 |
Orientasi111 100 SSP DSP Kemurnian Tinggi InP Semikonduktor Wafer 6'4' InP Wafer
Detail produk:
| Tempat asal: | China |
| Nama merek: | ZMSH |
| Nomor model: | InP |
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
| Kuantitas min Order: | 1 |
|---|---|
| Waktu pengiriman: | 2-4 minggu |
| Syarat-syarat pembayaran: | T/T |
|
Informasi Detail |
|||
| EPD: | 5500cm2 | Konsentrasi Doping: | Konsentrasi dari unsur doping 1 × 10^16 - 1 × 10^18 Cm^-3 |
|---|---|---|---|
| Ketebalan: | 350 + 10um | Kepadatan Cacat: | ≤ 500 cm2 |
| Diameter: | 2-6 inci | Elemen Doping: | Unsur yang Digunakan untuk Antimon (Sb), Indium (In), Fosfor (P), dll. |
| Dipoli: | DSP SSP | Mobilitas: | 1200 ~ 2000 |
| Cahaya Tinggi: | SSP Indium Phosphide Wafer,Wafer Semikonduktor InP kemurnian tinggi,Wafer InP 4'' |
||
Deskripsi Produk
Deskripsi produk:
KitaInPWafer semikonduktor (Indium Phosphide), yang terkenal karena sifat elektronik dan optoelektroniknya yang luar biasa, telah menemukan aplikasi luas dalam komunikasi, optik, dan elektronik.Menggunakan teknologi pertumbuhan dan pengolahan canggih, kami memastikan kemurnian tinggi dan keseragaman wafer kami, memberikan mobilitas elektron yang luar biasa dan kepadatan cacat yang rendah untuk memenuhi persyaratan yang ketat dari aplikasi high-end.Wafer tersedia dalam diameter mulai dari 2 sampai 4 inci, dengan ketebalan dan kekasaran permukaan yang dapat disesuaikan sesuai dengan kebutuhan pelanggan.kami menawarkan jaminan kualitas yang komprehensif dan dukungan teknis untuk memastikan bahwa setiap wafer memenuhi harapan klien kamiApakah digunakan untuk manufaktur komponen komunikasi serat optik kecepatan tinggi atau berfungsi sebagai substrat untuk sel surya dan sensor,InPWafer adalah pilihan ideal Anda.
Fitur:
- Mobilitas Elektron Tinggi:InPmemiliki mobilitas elektron yang sangat tinggi, yang berarti bahwa elektron dapat bergerak melalui bahan dengan kecepatan yang sangat tinggi.Karakteristik ini membuat InP sangat cocok untuk perangkat elektronik kecepatan tinggi dan aplikasi frekuensi tinggi.
- Bandgap langsung:InPadalah semikonduktor bandgap langsung, yang menyiratkan bahwa ia dapat secara langsung mengkonversi foton antara band konduksi dan band valensi.Hal ini menghasilkan efisiensi yang sangat tinggi dalam dioda laser dan fotodetektor.
- Sifat optik yang luar biasa:InPmemiliki transparansi optik yang sangat baik, terutama di wilayah inframerah.
- Konduktivitas termal tinggi:InPmenunjukkan konduktivitas termal yang relatif tinggi, membantu dalam disipasi panas yang efektif dalam perangkat elektronik.
- Stabilitas Kimia:InPStabil secara kimia dan sangat tahan terhadap banyak zat kimia di lingkungan.
- Kompatibilitas:InPdapat membentuk heterostructure dengan bahan kelompok III-V lainnya seperti GaAs dan InGaAs, yang sangat penting dalam pembuatan perangkat optoelektronik dan mikroelektronik berkinerja tinggi.
- Kekuatan mekanik: Meskipun lebih rapuh dari silikon,InPmasih memiliki kekuatan mekanik yang cukup untuk menahan tekanan dari proses manufaktur dan kemasan.
- Resistensi radiasi:InPmemiliki ketahanan yang kuat terhadap radiasi, membuatnya cocok untuk digunakan di lingkungan yang keras, seperti aplikasi ruang angkasa.
- Secara keseluruhan, karakteristik iniInPberkontribusi pada kinerja yang luar biasa dalam aplikasi optoelektronik kecepatan tinggi, frekuensi tinggi, dan kinerja tinggi.
Parameter teknis:
| Parameter | Nilai |
|---|---|
| Ketebalan | 350 ± 10um |
| Konsentrasi Doping | 1×10^16 - 1×10^18 Cm^-3 |
| EPD | 5500cm2 |
| Kepadatan Cacat | ≤ 500 cm2 |
| Mobilitas | 1200 ~ 2000 |
| Kemasan | Pengemasan vakum, nitrogen yang diisi ulang |
| Kondisi Penyimpanan | Suhu 20-25°C, Kelembaban ≤60% |
| Diameter | 2-6 inci |
| Elemen Doping | Antimon (Sb), Indium (In), Fosfor (P), dll. |
| Jenis Konduktivitas | Tipe N atau tipe P |
Aplikasi:
- Komunikasi serat optik:InPadalah bahan yang sangat diperlukan untuk pembuatan peralatan komunikasi serat optik berkecepatan tinggi, seperti dioda laser dan amplifier optik.kemampuan transmisi data dengan bandwidth tinggi, menjadikannya komponen kunci dalam membangun jaringan komunikasi modern.
