2 inci 4 inci 6 inci 8 inci Wafer Karbida Silikon Penggunaan Industri Dengan Karat Permukaan ≤0.2nm

Deskripsi Produk:

ZMSH telah menjadi produsen dan pemasok wafer substrat SiC (Silicon Carbide) terkemuka.Bagi pelanggan yang mencari nilai terbaik, ZMSH menawarkan harga terbaik saat ini di pasar untuk wafer substrat SiC kelas penelitian 2 inci dan 3 inci.

Wafer substrat SiC memiliki beragam aplikasi dalam desain perangkat elektronik, khususnya untuk produk yang melibatkan daya tinggi dan frekuensi tinggi.

Selain itu, teknologi LED merupakan konsumen utama wafer substrat SiC.LED adalah singkatan dari Light Emitting Diode, yaitu jenis semikonduktor yang menggabungkan elektron dan lubang untuk menciptakan sumber cahaya dingin yang hemat energi.

 

Fitur:

Kristal tunggal Silicon Carbide (SiC) memiliki banyak sifat luar biasa, seperti konduktivitas termal yang sangat baik, mobilitas elektron saturasi tinggi, dan ketahanan terhadap kerusakan tegangan tinggi.Sifat-sifat ini menjadikannya bahan yang sempurna untuk menyiapkan perangkat elektronik frekuensi tinggi, daya tinggi, suhu tinggi, dan tahan radiasi.

Selain itu, kristal tunggal SiC memiliki konduktivitas termal yang sangat baik dan sifat kerusakan tegangan yang kuat.Ia dapat dengan mudah menahan suhu tinggi dan tingkat radiasi tanpa memburuk, menjadikannya pilihan ideal untuk perangkat elektronik kelas atas.

Selain itu, mobilitas elektron yang tinggi dari kristal tunggal SiC memberikan efisiensi yang lebih besar dibandingkan material lain, sehingga memungkinkannya bekerja lebih lama dengan gangguan yang lebih sedikit.Oleh karena itu, ini adalah bahan yang sempurna untuk menciptakan perangkat elektronik berkinerja tinggi dan andal.

 

Parameter teknik:

Nama Produk: Substrat silikon karbida, wafer silikon karbida, wafer SiC, substrat SiC

Metode pertumbuhan: MOCVD

Struktur Kristal: 6H, 4H, 6H(a=3.073 Å c=15.117 Å), 4H(a=3.076 Å c=10.053 Å )

Urutan Penumpukan: 6H: ABCACB, 4H: ABCB

Kelas: Kelas Produksi, Kelas Penelitian, Kelas Dummy

Tipe konduktivitas: tipe-N atau Semi-isolasi

Celah pita: 3,23 eV

Kekerasan: 9,2 (mohs)

Konduktivitas Termal @300K: 3,2~4,9 W/ cm.K

Konstanta dielektrik: e(11)=e(22)=9,66 e(33)=10,33

Resistivitas: 4H-SiC-N: 0,015~0,028 Ω·cm, 6H-SiC-N: 0,02~0,1 Ω·cm, 4H/6H-SiC-SI: >1E7 Ω·cm

Pengepakan: Tas bersih kelas 100, di ruang bersih kelas 1000.

 

Aplikasi:

Silicon Carbide Wafer (SiC wafer) adalah pilihan ideal untuk elektronik otomotif, perangkat optoelektronik, dan aplikasi industri.Wafer ini mencakup substrat SiC Tipe 4H-N dan substrat SiC semi-isolasi, yang keduanya merupakan komponen utama berbagai perangkat.

Substrat SiC tipe 4H-N memberikan sifat unggul seperti celah pita lebar, yang memungkinkan peralihan yang sangat efisien dalam elektronika daya.Selain itu, bahan ini sangat tahan terhadap keausan mekanis dan oksidasi kimia, sehingga ideal untuk perangkat bersuhu tinggi dan kehilangan daya rendah.

Substrat SiC semi-isolasi juga memberikan sifat yang sangat baik, seperti stabilitas tinggi dan ketahanan termal.Kemampuannya untuk tetap stabil pada perangkat berdaya tinggi menjadikannya ideal untuk berbagai aplikasi optoelektronik.Selain itu, mereka juga dapat digunakan sebagai wafer terikat, yang merupakan komponen penting dalam perangkat mikroelektronik berkinerja tinggi.

Fitur-fitur wafer SiC ini membuatnya cocok untuk berbagai aplikasi, terutama di sektor otomotif, optoelektronik, dan industri.Wafer SiC adalah bagian penting dari teknologi saat ini dan terus menjadi semakin populer di berbagai industri.

 

Dukungan dan Layanan:

Kami menawarkan dukungan teknis dan layanan komprehensif untuk Silicon Carbide Wafer.Tim ahli kami siap memberikan panduan dalam pemilihan produk, menjawab pertanyaan teknis, dan membantu desain dan implementasi proyek Anda.

Tim dukungan teknis kami yang berpengetahuan luas siap menjawab pertanyaan atau kekhawatiran apa pun yang Anda miliki tentang Wafer Silikon Karbida.Kami memberikan informasi produk yang mendalam, dukungan aplikasi, dan bantuan pemecahan masalah.

Kami dapat membantu Anda memilih produk Silicon Carbide Wafer terbaik untuk aplikasi Anda.Tim ahli kami dapat memberikan rekomendasi, contoh, dan dukungan untuk memastikan Anda membuat pilihan yang tepat.

Tim insinyur kami yang berpengalaman dapat membantu Anda merancang dan menerapkan solusi Silicon Carbide Wafer yang sempurna.Kami dapat memberikan gambar detail, simulasi, dan dukungan untuk memastikan proyek Anda berhasil.

Pengepakan dan Pengiriman:

Wafer silikon karbida rapuh dan memerlukan penanganan dan perlindungan khusus saat pengiriman.Prosedur berikut harus diikuti untuk memastikan pengiriman yang aman ke pelanggan.

• Wafer harus ditempatkan dalam kemasan disipatif statis dengan busa anti-statis.
• Wafer harus disegel dalam kantong penghalang kelembapan untuk melindunginya dari kontaminan lingkungan.
• Kemasannya harus disegel dalam kotak dengan bahan bantalan untuk melindungi dari guncangan dan getaran.
• Kotak tersebut harus diberi label dengan informasi berikut: alamat pelanggan, isi paket, dan berat paket.
• Paket tersebut harus dikirim dengan perusahaan pengangkutan yang sesuai dan diasuransikan untuk seluruh nilai isinya.

 

Pertanyaan Umum:

Q1: Apa itu Wafer Silikon Karbida?
A1: Silicon Carbide Wafer adalah wafer yang terbuat dari bahan silikon karbida yang merupakan bahan semikonduktor dengan bandgap lebar dan konduktivitas termal yang tinggi.Sangat cocok untuk elektronika daya dan aplikasi suhu tinggi lainnya.

Q2: Apa nama merek produk ini?
A2: Nama merek produk ini adalah ZMSH.

Q3: Berapa nomor model produk ini?
A3: Nomor model produk ini adalah Silicon Carbide.

Q4: Berapa jumlah pesanan minimum?
A4: Jumlah pesanan minimum adalah 5.

Q5: Berapa lama waktu pengiriman?
A5: Waktu pengiriman adalah 2 minggu.