 |
GaP Wafer Gallium Phosphide Single Crystal Orientation (111)A 0°±0.2 Sel surya
Detail produk:
| Tempat asal: | China |
| Nama merek: | ZMSH |
| Nomor model: | GaP wafer |
|
Informasi Detail |
|||
| Ketebalan: | Minimal：175 Maks:225 | Dopan: | s |
|---|---|---|---|
| Permukaan Finish-kembali: | Dipoli | Jumlah Partikel: | T/A |
| Pengelompokan tepi: | 0.250mmR | IF Lokasi/panjang: | EJ[0-1-1]/ 7±1mm |
| Jenis perilaku: | SCN | Epi-Siap: | Ya, aku tahu. |
| Cahaya Tinggi: | GaP Wafer Semikonduktor Substrat,Gallium Phosphide Single Crystal Orientasi,Gallium Phosphide GaP Wafer |
||
Deskripsi Produk
GaP Wafer, Gallium Phosphide Single Crystal Orientation (111)A 0°±0.2 Sel Surya
Deskripsi produk:
Gallium Phosphide GaP, semikonduktor penting dengan sifat listrik yang unik seperti bahan senyawa III-V lainnya, mengkristal dalam struktur kubik ZB yang termodinamika stabil,adalah bahan kristal semitransparan kuning oranye dengan celah pita tidak langsung 2.26 eV (300K), yang disintesis dari 6N 7N gallium kemurnian tinggi dan fosfor, dan tumbuh menjadi kristal tunggal dengan teknik Liquid Encapsulated Czochralski (LEC).Kristal Gallium Phosphide didop belerang atau tellurium untuk mendapatkan semikonduktor tipe n, dan seng doped sebagai konduktivitas tipe p untuk selanjutnya pembuatan ke dalam wafer yang diinginkan, yang memiliki aplikasi dalam sistem optik, perangkat elektronik dan optoelektronik lainnya.Single Crystal GaP wafer dapat disiapkan Epi-Siap untuk LPE AndaAplikasi epitaxial MOCVD dan MBE. Wafer p-type Gallium phosphide GaP kristal tunggal berkualitas tinggi,n-tipe atau konduktivitas tidak doped di Western Minmetals (SC) Corporation dapat ditawarkan dalam ukuran 2 "dan 3 ′′ (50mm), diameter 75mm), orientasi <100>,<11> dengan permukaan akhir dari proses as-cut, dipoles atau epi-ready.
Fitur:
- Bandgap lebar yang cocok untuk memancarkan panjang gelombang cahaya tertentu.
- GaP Wafer Sifat optik yang sangat baik yang memungkinkan produksi LED dalam berbagai warna.
- Efisiensi tinggi dalam menghasilkan lampu merah, kuning, dan hijau untuk LED.
- Kemampuan penyerapan cahaya yang superior pada panjang gelombang tertentu.
- Konduktivitas listrik yang baik memfasilitasi perangkat elektronik frekuensi tinggi.
- GaP Wafer Stabilitas termal yang tepat untuk kinerja yang andal.
- Stabilitas kimia yang cocok untuk proses manufaktur semikonduktor.
- GaP Wafer Parameter kisi yang menguntungkan untuk pertumbuhan epitaxial lapisan tambahan.
- Kemampuan untuk berfungsi sebagai substrat untuk deposisi semikonduktor.
- GaP Wafer Bahan kuat dengan konduktivitas termal tinggi.
- Kemampuan optoelektronik yang sangat baik untuk fotodetektor.
- Versatilitas dalam merancang perangkat optik untuk rentang panjang gelombang tertentu.
- GaP Wafer Aplikasi potensial dalam sel surya untuk penyerapan cahaya yang disesuaikan.
- Struktur kisi yang relatif cocok untuk pertumbuhan semikonduktor berkualitas.
- Peran penting dalam pembuatan LED, dioda laser, dan fotodetektor karena sifat optik dan listriknya.
Parameter teknis:
| Parameter | Nilai |
|---|---|
| Metode Pertumbuhan | LEC |
| BOW | Max:10 |
| Diameter | 500,6 ± 0,3 mm |
| Jumlah Partikel | N/A |
| Sudut Orientasi | N/A |
| TTV/TIR | Max:10 |
| Dopan | S |
| Laser Marking | N/A |
| Orientasi | (111)A 0°±0.2 |
| Mobilitas | Min:100 |
| Bahan Semikonduktor | Substrat Semikonduktor |
| Oksidasi permukaan | Wafer silikon oksida ultra tebal |
Aplikasi:
- Pembuatan GaP Wafer LED untuk memproduksi lampu merah, kuning, dan hijau.
- Pembuatan dioda laser GaP Wafer untuk berbagai aplikasi optik.
- Pengembangan GaP Wafer Photodetector untuk rentang panjang gelombang tertentu.
- Penggunaan GaP Wafer dalam sensor optoelektronik dan sensor cahaya.
- GaP Wafer Integrasi sel surya untuk penyerapan spektrum cahaya yang disesuaikan.
- GaP Wafer Produksi panel display dan lampu indikator.
- GaP Wafer Kontribusi pada perangkat elektronik frekuensi tinggi.
- GaP Wafer Formasi perangkat optik untuk rentang panjang gelombang yang berbeda.
- GaP Wafer Penggunaan dalam telekomunikasi dan sistem komunikasi optik.
- GaP Wafer Pengembangan perangkat fotonik untuk pemrosesan sinyal.
- Gabungan GaP Wafer dalam sensor inframerah (IR) dan ultraviolet (UV).
- Implementasi GaP Wafer dalam perangkat penginderaan biomedis dan lingkungan.
- GaP Wafer Aplikasi dalam sistem optik militer dan aerospace.
- GaP Wafer Integrasi ke dalam spektroskopi dan instrumen analisis.
- GaP Wafer Penggunaan dalam penelitian dan pengembangan untuk teknologi baru.
Pengaturan:
Nama merek: ZMSH
Nomor Model: GaP wafer
Tempat Asal: Cina
TTV/TIR: Max:10
Max:10
OF Lokasi/panjang: EJ[0-1-1]/ 16±1mm
Mobilitas: Min:100
Resistensi: Min:0.01 Max:0.5 Ω.cm
Fitur:
• Menggunakan teknologi film tipis
• Wafer silikon oksida
• Elektro-oksidasi
• Layanan yang disesuaikan
Dukungan dan Layanan:
Kami menyediakan berbagai dukungan teknis dan layanan untuk produk Substrat Semikonduktor kami. tim ahli kami tersedia untuk memberikan solusi terbaik untuk kebutuhan Anda.
Apakah Anda membutuhkan saran tentang pemilihan produk, pemasangan, pengujian, atau masalah teknis lainnya, kami di sini untuk membantu.
- Pemilihan dan evaluasi produk
- Pemasangan dan pengujian
- Penanganan dan pemecahan masalah
- Optimasi kinerja
- Pelatihan dan pendidikan produk
Tim insinyur dan teknisi berpengalaman kami tersedia untuk menjawab pertanyaan Anda dan memberikan saran dan dukungan teknis terbaik.Hubungi kami hari ini dan biarkan kami membantu Anda menemukan solusi terbaik untuk kebutuhan Anda.