• GaN Gallium Nitride Wafer Mobilitas Elektron Tinggi Perangkat RF Optoelektronika Dan LED
  • GaN Gallium Nitride Wafer Mobilitas Elektron Tinggi Perangkat RF Optoelektronika Dan LED
  • GaN Gallium Nitride Wafer Mobilitas Elektron Tinggi Perangkat RF Optoelektronika Dan LED
  • GaN Gallium Nitride Wafer Mobilitas Elektron Tinggi Perangkat RF Optoelektronika Dan LED
GaN Gallium Nitride Wafer Mobilitas Elektron Tinggi Perangkat RF Optoelektronika Dan LED

GaN Gallium Nitride Wafer Mobilitas Elektron Tinggi Perangkat RF Optoelektronika Dan LED

Detail produk:

Tempat asal: Cina
Nama merek: ZMSH
Nomor model: Wafer GaN Gallium Nitrida

Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:

Waktu pengiriman: 2-4 minggu
Syarat-syarat pembayaran: T/T
Harga terbaik Kontak

Informasi Detail

Dimensi: "diameter atau 25,4 +/- 0,5 mm Ketebalan: 350 +/- 50 mm
Flat Utama: 12 +/- 1mm Flat Sekunder:: 8 +/- 1mm
Orientasi: (0001) Pesawat C Variasi Ketebalan Total: ≤ 40 um
busur: 0 +/- 10 um Resistivitas: ~ 10-3 ohm-cm
Konsentrasi pembawa: ~ 1019 cm-3 Mobilitas Pembawa: ~ 150 cm2/V*s
Ketumpatan Lubang Etch: < 5 x 104 cm-2 Pengelasan: Permukaan depan: RMS < 0,5 nm, Epi siap, permukaan belakang tanah.
Cahaya Tinggi:

Optoelectronics Gallium Nitride Wafer

,

LED GaN Wafer

,

Perangkat RF Gallium Nitride Wafer

Deskripsi Produk

GaN Gallium Nitride Wafer Mobilitas Elektron Tinggi Perangkat RF Optoelektronika dan LED

Abstrak GaN Gallium Nitride Wafer

Wafer Gallium Nitride (GaN) telah muncul sebagai teknologi penting di berbagai industri, karena sifat material yang unik.dan stabilitas termal yang luar biasa, GaN wafer menemukan aplikasi dalam elektronik daya, perangkat RF, optoelektronika, dan banyak lagi.dari menggerakkan komunikasi 5G hingga menerangi LED dan memajukan sistem energi suryaKarakteristik kinerja tinggi GaN membuatnya menjadi landasan dalam pengembangan perangkat elektronik yang kompak dan efisien, mempengaruhi sektor seperti elektronik otomotif, kedirgantaraan,dan energi terbarukanSebagai kekuatan pendorong dalam inovasi teknologi, wafer GaN terus mendefinisikan kembali kemungkinan di berbagai industri, membentuk lanskap elektronik modern dan sistem komunikasi.

Tampilan Wafer GaN Gallium Nitride

GaN Gallium Nitride Wafer Mobilitas Elektron Tinggi Perangkat RF Optoelektronika Dan LED 0GaN Gallium Nitride Wafer Mobilitas Elektron Tinggi Perangkat RF Optoelektronika Dan LED 1

GaN Gallium Nitride Wafer Mobilitas Elektron Tinggi Perangkat RF Optoelektronika Dan LED 2GaN Gallium Nitride Wafer Mobilitas Elektron Tinggi Perangkat RF Optoelektronika Dan LED 3

Aplikasi GaN Gallium Nitride Wafer

GaN Gallium Nitride Wafer Mobilitas Elektron Tinggi Perangkat RF Optoelektronika Dan LED 4

Wafer Gallium Nitride (GaN) menemukan berbagai aplikasi di berbagai industri,memanfaatkan sifat material unik mereka untuk peningkatan kinerja dalam perangkat elektronik dan optoelektronikBerikut adalah beberapa aplikasi utama wafer GaN:

  1. Elektronika Daya:

    • Wafer GaN banyak digunakan dalam perangkat elektronik daya seperti transistor dan dioda. Mobilitas elektron yang tinggi dan bandgap yang luas membuatnya cocok untuk aplikasi seperti penguat daya,Konverter, dan inverter di industri mulai dari telekomunikasi hingga sistem energi terbarukan.
  2. Perangkat RF (Radio Frequency):

    • Wafer GaN digunakan dalam pengembangan perangkat RF frekuensi tinggi, termasuk amplifier dan switch.membuatnya berharga dalam aplikasi seperti sistem radar, komunikasi nirkabel, dan komunikasi satelit.
  3. Optoelektronika dan LED:

