Deskripsi Produk

Semi-Insulating 3-Inch Silicon Carbide wafer 4H N-Type CVD Orientasi: 4.0°±0.5°

Semi-Insulating 3-Inch Silicon Carbide wafer's Abstract

The unique electronic and thermal properties of silicon carbide (SiC) make it ideally suited for advanced high-power and high-frequency semiconductor devices that operate well beyond the capabilities of either silicon or gallium arsenide devicesKeuntungan utama dari teknologi berbasis SiC termasuk penurunan kerugian switching, kepadatan daya yang lebih tinggi, disipasi panas yang lebih baik, dan peningkatan kemampuan bandwidth.ini menghasilkan solusi yang sangat kompak dengan efisiensi energi yang jauh lebih baik dengan biaya yang lebih rendahDaftar aplikasi komersial saat ini dan yang diproyeksikan dengan cepat menggunakan teknologi SiC termasuk sumber daya switch, inverter untuk pembangkit energi surya dan kincir angin,Penggerak motor industri, kendaraan HEV dan EV, dan switching listrik jaringan pintar.

Fitur utama wafer Karbida Silikon 3 Inci Semi-Isolating

Semi-Insulating 3 inci Silicon Carbide wafer menunjukkan fitur kunci yang membuatnya penting dalam berbagai aplikasi semikonduktor.Wafer ini menyediakan substrat penting untuk pembuatan perangkat elektronik berkinerja tinggiSifat semi-isolasi, yang menunjukkan tingkat isolasi listrik, adalah karakteristik yang menentukan, mengurangi kebocoran arus dan meningkatkan kinerja komponen elektronik.

Silikon Karbida (SiC), bahan utama konstruksi, adalah senyawa yang dikenal karena sifatnya yang luar biasa. SiC menawarkan stabilitas suhu tinggi, kekerasan yang sangat baik, dan ketahanan korosi,membuatnya ideal untuk aplikasi yang menuntutSifat semi-isolasi wafer ini menguntungkan dalam perangkat microwave dan radiofrequency, seperti penguat daya dan saklar RF,dimana isolasi listrik sangat penting untuk kinerja optimal.

Salah satu aplikasi terkemuka dari wafer Silicon Carbide Semi-Isolating adalah dalam perangkat elektronik daya.Wafer ini digunakan dalam pembuatan SiC Schottky Diode dan SiC Field-Effect Transistor (FET), berkontribusi pada pengembangan elektronik daya tegangan tinggi dan suhu tinggi.Karakteristik unik bahan ini membuatnya cocok untuk lingkungan di mana semikonduktor konvensional mungkin berjuang untuk beroperasi secara efisien.

Selain itu, wafer ini menemukan aplikasi dalam optoelektronika, khususnya dalam pembuatan SiC Photodiode.Sensitivitas Silicon Carbide terhadap sinar ultraviolet membuatnya berharga dalam aplikasi penginderaan optikDalam kondisi ekstrim, seperti suhu tinggi dan lingkungan yang keras, wafer SiC Semi-Insulating digunakan dalam sensor dan sistem kontrol.

Dalam bidang aplikasi suhu tinggi dan lingkungan ekstrim, wafer Silicon Carbide Semi-Insulating disukai karena stabilitas dan ketahanan mereka.Mereka memainkan peran penting dalam sistem sensing dan kontrol yang dirancang untuk beroperasi dalam kondisi yang menantang.

Dalam aplikasi energi nuklir, stabilitas radiasi Karbida Silikon sangat menguntungkan. Wafer yang terbuat dari bahan ini digunakan dalam detektor dan sensor dalam reaktor nuklir.

Fitur kunci ini secara kolektif menempatkan Semi-Insulating 3-Inch Silicon Carbide wafer sebagai komponen penting dalam teknologi semikonduktor canggih.dan aplikasi suhu tinggi menggarisbawahi pentingnya dalam elektronik modern dan industri berteknologi tinggiKemajuan terus menerus dalam teknologi SiC semakin memperkuat pentingnya wafer ini dalam mendorong batas-batas kinerja elektronik dan keandalan.

