisan atas memiliki lapisan silikon kristal tunggal, yang dikenal sebagai Lapisan Perangkat, yang berfungsi sebagai dasar untuk sirkuit terintegrasi.Di bawahnya terletak lapisan oksida terkubur, memberikan isolasi dan isolasi antara lapisan silikon atas dan dasar.membentuk substrat di mana karya teknologi ini dibangun.

 

Salah satu karakteristik yang menonjol dari wafer SOI adalah kompatibilitasnya dengan teknologi CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor).Kompatibilitas ini secara mulus mengintegrasikan manfaat SOI ke dalam proses manufaktur semikonduktor yang ada, menawarkan jalur untuk meningkatkan kinerja tanpa mengganggu metodologi produksi yang mapan.

 

Komposisi tiga lapisan inovatif dari wafer SOI membawa berbagai keuntungan.yang meminimalkan kapasitas perangkat elektronik dan meningkatkan kecepatan dan efisiensi sirkuitPengurangan konsumsi daya ini tidak hanya meningkatkan umur baterai pada perangkat portabel tetapi juga berkontribusi pada operasi hemat energi dalam banyak aplikasi.

 

Selain itu, lapisan isolasi wafer SOI memberikan ketahanan terhadap radiasi yang unggul, membuatnya sangat cocok untuk aplikasi di lingkungan yang keras dan radiasi tinggi.Kemampuannya untuk mengurangi efek radiasi memastikan keandalan dan fungsionalitas, bahkan dalam kondisi ekstrim.

 

Struktur tiga lapisan juga mengurangi gangguan sinyal, mengoptimalkan kinerja sirkuit terpadu dengan mengurangi crosstalk antara komponen.Membuka jalan untuk peningkatan efisiensi pemrosesan data dan komunikasi.

 

Selain itu, lapisan isolasi membantu dalam disipasi panas yang efisien, secara efektif menyebarkan panas di dalam wafer.memastikan kinerja berkelanjutan dan umur panjang sirkuit terpadu.

 

Kesimpulannya, wafer SOI mewakili pergeseran paradigma dalam teknologi semikonduktor.membuka kemungkinan untuk elektronik berkinerja tinggiDari elektronik konsumen hemat energi hingga solusi yang kuat untuk kedirgantaraan dan pertahanan,Desain inovatif wafer SOI dan keunggulan bermacam-macam membuatnya menjadi landasan inovasi semikonduktor yang terus berkembang.

4 inci 6 inci 8 inci SOI Wafer Kompatibel dengan CMOS Struktur Tiga Lapisan 0

Fitur:

Struktur dua lapisan: Wafer SOI terdiri dari tiga lapisan, dengan lapisan atasnya adalah lapisan silikon kristal tunggal (Device Layer),lapisan tengah adalah lapisan isolasi (Buried Oxide Layer), dan lapisan bawahnya adalah substrat silikon (Handle Layer).

 

Konsumsi daya rendah: Karena adanya lapisan isolasi, wafer SOI menunjukkan konsumsi daya yang lebih rendah dalam perangkat elektronik.Lapisan isolasi mengurangi efek kopling kapasitansi antara perangkat elektronik, sehingga meningkatkan kecepatan dan efisiensi sirkuit terpadu.

 

Ketahanan radiasi: Lapisan isolasi wafer SOI meningkatkan ketahanan silikon terhadap radiasi, memungkinkan kinerja yang lebih baik di lingkungan radiasi tinggi,membuatnya cocok untuk aplikasi khusus.

 

Reduced crosstalk: Kehadiran lapisan isolasi membantu mengurangi crosstalk antara sinyal, meningkatkan kinerja sirkuit terintegrasi.

Penyebaran panas: Lapisan isolasi wafer SOI berkontribusi pada difusi panas, meningkatkan efisiensi penyebaran panas sirkuit terpadu, membantu mencegah overheating chip.

 

Integrasi dan kinerja yang tinggi: Teknologi SOI memungkinkan chip untuk memiliki integrasi dan kinerja yang lebih tinggi, memungkinkan perangkat elektronik untuk mengakomodasi lebih banyak komponen dalam ukuran yang sama.

 

Kompatibilitas CMOS: Wafer SOI kompatibel dengan teknologi CMOS, menguntungkan proses manufaktur semikonduktor yang ada.