    • LED berbasis GaN (Light-Emitting Diodes) banyak digunakan dalam aplikasi pencahayaan, tampilan, dan indikator.Kemampuan GaN untuk memancarkan cahaya di spektrum biru dan ultraviolet berkontribusi pada produksi cahaya putih di LED, membuat mereka penting untuk solusi pencahayaan hemat energi.
  4. Perangkat Optoelektronik UV (Ultraviolet):

    • Transparansi GaN terhadap sinar ultraviolet membuatnya cocok untuk aplikasi optoelektronik UV. Wafer GaN digunakan dalam pembuatan sensor UV, peralatan sterilisasi,dan perangkat lain di mana sensitivitas terhadap radiasi UV sangat penting.
  5. Transistor Mobilitas Elektron Tinggi (HEMT):

    • Wafer GaN berfungsi sebagai bahan kunci untuk pengembangan HEMT, yang merupakan transistor berkinerja tinggi yang digunakan dalam aplikasi frekuensi tinggi dan daya tinggi.HEMT berdasarkan teknologi GaN digunakan dalam komunikasi satelit, sistem radar, dan infrastruktur nirkabel.
  6. Komunikasi nirkabel (5G):

    • Kemampuan frekuensi tinggi GaN menjadikannya bahan yang disukai untuk pengembangan komponen RF dalam sistem komunikasi 5G.Penguat dan pemancar berbasis GaN memainkan peran penting dalam memungkinkan kecepatan data tinggi dan latensi rendah yang diperlukan untuk jaringan 5G.
  7. Sumber Daya dan Konverter:

    • Wafer GaN digunakan dalam pembuatan catu daya dan konverter, di mana desain yang efisien dan kompak sangat penting.Perangkat daya berbasis GaN berkontribusi mengurangi kerugian daya dan meningkatkan efisiensi keseluruhan sistem elektronik.
  8. Elektronik otomotif:

    • Teknologi GaN semakin banyak digunakan dalam elektronik otomotif, terutama di kendaraan listrik (EV) dan kendaraan listrik hibrida (HEV).GaN-based power electronics meningkatkan efisiensi penggerak listrik, berkontribusi terhadap kemajuan transportasi berkelanjutan.
  9. Inverter tenaga surya:

    • Wafer GaN digunakan dalam pengembangan inverter daya untuk sistem energi surya.Efisiensi tinggi dan kemampuan penanganan daya dari perangkat GaN berkontribusi untuk mengoptimalkan konversi energi matahari menjadi listrik yang dapat digunakan.
  10. Sistem Radar Lanjutan:

    • Kemampuan GaN untuk beroperasi pada frekuensi tinggi dan menahan tingkat daya tinggi membuatnya ideal untuk sistem radar canggih.bidang kedirgantaraan, dan pemantauan cuaca.

Berbagai aplikasi wafer GaN menggarisbawahi pentingnya mereka dalam kemajuan teknologi di berbagai sektor.dan sifat bermanfaat lainnya posisi GaN sebagai enabler kunci untuk pengembangan perangkat elektronik dan optoelektronik canggih.

Bagan data GaN Gallium Nitride Wafer

Model NO.
50.8mm
Teknologi Manufaktur
HVPE & MOCVD
Bahan
Semikonduktor senyawa
Jenis
Semikonduktor tipe N
Aplikasi
LED
Model
Tipe N, semi-isolasi
Merek
WMC
Diameter
50.8, 100 150 mm
Orientasi Kristal
C-plane (0001)
Resistivitas
< 0,05 < 0,1 < 0,5 ohm.cm
Ketebalan
350um
TTV
10um maksimal
Bersujudlah
25um maksimal
EPD
5E8 cm-2 maksimal
Keropositas permukaan
Bagian depan: <= 0,2 nm, bagian belakang: 0,5-1,5 um atau <= 0,2 nm
Konsentrasi pembawa
5E17 cm-3 maksimal
Mobilitas Hall
300 cm2/V.s
Merek dagang
WMC
Paket Pengangkutan
wadah wafer tunggal
Spesifikasi
2" 4" 6"
Asal usul
Chengdu Cina
Kode HS
3818001900

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ingin Tahu lebih detail tentang produk ini
GaN Gallium Nitride Wafer Mobilitas Elektron Tinggi Perangkat RF Optoelektronika Dan LED bisakah Anda mengirimkan saya lebih banyak detail seperti jenis, ukuran, jumlah, bahan, dll.
Terima kasih!
Menunggu jawaban Anda.