Aplikasi wafer Karbida Silikon 3 inci Semi-Insulating

Semi-Insulating 3-Inch Silicon Carbide wafer memainkan peran penting dalam berbagai aplikasi semikonduktor,menawarkan sifat unik yang berkontribusi pada kemajuan perangkat dan sistem elektronikDengan diameter tiga inci, wafer ini sangat berpengaruh dalam pembuatan komponen elektronik berkinerja tinggi.

Karakteristik semi-isolasi wafer ini adalah fitur utama, menyediakan isolasi listrik untuk meminimalkan kebocoran arus.Sifat ini sangat penting untuk aplikasi di mana mempertahankan resistensi listrik yang tinggi sangat penting, seperti pada jenis perangkat elektronik dan sirkuit terintegrasi tertentu.

Salah satu aplikasi terkemuka dari wafer Silicon Carbide Semi-Insulating 3-Inch adalah dalam produksi perangkat elektronik frekuensi tinggi dan daya tinggi.Konduktivitas termal yang sangat baik dan bandgap yang luas dari Silicon Carbide membuatnya cocok untuk pembuatan perangkat seperti dioda Schottky, metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET), dan komponen elektronik daya lainnya.

Industri semikonduktor juga memanfaatkan wafer ini dalam pengembangan sensor dan detektor untuk kondisi ekstrem.Kekuatan silikon karbida dalam suhu tinggi dan lingkungan yang keras membuatnya cocok untuk membuat sensor yang dapat menahan kondisi yang menantangSensor ini digunakan di berbagai industri, termasuk aerospace, otomotif, dan energi.

Dalam optoelektronika, wafer Silicon Carbide Semi-Insulating digunakan untuk pembuatan fotodioda dan dioda memancarkan cahaya (LED).Silikon Karbida memiliki sifat optik yang unik sehingga cocok untuk aplikasi yang membutuhkan sensitivitas terhadap sinar ultravioletHal ini sangat menguntungkan dalam sistem sensing optik dan komunikasi.

Industri nuklir mendapat manfaat dari ketahanan radiasi Karbida Silikon, dan wafer ini menemukan aplikasi dalam detektor radiasi dan sensor yang digunakan di reaktor nuklir.Kemampuan untuk menahan lingkungan radiasi yang keras membuat Silicon Carbide bahan penting untuk aplikasi kritis seperti.

Peneliti dan ilmuwan terus mengeksplorasi aplikasi baru untuk Semi-Insulating 3-Inch Silicon Carbide wafer, didorong oleh sifat material yang luar biasa.Wafer ini diharapkan memainkan peran penting dalam bidang baru seperti komputasi kuantum, di mana bahan yang kuat dan berkinerja tinggi sangat penting.

Singkatnya, aplikasi wafer Silicon Carbide Semi-Insulating 3-Inch mencakup berbagai industri, dari elektronik tenaga dan optoelektronika hingga teknologi sensor dan nuklir.Fleksibilitas dan sifatnya yang unik memposisinya sebagai faktor kunci untuk pengembangan sistem elektronik canggih yang beroperasi secara efisien di lingkungan yang menuntut.

Semi-Insulating 3-Inch Silicon Carbide wafer's data chart

* Nilai Produksi Tipikal ️ Hubungi kami untuk Spesifikasi Standar atau Permintaan Khusus
** Diukur dengan interferometri cahaya putih (250μm x 350μm) Sifat material

Rekomendasi Produk Lainnya:

substrat safir

8inch/6inch/5inch/ 2inch /3inch 4inch /5inch C-axis/ a-axis/ r-axis/ m-axis 6"/6inch dia150mm C-plane Sapphire SSP/DSP wafers with 650um/1000um Thicknessdiameter300mm 12inch Al2O3 Sapphire wafers carrier with notch SSP DSP 1.0mm C - Axis jendela kaca optik safir