- Detektor foto:InPHal ini memiliki aplikasi penting dalam komunikasi serat optik, pencitraan optik, dan sensor.
- Sel Surya: Mobilitas elektron yang tinggi dan sifat bandgap langsung dariInPmembuatnya menjadi bahan ideal untuk pembuatan sel surya yang efisien, terutama untuk aplikasi ruang angkasa dan sistem fotovoltaik terkonsentrasi.
- Laser:InPdigunakan untuk memproduksi berbagai jenis laser semikonduktor, termasuk yang digunakan dalam komunikasi dengan panjang gelombang optik tertentu dan laser yang digunakan dalam aplikasi medis.
- Perangkat Elektronik Berkecepatan Tinggi: Karena mobilitas elektronnya yang tinggi,InPadalah bahan pilihan untuk pembuatan transistor berkecepatan tinggi dan sirkuit terintegrasi, yang sangat penting dalam radar, komunikasi, dan komputasi.
- Infrared Optics:InPtransparan dalam rentang panjang gelombang inframerah, membuatnya cocok untuk pembuatan komponen optik inframerah, seperti lensa dan jendela.
Pengaturan:
ZMSH menawarkan layanan kustomisasi Gallium Nitride Wafer dengan kualitas terjamin.Beberapa fitur dari Gallium Nitride Wafer kami meliputi:
- Nama merek: ZMSH
- Nomor model:InP
- Tempat Asal: Cina
- Kemasan: Kemasan vakum, Isi ulang nitrogen
- Elemen Doping: Antimon (Sb), Indium (In), Fosfor (P), dll.
- Kekakuan cacat: ≤ 500 cm^-2
- Diameter: 2-6 inci
- Kondisi penyimpanan: Suhu 20-25°C, Kelembaban ≤60%
Wafer Gallium Nitride kami juga memiliki kualitas tinggi dan keandalan, dengan kontrol kualitas yang ketat selama proses manufaktur.Hubungi kami hari ini untuk mengetahui lebih lanjut tentang kami disesuaikan Gallium Nitride Wafer!
Dukungan dan Layanan:
Di Perusahaan XYZ, kami menyediakan dukungan teknis dan layanan untuk produk Gallium Nitride Wafer kami.Tim insinyur dan teknisi berpengalaman kami tersedia untuk menjawab setiap pertanyaan yang mungkin Anda miliki tentang produk AndaKami juga tersedia untuk membantu pemecahan masalah, menyediakan suku cadang, dan menawarkan layanan pemeliharaan rutin.
Kami menyediakan dukungan melalui portal layanan pelanggan online, email, atau telepon. Tim layanan pelanggan kami tersedia 24/7 untuk menjawab pertanyaan dan memberikan bantuan.Kami senang membantu dan akan melakukan yang terbaik untuk memastikan bahwa produk Anda bekerja dengan benar.
Jika Anda membutuhkan dukungan teknis lebih lanjut, kami menawarkan paket layanan tambahan yang mencakup dokumen teknis rinci, akses ke tim insinyur kami, dan perpanjangan garansi untuk produk Anda.Tim dukungan teknis kami di sini untuk membantu dan dapat menjawab pertanyaan yang mungkin Anda miliki.
Kami bangga dengan kualitas produk dan layanan kami, dan kami berusaha untuk memastikan bahwa pelanggan kami puas dengan pembelian mereka.Tolong jangan ragu untuk menghubungi kami.
Kemasan dan Pengiriman:
Kemasan dan Pengiriman untuk Gallium Nitride Wafer:
Wafer gallium nitride (GaN) biasanya dikirim dalam wadah yang disegel vakum atau disegel dengan gas nitrogen.dan tanggal pembuatanSelama pengiriman, kontainer harus dikemas dalam bungkus gelembung atau styrofoam untuk bantalan tambahan. Pengiriman harus dilacak untuk memastikan kedatangannya dengan aman.
FAQ:
- P:Apa nama merek Gallium Nitride Wafer?
A:Nama merek Gallium Nitride Wafer adalah ZMSH. - P:Apa nomor model Gallium Nitride Wafer?
A:Nomor model Gallium Nitride Wafer adalah InP. - P:Di mana Gallium Nitride Wafer diproduksi?
A:Gallium Nitride Wafer diproduksi di Cina. - P:Apa kegunaan Gallium Nitride Wafer?
A:Gallium Nitride Wafer digunakan untuk berbagai aplikasi seperti listrik dan frekuensi tinggi elektronik, optoelektronik, dan perangkat microwave. - P:Apa keuntungan dari Gallium Nitride Wafer?
A:Gallium Nitride Wafer memiliki banyak keuntungan, termasuk tegangan pemecahan yang lebih tinggi, konduktivitas termal dan listrik yang tinggi, dan operasi suhu tinggi.