Pembuatan wafer SOI

4 inci 6 inci 8 inci SOI Wafer Kompatibel dengan CMOS Struktur Tiga Lapisan 1

 

Parameter teknis:

Parameter Nilai-nilai
Ketebalan lapisan isolasi Sekitar Beberapa Ratus Nanometer
Resistivitas Biasanya berkisar dari beberapa ratus sampai beberapa ribu ohm-sentimeter (Ω·cm)
Proses pembuatan Lapisan silikon multi-kristalin yang disiapkan dengan menggunakan proses khusus
Ketebalan lapisan aktif Biasanya berkisar dari beberapa hingga beberapa puluh Nanometer (nm)
Jenis doping Tipe P Atau tipe N
Lapisan isolasi Silikon dioksida
Kualitas Kristal Antara Lapisan Struktur Kristal Berkualitas Tinggi, Berkontribusi pada Kinerja Perangkat
Ketebalan SOI Biasanya dalam kisaran beberapa ratus nanometer sampai beberapa mikrometer
Keuntungan Proses Memberikan Performa Perangkat Elektronik yang Lebih Baik dan Konsumsi Daya yang Lebih Rendah
Keuntungan Kinerja Karakteristik Listrik yang Lebih Tinggi, Pengurangan Ukuran, Minimalkan Crosstalk Antara Perangkat Elektronik, Diantara Lainnya
Konduktivitas Tinggi
Oksidasi permukaan Tersedia
Wafer silikon oksida Tersedia
Epitaxy Tersedia
Doping Tipe P Atau tipe N
SOI Tersedia
 

Aplikasi:

Produksi mikroprosesor dan sirkuit terintegrasi: Teknologi SOI memainkan peran penting dalam pembuatan mikroprosesor dan sirkuit terintegrasi.kinerja tinggi, dan ketahanan radiasi membuatnya menjadi pilihan ideal untuk mikroprosesor berkinerja tinggi, terutama di bidang seperti perangkat seluler dan komputasi awan.

 

Komunikasi dan Teknologi Wireless: Aplikasi teknologi SOI yang luas di sektor komunikasi disebabkan oleh kemampuannya untuk mengurangi konsumsi daya dan meningkatkan integrasi.Ini termasuk pembuatan sirkuit terpadu berkinerja tinggi untuk perangkat frekuensi radio (RF) dan gelombang mikro, serta chip yang efisien untuk perangkat 5G dan Internet of Things (IoT).

 

Teknologi Pencitraan dan Sensor: Wafer SOI memiliki kegunaan yang signifikan dalam memproduksi sensor gambar dan berbagai jenis sensor.Kinerja tinggi dan konsumsi daya yang lebih rendah membuat mereka penting di bidang seperti kamera, peralatan pencitraan medis, dan sensor industri.

 

Aerospace dan Pertahanan: Sifat tahan radiasi dari wafer SOI membuat mereka unggul dalam lingkungan radiasi tinggi, yang mengarah pada aplikasi penting dalam aerospace dan pertahanan.Mereka digunakan dalam pembuatan komponen utama untuk kendaraan udara tak berawak, satelit, sistem navigasi, dan sensor kinerja tinggi.

 

Manajemen Energi dan Teknologi Hijau: Karena konsumsi daya yang rendah dan efisiensi tinggi, wafer SOI juga menemukan aplikasi dalam manajemen energi dan teknologi hijau.Ini termasuk penggunaan di jaringan pintar, sumber energi terbarukan, dan perangkat hemat energi.

 

Secara keseluruhan, aplikasi serbaguna dari wafer SOI mencakup berbagai domain, karena sifatnya yang unik,membuat mereka menjadi bahan pilihan untuk banyak perangkat dan sistem elektronik berkinerja tinggi.

 

Pengaturan:

Substrat Semikonduktor yang disesuaikan

Nama merek: ZMSH

Nomor Model: wafer SOI

Tempat Asal: Cina

Substrat Semikonduktor yang disesuaikan diproduksi dengan teknologi film tipis canggih, elektro-oksidasi, konduktivitas, filtrasi dan doping.permukaan datar berkualitas tinggi, mengurangi cacat, konsentrasi kotoran rendah yang bertujuan meminimalkan efek mobilitas elektron, struktur kristal berkualitas tinggi, berkontribusi pada kinerja perangkat, dan ketahanan yang kuat terhadap radiasi.

 

Dukungan dan Layanan:

Dukungan Teknis dan Layanan untuk Substrat Semikonduktor

Kami menyediakan dukungan teknis dan layanan yang komprehensif untuk produk Substrat Semikonduktor kami, termasuk:

  • Panduan pemilihan produk
  • Pemasangan dan pengoperasian
  • Pemeliharaan, perbaikan, dan peningkatan
  • Penanganan dan pemecahan masalah
  • Pelatihan dan pendidikan pengguna
  • Penggantian dan pertukaran produk

Tim dukungan teknis kami terdiri dari para profesional berpengalaman yang berkomitmen untuk memastikan kepuasan pelanggan kami.Kami berusaha untuk memberikan waktu respons yang cepat dan penyelesaian masalah yang efektif.

Ingin Tahu lebih detail tentang produk ini
4 inci 6 inci 8 inci SOI Wafer Kompatibel dengan CMOS Struktur Tiga Lapisan bisakah Anda mengirimkan saya lebih banyak detail seperti jenis, ukuran, jumlah, bahan, dll.
Terima kasih!
Menunggu jawaban Anda.